半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。该半导体器件，包括基于所述衬底制作的半导体层、基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极、以及基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极。该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。在该半导体器件中，肖特基源极与欧姆漏极可以构成肖特基二极管。在欧姆源极为高电位，欧姆漏极为低电位时，肖特基源极与欧姆漏极构成的肖特基二极管正向开启，形成续流回路。在需要用二极管进行续流的电路中，无需外接续流二极管，可通过自带的肖特基二极管实现续流功能，降低电路成本，使电路尺寸更小，同时降低电路设计难度，降低损耗。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件及其制造方法
本专利技术属于微电子
，具体而言，涉及一种半导体器件及其制造方法。
技术介绍
氮化镓半导体器件由于其材料和异质结具有的高临界击穿电场，高载流子浓度和高迁移率使其在电力电子领域受到广泛关注。同时由于氮化镓HEMT(HighElectronMobilityTransistor，高电子迁移率晶体管)器件是通过控制栅极电压来控制栅下二维电子气(2DEG)的浓度实现器件开关。氮化镓HEMT器件与MOSFET(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，金属氧化物半导体场效应晶体管)相比没有寄生的PN结，在需要用体二极管进行续流的电路(如桥式和LLC等电路)中应用受到限制。若采用电路外接续流二极管，会增加成本、尺寸和设计难度。在氮化镓cascode(共源共栅)增强型器件结构中，由于低压MOS具有寄生的PN结二极管结构，可以用在需要续流的电路中。但是由于PN结二极管反向恢复时间长，开启电压大，导致损耗增加，频率低。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提供一种半导体器件及其制造方法，可以解决上述问题。为了实现上述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；基于所述衬底制作的半导体层；基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极；基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极，该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底；基于所述衬底制作的半导体层；基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极；基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基源极，该肖特基源极和所述欧姆源极电连接。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基源极制作于所述半导体层上与所述欧姆源极、欧姆漏极以及栅极相对的一侧，与所述衬底接触。3.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基源极制作于所述半导体层上远离所述衬底的一侧，位于与所述欧姆漏极与栅极之间。4.根据权利要求3所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括沟道层和势垒层，该沟道层和势垒层之间形成二维电子气，所述欧姆漏极穿过所述势垒层与所述二维电子气接触。5.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基源极制作于所述半导体层上远离所述衬底的一侧，位于所述欧姆漏极远离所述栅极的一端，使所述欧姆漏极位于所述栅极和所述肖特基源极之间。6.根据权利要求5所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括沟道层和势垒层，该沟道层和势垒层之间形成二维电子气，所述肖特基源极穿过所述势垒层与所述二维电子气接触。7.根据权利要求1-6任意一项所述的半导体器件，其特征在于，所述肖特基源极和所述欧姆源极通过封装键合形成电连接，或者通过金属走线形...

【专利技术属性】
技术研发人员：邓光敏，裴轶，朱永生，
申请(专利权)人：苏州捷芯威半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32