太阳能电池及其制备方法技术

本发明专利技术涉及一种Cu化合物太阳能电池结构体及其制备方法，所述太阳能电池结构体能够改善太阳能电池的光电转换效率。本发明专利技术的太阳能电池包括：位于彼此面对的两个电极之间的包含Cu化合物或Cd化合物的光吸收层；在所述两个电极和所述光吸收层之间的任一侧或两侧形成且包含要提供给所述Cu化合物或Cd化合物的杂质元素的杂质材料层；和通过在所述光吸收层上扩散的所述杂质元素而在所述光吸收层的一部分上形成的掺杂层。另外，本发明专利技术的太阳能电池具有经杂质掺杂形成的诸如p‑n结等内部电场层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】太阳能电池及其制备方法
本专利技术涉及一种太阳能电池及其制备方法，更具体而言，涉及下述的太阳能电池结构体及其制备方法，其中，通过在Cu化合物或Cd化合物太阳能电池中形成包含Ti或Si杂质的杂质掺杂层来形成诸如p-n结等内部电场来改善太阳能电池的光电转换效率，所述Cu化合物或Cd化合物太阳能电池包括非晶、多晶或单晶太阳能电池。
技术介绍
硅太阳能电池是包括单晶太阳能电池和多晶太阳能电池在内的晶体太阳能电池，并且目前具有最大的市场份额。正在开发用于低成本且高效率地制备硅太阳能电池的技术。在过去的20年中，世界上最高效的硅太阳能电池曾经是使用由澳大利亚新南威尔士大学开发的PERL(无源发射器背部局部扩散)结构的具有25％效率的电池。然而，在2014年4月举行的IEEE光伏专家会议上，松下公司宣布通过采用新结构实现了25.6％的太阳能电池效率。在该太阳能电池中，用于阻挡进入太阳能电池的部分太阳光的前触点改变，使得正触点和负触点都位于太阳能电池的背表面上。另外，在晶体硅晶片上形成了高品质的非晶硅膜，以防止损伤晶片表面，从而使载流子在前表面和背表面上发生的重组最小化，由此实现了超越25％效率屏壁本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池，其包括：位于彼此面对的两个电极之间的由Cu化合物或Cd化合物构成的光吸收层；在所述两个电极和所述光吸收层之间的任一侧或两侧形成且包含要提供给所述Cu化合物或Cd化合物的杂质元素的杂质材料层；和通过扩散入所述光吸收层的所述杂质元素而在所述光吸收层的一部分上形成的掺杂层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.18 KR 10-2016-00191911.一种太阳能电池，其包括：位于彼此面对的两个电极之间的由Cu化合物或Cd化合物构成的光吸收层；在所述两个电极和所述光吸收层之间的任一侧或两侧形成且包含要提供给所述Cu化合物或Cd化合物的杂质元素的杂质材料层；和通过扩散入所述光吸收层的所述杂质元素而在所述光吸收层的一部分上形成的掺杂层。2.如权利要求1所述的太阳能电池，其中，在所述Cu化合物或Cd化合物中通过所述掺杂层形成p-n结或内部电场层。3.如权利要求1或2所述的太阳能电池，其中，所述Cu化合物或Cd化合物具有二元组成。4.如权利要求3所述的太阳能电池，其中，所述Cu化合物是CuxOy(其中，x和y为任意正数)或CuxSy(其中，x和y为任意正数)，且所述Cd化合物是CdxTey(其中，x和y为任意正数)。5.如权利要求1或2所述的太阳能电池，其中，所述杂质材料层由包含Ti和Si中的任一种或多种的金属氧化物构成。6.如权利要求1或2所述的太阳能电池，随着在光照射状态下施加电压，其表现出电流的波动。7.如权利要求6所述的太阳能电池，其中，相对于5％以内的电压变化，所述电流的波动为20％以上的电流变化。8.如权利要求6所述的太阳能电池，其中，通过用于增强内部电场的极化，所述电流的波动可以减小到相对于10％以内的电压变化为10％以内的电流变化。9.如权利要求6所述的太阳能电池，其中，通过用于增强内部电场的极化，所述电流的波动可以减少至出现波动的次数减少。10.一种用于制备太阳能电池的方法，其包括：在基材上形成第一电极；在所述第一电极上形成光吸收层；以及在所述光吸收层上形成第二电极，其中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：田永权，
申请(专利权)人：田永权，
类型：发明
国别省市：韩国,KR