变频器驱动电路制造技术

技术编号:19476611 阅读:54 留言:0更新日期:2018-11-17 08:22
本实用新型专利技术公开了一种变频器驱动电路,包括与半控整流电路并联的软充电电路,与半控整流电路电连接的三路SCR触发电路、与变频器中逆变电路电连接的隔离驱动电路、与串接于半控整流电路和变频器中滤波电路之间的过流管电连接的过流管驱动电路、及与并联于滤波电路两端的制动管电连接的制动管驱动电路,制动管和所述过流管为绝缘栅双极晶体管。隔离驱动电路包括缓冲器和与缓冲器输出端电连接的六路IGBT驱动电路,三路SCR触发电路、缓冲器、过流管驱动电路和制动管驱动电路均与变频器的CPU电连接。本实用新型专利技术针对担当不同角色的绝缘栅双极晶体管及可控硅提供独立的驱动电路,避免了相互之间的驱动干扰,提高了安全性和可靠性。

【技术实现步骤摘要】
变频器驱动电路
本技术涉及变频器
,尤其涉及一种变频器驱动电路。
技术介绍
变频器是通过改变电机工作电源频率的方式来控制交流电动机的电力控制设备,随着工业自动化程度的提高,变频器作为可调速驱动设备被广泛应用于各个领域。目前变频器主电路中含有多个承担不同角色的绝缘栅双极晶体管和可控硅。绝缘栅双极晶体管和可控硅的工作状态都需要驱动电路的驱动或触发电路的触发。比如可控硅的触发电路主要是为了使变频器在开机启动时,实现软启动,保证变频器启动过程的安全性,但是目前可控硅的触发电路较为复杂,目的性不强且成本较高。而针对绝缘栅双极晶体管的驱动电路也有很多种,例如TLP250、A3120驱动IC及在逆变电路中经常组合重现的PC923、PC929驱动IC,但是PC923、PC929驱动IC在逆变电路中组合使用虽然提高了驱动能力,但是控制复杂而且控制器容易出现带载能力差的问题。且担当不同角色的绝缘栅双极晶体管为了省时省力通常采用同样的驱动电路,比如逆变电路中的绝缘栅双极晶体管和过流保护中的绝缘栅双极晶体管性质不同、承担的功能也不同,若采用同样的驱动电路往往造成一定的驱动干扰,可靠性差。
技术实现思路
为了克本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.变频器驱动电路,所述变频器包括与半控整流电路并联的软充电电路,其特征在于,所述变频器驱动电路包括与所述半控整流电路电连接的三路SCR触发电路、与所述变频器中逆变电路电连接的隔离驱动电路、与串接于所述半控整流电路和所述变频器中滤波电路之间的过流管电连接的过流管驱动电路、及与并联于所述滤波电路两端的制动管电连接的制动管驱动电路,所述制动管和所述过流管分别为绝缘栅双极晶体管T7、T8;所述隔离驱动电路包括缓冲器和与所述缓冲器输出端电连接的六路IGBT驱动电路,三路所述SCR触发电路、所述缓冲器、所述过流管驱动电路和所述制动管驱动电路均与所述变频器的CPU电连接。

【技术特征摘要】
1.变频器驱动电路,所述变频器包括与半控整流电路并联的软充电电路,其特征在于,所述变频器驱动电路包括与所述半控整流电路电连接的三路SCR触发电路、与所述变频器中逆变电路电连接的隔离驱动电路、与串接于所述半控整流电路和所述变频器中滤波电路之间的过流管电连接的过流管驱动电路、及与并联于所述滤波电路两端的制动管电连接的制动管驱动电路,所述制动管和所述过流管分别为绝缘栅双极晶体管T7、T8;所述隔离驱动电路包括缓冲器和与所述缓冲器输出端电连接的六路IGBT驱动电路,三路所述SCR触发电路、所述缓冲器、所述过流管驱动电路和所述制动管驱动电路均与所述变频器的CPU电连接。2.如权利要求1所述的变频器驱动电路,其特征在于,三路所述SCR触发电路分别与所述半控整流电路上三臂的可控硅VT1、VT3、VT5电连接,所述SCR触发电路包括第一直流供电电路,储能升压电路和开关电路,所述第一直流供电电路通过所述开关电路与所述储能升压电路电连接。3.如权利要求2所述的变频器驱动电路,其特征在于,所述第一直流供电电路的一端与所述CPU对应端口电连接,包括二极管VD5,与所述二极管VD5串联的电阻R9,所述电阻R9与可控硅阴极SCR_K相连接,所述电阻R9的两端并联有电容C3和电容C4;所述开关电路一端为第二直流供电端,另一端为控制信号输入端,所述开关电路两端均与所述CPU对应端口电连接,包括串接于所述第二直流供电端和所述控制信号输入端之间的电阻R5,光耦TLP1、三极管Q1和电阻R6;所述光耦TLP1包括初级光敏二极管D和次级光敏三极管Q2,所述初级光敏二极管D的阳极与所述电阻R5相连接,所述初级光敏二极管D的阴极与所述三极管Q1的集电极相连接,所述三极管Q1的基极与所述电阻R6相连接,所述三极管Q1的发射极接地,电阻R7一端与所述三极管Q1的基极相连接,所述电阻R7的另一端接地,所述次级光敏三极管Q2的集电极与所述第一直流供电电路中所述二极管VD5的阴极相连接,所述次级光敏三极管Q2的发射极与所述储能升压电路相连接;所述储能升压电路包括自举电容C0,所述自举电容C0一端为所述储能升压电路的充电端,所述自举电容C0另一端为所述储能升压电路的基准端,所述充电端与所述次级光敏三极管Q2的发射极和可控硅控制极SCR_G均相连接,所述基准端与所述可控硅阴极SCR_K相连接。4.如权利要求3所述的变频器驱动电路,其特征在于,所述储能升压电路还包括二极管VD7,所述二极管VD7的阴极与所述次级光敏三极管...

【专利技术属性】
技术研发人员:徐海平
申请(专利权)人:江西锐天科创电气科技有限公司
类型:新型
国别省市:江西,36

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