光提取层与其形成方法和有机发光二极管结构技术

本发明专利技术公开了一种光提取层与其形成方法和有机发光二极管结构，光提取层包含第一基板、第二基板以及多个散射结构。第一基板具有多个凹槽。第二基板设置于第一基板上，其中第一基板直接接触第二基板，且第一基板与第二基板的材质相同。散射结构分别设置于不同凹槽中。光提取层将可以用来增强有机发光二极管结构的出光效率。

【技术实现步骤摘要】
光提取层与其形成方法和有机发光二极管结构
本专利技术涉及一种光提取层与其形成方法和有机发光二极管结构。
技术介绍
有机发光二极管(OrganicLightEmittingDiode，OLED)为采用发光性的有机化合物的发光组件，具有自发光特性，且其薄型化、显示质量以及省电特性皆优于液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，LCD)。由于有机发光二极管具有广视角、高反应速度、超薄等特性，使得有机发光二极管面板应用范围越来越广泛。为了进一步改善有机发光二极管的各项特性，相关领域莫不费尽心思开发。如何能提供一种具有较佳特性的有机发光二极管，实属当前重要研发课题，也成为当前相关领域亟需改进的目标。
技术实现思路
本专利技术的一目的在于提供一种形成光提取层的方法，借此形成光提取层，其可以用来增强有机发光二极管结构的出光效率。根据本专利技术一实施方式提供的一种形成光提取层的方法，包含以下步骤。首先，在第一基板上形成阻挡层。接着，在阻挡层与第一基板中形成多个开口。然后，在开口中填充散射材料。再来，移除阻挡层，同时在第一基板上遗留散射材料。接着，平坦化基板与散射材料。最后，将第二基板接合于第一基板上。在本专利技术的一个或多个实施方式中，在移除阻挡层的步骤中，阻挡层为通过剥离方式移除。根据本专利技术另一实施方式提供的光提取层，光提取层包含第一基板、第二基板以及多个散射结构。第一基板具有多个凹槽。第二基板设置于第一基板上，其中第一基板直接接触第二基板，且第一基板与第二基板的材质相同。散射结构分别设置于不同凹槽中。在本专利技术的一个或多个实施方式中，凹槽的深度为20微米至50微米。在本专利技术的一个或多个实施方式中，凹槽的线宽为150微米至400微米。在本专利技术的一个或多个实施方式中，凹槽的线距为150微米至350微米。在本专利技术的一个或多个实施方式中，散射结构为透明有机材质混入多个金属氧化物微颗粒，其中金属氧化物微颗粒的尺寸为0.5微米至4微米，金属氧化物微颗粒在散射结构的重量百分浓度为5％至10％。在本专利技术的一个或多个实施方式中，金属氧化物微颗粒的材质为氧化铝或氧化锆。在本专利技术的一个或多个实施方式中，第一基板与第二基板的材质为玻璃。根据本专利技术又一实施方式提供的有机发光二极管结构，有机发光二极管结构包含前述的光提取层、第一电极层、发光结构以及第二电极层。第一电极层设置于光提取层上。发光结构设置于第一电极层上。第二电极层设置于发光结构上。设置于凹槽中的散射结构将可以使发光结构所发射的光线在经过时产生散射效应，于是这些光线的方向将能被导正，因而避免这些光线在经过第一基板与空气的交界面时因为全反射而无法射出第一基板。于是，有机发光二极管结构的出光效率将能有效增强。进一步来说，因为第一基板直接接触第二基板，且第一基板与第二基板的材质相同，所以发光结构所发射的光线在经过第一基板与第二基板之间的交界面时不会产生不必要的折射或全反射，因而避免出光效率受到干扰的情况，进而进一步增强有机发光二极管结构的出光效率。另外，因为第二基板直接接触第一基板，且第二基板为平整的基板，所以当第一电极层形成于第二基板上时，第一电极层为行成于一个平整的平面上。如此一来，第一电极层的制造良率将能有效提升，进而避免产生短路现象或电阻上升等不良现象。附图说明图1至图7绘示依照本专利技术一实施方式的光提取层在不同工艺步骤时的剖面示意图。图8绘示依照本专利技术一实施方式的光提取层的俯视示意图。图9绘示依照本专利技术一实施方式的有机发光二极管结构的剖面视示意图。图10绘示依照传统有机发光二极管结构与本专利技术不同实施例的有机发光二极管结构的辉度-线宽图。图11绘示依照传统有机发光二极管结构与本专利技术不同实施例的有机发光二极管结构的另一辉度-线距图。图12绘示依照本专利技术另一实施方式的光提取层的俯视示意图。图13绘示依照传统有机发光二极管结构与本专利技术不同实施例的有机发光二极管结构的又一辉度-线距图。具体实施方式以下将以附图公开本专利技术的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本专利技术。