一种硼镓共掺P型高效多晶硅片制造技术

本实用新型专利技术提供了一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，属于太阳能技术领域。它解决了现有的多晶硅片性能不够稳定的问题。本硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体，硅片主体由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜、N型硅片、P型硅片和钢化玻璃层，P型硅片共掺有硼镓，且P型硅片的侧面连接有第一电极，N型硅片的侧面连接有第二电极，硅片主体的外周边设置有保护边框，第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上，且第一电极位于第二电极的正上方。它所设置的保护边框，即能对硅片主体进行保护，避免受磕碰损坏，同时能够对第一电极和第二电极进行辅助定位，使得接线更加方便，安装时省时省力。

【技术实现步骤摘要】
一种硼镓共掺P型高效多晶硅片
本技术属于太阳能
，涉及一种太阳能多晶硅片，特别是一种硼镓共掺P型高效多晶硅片。
技术介绍
目前，生产多晶硅太阳能电池的硅片是由多晶硅锭经加工制成，为了满足电池片加工的电性能要求，多晶硅锭必须在晶体生长过程中调节掺杂剂的浓度。现有的掺杂剂主要包括硼、磷和镓，但是大多使用单一的硼或镓，且结构也不够理想，在性能上还是存在着不足。
技术实现思路
本技术的目的是针对现有的技术存在上述问题，提出了一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，它所要解决的技术问题是如何保证太阳能多晶硅片的性能。本技术的目的可通过下列技术方案来实现：一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体，其特征在于，所述硅片主体呈板状，且由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜、N型硅片、P型硅片和钢化玻璃层，所述钢化玻璃层通过EVA溶胶固连在P型硅片的顶面上，所述聚氟乙烯复合膜通过EVA溶胶固连在N型硅片的底面上，所述P型硅片共掺有硼镓，且P型硅片的侧面连接有第一电极，所述N型硅片的侧面连接有第二电极，所述硅片主体的外周边设置有保护边框，所述第一电极和第二电极均垂直穿插在保护边框上，且所述第一电极位于第二电极的正上方本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈板状，且由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜(4)、N型硅片(5)、P型硅片(6)和钢化玻璃层(7)，所述钢化玻璃层(7)通过EVA溶胶固连在P型硅片(6)的顶面上，所述聚氟乙烯复合膜(4)通过EVA溶胶固连在N型硅片(5)的底面上，所述P型硅片(6)共掺有硼镓，且P型硅片(6)的侧面连接有第一电极(8)，所述N型硅片(5)的侧面连接有第二电极(9)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述第一电极(8)和第二电极(9)均垂直穿插在保护边框(2)上，且所述第一电极(8)位于第二电极(9)的正上方。

【技术特征摘要】
1.一种硼镓共掺P型高效多晶硅片，包括硅片主体(1)，其特征在于，所述硅片主体(1)呈板状，且由下往上依次包括聚氟乙烯复合膜(4)、N型硅片(5)、P型硅片(6)和钢化玻璃层(7)，所述钢化玻璃层(7)通过EVA溶胶固连在P型硅片(6)的顶面上，所述聚氟乙烯复合膜(4)通过EVA溶胶固连在N型硅片(5)的底面上，所述P型硅片(6)共掺有硼镓，且P型硅片(6)的侧面连接有第一电极(8)，所述N型硅片(5)的侧面连接有第二电极(9)，所述硅片主体(1)的外周边设置有保护边框(2)，所述第一电极(8)和第二电极(9)均垂直穿插在保护边框(2)上，且所述第一电极(8)位于第二电极(9)的正上方。2.根据权利要求1所述的硼镓共掺P型高效多晶硅片，其特征在于，所述P型硅片(6)中硅的电子浓度在10-18cm3数量级。3.根据权利要求1所述的硼镓共掺P型高效多晶硅片，其特征在于，所述保护边框(2)为矩形框，包括框杆一(21)、框杆二(22)、框杆三(23)和框杆四(24)，所述框杆二(22)的左端固连在框杆一(21)的上端，所述框杆四(24)的左端固连在框杆二(22)的下端，所述框杆三(23)的上端可拆卸连接在框杆二(22)的右端，且框杆三(23)的下端可拆卸连接在框杆四(24)的右端，...

【专利技术属性】
技术研发人员：蒋春桥，谌能全，赵兵兵，肖凌超，
申请(专利权)人：嘉兴能发电子科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33