一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备技术

本申请公开了一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备，涉及显示技术，在对应PIN器件的位置设置有去除全部或部分厚度的层间介质层所形成凹槽，源漏极层覆盖凹槽的底部和侧壁，PIN器件设置在凹槽中的源漏极层上，且PIN器件与覆盖凹槽侧壁的源漏极层之间设置有钝化层。由于PIN器件设置在凹槽中，凹槽中的PIN器件被源漏极层的金属保护，避免了环境光对PIN关态电流的影响，且具有钝化层对其侧壁进行保护，所以，后续的TFT制作过程中，不会使PIN器件的侧壁受损，进而提高显示器件的性能，提高显示效果；由于添加了光敏Sensor即PIN器件和光学补偿控制TFT，可以实现光学实时补偿，有效解决了EL器件亮度变化造成的显示Mura，提高了显示效果。

【技术实现步骤摘要】
一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备
本公开一般涉及显示技术，尤其涉及一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备。
技术介绍
现有的电路补偿方案是电学补偿，它只能对TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)阈值电压和迁移率变化造成的显示Mura(显示器亮度不均匀，造成各种痕迹的现象)进行补偿，但是无法应对OLED器件老化引起的亮度变化的补偿。虽然可以在panel(面板)出厂时对panel整体进行一次光学补偿，但无法解决伴随EL(electroluminescence，冷光片)效率衰减造成的Mura，即无法实现光学实时补偿。因此需要引入光学传感器内置补偿，即在OLED(OrganicLight-EmittingDiode，有机发光二极管)显示器件添加了PIN(光敏二极管P-I-N)器件，用于实时监控EL亮度变化，通过外围IC(integratedcircuit，集成电路)计算对panel进行实时光学补偿。通常做法是在做TFT过程中做光敏Sensor即PIN器件，在PIN制作完成后，TFT的后续制备过程中的湿刻工艺会对使PIN侧壁受损，造成PIN漏电流增大，影响显示器件的性能。
技术实现思路
鉴于现有技术中的上述缺陷或不足，期望提供涉及一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备，以提高显示器件的性能，提高显示效果。第一方面，本专利技术实施例提供一种光学传感器件，包括层间介质层、源漏极层和PIN器件，其中：对应PIN器件的位置设置有去除全部或部分厚度的层间介质层所形成凹槽，所述源漏极层覆盖所述凹槽的底部和侧壁，所述PIN器件设置在所述凹槽中的源漏极层上，且所述PIN器件与覆盖凹槽侧壁的源漏极层之间设置有钝化层。进一步，所述凹槽的深度小于或等于所述PIN器件的高度。更进一步，还包括缓冲层，设置在所述层间介质层下面；所述层间介质层厚度小于PIN器件的高度时，所述凹槽为去除全部厚度的层间介质层和全部或部分厚度的缓冲层形成的凹槽。第二方面，本专利技术实施例提供一种光学传感器件制作方法，包括：在对应PIN器件的位置去除全部或部分厚度的层间介质层材料形成凹槽；沉积源漏极层，所述源漏极层覆盖所述凹槽的底部和侧壁；在所述源漏极层上制作钝化层图形，所述钝化层图形覆盖所述凹槽的侧壁；在所述凹槽中的源漏极层上制作PIN器件；图形化所述源漏极层。进一步，凹槽的深度小于或等于PIN器件的高度。进一步，当所述层间介质层厚度小于PIN器件的高度时，在对应PIN器件的位置去除全部或部分厚度的层间介质层材料形成凹槽，具体包括：在对应PIN器件的位置去除全部厚度的层间介质层材料和全部或部分厚度的缓冲层材料形成凹槽。进一步，所述在所述凹槽中的源漏极层上制作PIN器件，具体包括：依次沉积N区、I区、P区三种半导体材料；在所述P区上沉积第一透明导电层；图形化形成PIN器件。第三方面，本专利技术实施例提供一种显示器件，包括如第一方面中所述的光学传感器件。进一步，还包括：设置在所述光学传感器件上的黑矩阵；覆盖PIN器件并部分覆盖所述黑矩阵的彩膜；设置在所述黑矩阵和所述彩膜上的有机覆盖层；设置在所述有机覆盖层上的隔垫物层；设置在所述隔垫物层上的辅助电极；以及覆盖所述有机覆盖层、所述隔垫物层和所述辅助电极的透明阴极。第四方面，本专利技术实施例提供一种显示设备，包括如第一方面中所述的光学传感器件。进一步，该显示设备为顶发射显示设备或者底发射显示设备。本专利技术实施例提供一种光学传感器件及其制作方法、显示器件、显示设备，在对应PIN器件的位置设置有去除全部或部分厚度的层间介质层所形成凹槽，源漏极层覆盖凹槽的底部和侧壁，PIN器件设置在凹槽中的源漏极层上，且PIN器件与覆盖凹槽侧壁的源漏极层之间设置有钝化层。由于PIN器件设置在凹槽中，凹槽中的PIN器件被源漏极层的金属保护，避免了环境光对PIN关态电流的影响，且具有钝化层对其侧壁进行保护，所以，后续的TFT制作过程中，不会使PIN器件的侧壁受损，进而提高显示器件的性能，提高显示效果。在显示器件中添加该具有光敏Sensor即PIN器件和光学补偿控制TFT的光学传感器件，可以实现光学实时补偿，有效解决了EL器件亮度变化造成的显示Mura，提高了显示效果。附图说明通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本申请的其它特征、目的和优点将会变得更明显：图1为本专利技术实施例提供的光学传感器件结构示意图；图2为本专利技术实施例提供的光学传感器件制作方法流程图；图3为本专利技术实施例提供的具体实施例中光学传感器件制作方法流程图；图4-图8为本专利技术实施例提供的在制作过程中的光学传感器件结构示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本申请作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释相关专利技术，而非对该专利技术的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与专利技术相关的部分。需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本申请。请参考图1，本专利技术实施例提供一种光学传感器件，包括层间介质层7、源漏极层8和PIN器件10，其中：对应PIN器件10的位置设置有去除全部或部分厚度的层间介质层7所形成凹槽，源漏极层8覆盖凹槽的底部和侧壁，PIN器件10设置在凹槽中的源漏极层8上，且PIN器件10与覆盖凹槽侧壁的源漏极层8之间设置有钝化层9。由于PIN器件10设置在凹槽中，凹槽中的PIN器件10被源漏极层8的金属保护，避免了环境光对PIN关态电流的影响，且具有钝化层9对其侧壁进行保护，所以，后续的TFT制作过程中，不会使PIN器件10的侧壁受损，进而提高显示器件的性能，提高显示效果。在显示器件中添加该具有光敏Sensor即PIN器件和光学补偿控制TFT的光学传感器件，可以实现光学实时补偿，有效解决了EL器件亮度变化造成的显示Mura，提高了显示效果。凹槽的深度小于或等于PIN器件的高度较佳，凹槽的深度大于或等于PIN器件的高度时，凹槽能更好的保护PIN器件10的侧壁，但凹槽的深度大于PIN器件的高度时，容易导致PIN器件10上面的第一透明导电层19与源漏极层8发生短路，所以，当较难做到凹槽的深度等于PIN器件的高度时，凹槽的深度可以略小于PIN器件的高度。进一步，层间介质层7下面设置有缓冲层3，若层间介质层7厚度小于PIN器件的高度，可以在去除全部厚度的层间介质层7的基础上，进一步去除全部或部分厚度的缓冲层3，从而增加凹槽的深度。本专利技术实施例还相应提供一种光学传感器件制作方法，如图2所示，包括：步骤S201、在对应PIN器件的位置去除层间介质层材料形成凹槽；步骤S202、沉积源漏极层，源漏极层覆盖凹槽的底部和侧壁；步骤S203、在源漏极层上制作钝化层图形，钝化层图形覆盖凹槽的侧壁；步骤S204、在凹槽中的源漏极层上制作PIN器件；步骤S205、图形化源漏极层。由于PIN器件设置在凹槽中，且具有钝化层对其侧壁进行保护，所以，后续的TFT制作过程中，不会对PIN器件的侧壁受损，进而提高显示器件的性能，提高显示效果。同时，由于PIN器件材料采用是非晶硅参杂形成P区、I区、N区，但是在制备PIN器件的过程中会引入大量的H(氢本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光学传感器件，其特征在于，包括层间介质层、源漏极层和PIN器件，其中：对应PIN器件的位置设置有去除全部或部分厚度的层间介质层所形成凹槽，所述源漏极层覆盖所述凹槽的底部和侧壁，所述PIN器件设置在所述凹槽中的源漏极层上，且所述PIN器件与覆盖凹槽侧壁的源漏极层之间设置有钝化层。