也就是说，在本专利技术部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化附图起见，一些公知惯用的结构与组件在附图中将以简单示意的方式绘示。图1至图7绘示依照本专利技术一实施方式的光提取层100在不同工艺步骤时的剖面示意图。本专利技术不同实施方式提供一种形成光提取层100的方法，借此形成光提取层100，其可以用来增强有机发光二极管结构的出光效率。如图1所绘示，提供第一基板110。具体而言，第一基板110的材质为透明绝缘材质。上述的第一基板110的材质可为玻璃。第一基板110的厚度可为约0.5毫米。如图2所绘示，在第一基板110上形成阻挡层120。具体而言，阻挡层120的材质可为高分子材质。上述的阻挡层120的材质可为聚二甲基硅氧烷(Polydimethylsiloxane，PDMS)。阻挡层120的厚度可为约300微米。在本实施方式中，阻挡层120为利用旋涂机涂布于第一基板110上，其中旋涂机的转速为控制于300rpm并维持10秒。如图3所绘示，在阻挡层120与第一基板110中形成多个开口120o，因而在第一基板110中形成多个凹槽120g。具体而言，凹槽120g的深度可为20微米至50微米，凹槽120g的线宽可为150微米至400微米，凹槽120g的线距可为150微米至350微米。在本实施方式中，开口120o为通过激光雕刻技术直接雕刻在阻挡层120上，且激光的能量为16瓦特，但并不限于此。在其他实施方式中，开口120o可以通过曝光显影与蚀刻的方式形成。如图4所绘示，在开口120o中填充散射材料130，因此散射材料130也填充于凹槽120g中。具体而言，散射材料130为透明有机材质均匀混入多个金属氧化物微颗粒。透明有机材质可为SU-8有机溶液。金属氧化物微颗粒的材质可为氧化铝或氧化锆。金属氧化物微颗粒的尺寸可为0.5微米至4微米。金属氧化物微颗粒在散射材料130的重量百分浓度可为5％至10％。在本实施方式中，首先先将散射材料130滴在第一基板110与阻挡层120上，接着使用旋涂机进行旋涂，其中旋涂机的转速为控制于300rpm并维持10秒，因而使散射材料130高度均匀。接着，以摄氏95度对于第一基板110、阻挡层120与散射材料130进行烘烤10分钟。然后，使用紫外线灯固化散射材料130。最后，以摄氏95度对于第一基板110、阻挡层120与散射材料130进行烘烤10分钟。如图5所绘示，移除阻挡层120，同时遗留至少部分散射材料130于第一基板110上。具体而言，遗留的散射材料130至少位于凹槽120g中。在本实施方式中，阻挡层120为通过剥离方式移除。于是，主要为位于开口120o中的散射材料130遗留下来。如图6所绘示，平坦化第一基板110与散射材料130，因而形成散射结构131于凹槽120g中。具体而言，平坦化时研磨台的转速维持150rpm，且研磨时间为20分钟。如图7所绘示，将第二基板140接合于第一基板110上，于是形成光提取层100。具体而言，第二基板140与第一基板110的材质相同。第二基板140的材质为透明绝缘材质。前述的第二基板140的材质可为玻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种形成光提取层的方法，其特征在于，包含：在第一基板上形成阻挡层；在所述阻挡层与所述第一基板中形成多个开口；在所述多个开口中填充散射材料；移除所述阻挡层，同时在所述第一基板上遗留所述散射材料；平坦化所述第一基板与所述散射材料；以及将第二基板接合于所述第一基板上。

【技术特征摘要】
1.一种形成光提取层的方法，其特征在于，包含：在第一基板上形成阻挡层；在所述阻挡层与所述第一基板中形成多个开口；在所述多个开口中填充散射材料；移除所述阻挡层，同时在所述第一基板上遗留所述散射材料；平坦化所述第一基板与所述散射材料；以及将第二基板接合于所述第一基板上。2.根据权利要求1所述的形成光提取层的方法，其特征在于，在移除所述阻挡层的步骤中，所述阻挡层为通过剥离方式移除。3.一种光提取层，其特征在于，包含：第一基板，其中所述第一基板具有多个凹槽；以及第二基板，设置于所述第一基板上，其中所述第一基板直接接触所述第二基板，且所述第一基板与所述第二基板的材质相同；以及多个散射结构，分别设置于所述多个凹槽中。4.根据权利要求3所述的光提取层，其特征在于，所述多个凹槽的深度为20微米至50微米。5.根据权利要求3所述的光提取层，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱创弘，简昭珩，简维成，陈岳豪，
申请(专利权)人：中华映管股份有限公司，大同大学，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71