一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体制造技术

本实用新型专利技术公开了一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架和下部框架，上部框架上端面固接有电源连接部，上部框架上端面环形阵列有若干气管，下部框架与上部框架通过框架连接部固接，下部框架的直径大于上部框架，并且，下部框架比上部框架大的区域上端面开设有若干贯通孔，贯通孔以放射状排列，下部框架内部开设有加热机构限位槽，加热机构限位槽内部固定设有加热机构，加热机构上方固接有加热机构固定罩。本实用新型专利技术中上部框架和下部框架由相同的材质形成，相互通过硬钎焊接合，构成坚固的结构，提供更易实现等离子封锁的环形隔板装配；本实用新型专利技术中贯通孔的大小可以根据蚀刻工艺所需要的大小进行装配垫圈进行调节，适应性强。

【技术实现步骤摘要】
一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体
本技术涉及一种挡板，尤其涉及一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体。
技术介绍
在高密度集成电路(LSI；largescaleintegratedcircuit)的制作中，半导体基板的等离子处理被应用在电介质蚀刻,金属蚀刻，化学气相沉积及其他工艺流程中。在半导体处理中，通过更小尺寸及通向线宽的趋势，想要以高精度提高半导体基板物质的遮蔽，蚀刻及沉积性能。蚀刻通过支撑构件支撑的基板的处理领域，由所供应的作业气体可实行无线电频率(RF)电力的许可，最终，电场作业气体因等离子被活性化以后，在处理领域打造反应区域。支撑构件面向在其上部支撑的基板，在等离子内部偏离以便吸引离子。离子面向邻近基板的等离子边界层移动，在边界层留下的时候会加速。加速的离子从基板表面开始去除物质或者创造蚀刻所需要的能量。因为加速的离子在处理腔室内部可以蚀刻其他构成因素，所以在基板的处理领域内封锁离子是有利的。一方面，未封锁的等离子腔室墙上的蚀刻-可引起副产物沉积，并且可能蚀刻腔室壁。腔室壁的蚀刻-副产物沉积可以使工艺漂移。从腔室壁开始被蚀刻的物质通过再次沉积，可能会污染基板。此外，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架（1）和下部框架（2），其特征在于:所述上部框架（1）为开口圆环形，所述上部框架（1）上端面固定连接有电源连接部（8），所述上部框架（1）上端面环形阵列有若干气管（9），所述下部框架（2）与上部框架（1）同轴设置，所述下部框架（2）与上部框架（1）通过框架连接部（5）固定连接，所述下部框架（2）的直径大于上部框架（1），并且，所述下部框架（2）比上部框架（1）大的区域上端面开设有若干贯通孔（7），所述贯通孔（7）以放射状排列，所述下部框架（2）内部开设有加热机构限位槽（6），所述加热机构限位槽（6）内部固定设有加热机构（3），所述加热机构...

【技术特征摘要】
1.一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架（1）和下部框架（2），其特征在于:所述上部框架（1）为开口圆环形，所述上部框架（1）上端面固定连接有电源连接部（8），所述上部框架（1）上端面环形阵列有若干气管（9），所述下部框架（2）与上部框架（1）同轴设置，所述下部框架（2）与上部框架（1）通过框架连接部（5）固定连接，所述下部框架（2）的直径大于上部框架（1），并且，所述下部框架（2）比上部框架（1）大的区域上端面开设有若干贯通孔（7），所述贯通孔（7）以放射状排列，所述下部框架（2）内部开设有加热机构限位槽（6），所述加热机构限位槽（6）内部固定设有加热机构（3），所述加热机构（3）上方固定连接有加热机构固定罩（4），所述加热机构（3）包括加热线圈（14）、环形加热器（16）和供应部（15），所述环形加热器（16）为内部中空结构，所述加热线圈（14）设置在环形加热器（16）内部，所述供...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴兴植，韩相镇，
申请(专利权)人：合肥微睿光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34