【技术特征摘要】
1.一种光学传感器件，其特征在于，包括层间介质层、源漏极层和PIN器件，其中：对应PIN器件的位置设置有去除全部或部分厚度的层间介质层所形成凹槽，所述源漏极层覆盖所述凹槽的底部和侧壁，所述PIN器件设置在所述凹槽中的源漏极层上，且所述PIN器件与覆盖凹槽侧壁的源漏极层之间设置有钝化层。2.如权利要求1所述的光学传感器件，其特征在于，所述凹槽的深度小于或等于所述PIN器件的高度。3.如权利要求1所述的光学传感器件，其特征在于，还包括缓冲层，设置在所述层间介质层下面；所述层间介质层厚度小于PIN器件的高度时，所述凹槽为去除全部厚度的层间介质层和全部或部分厚度的缓冲层形成的凹槽。4.一种光学传感器件制作方法，其特征在于，包括：在对应PIN器件的位置去除全部或部分厚度的层间介质层材料形成凹槽；沉积源漏极层，所述源漏极层覆盖所述凹槽的底部和侧壁；在所述源漏极层上制作钝化层图形，所述钝化层图形覆盖所述凹槽的侧壁；在所述凹槽中的源漏极层上制作PIN器件；图形化所述源漏极层。5.如权利要求4的方法，其特征在于，凹槽的...

【专利技术属性】
技术研发人员：王国英，宋振，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11