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本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及微电子技术领域。该半导体器件，包括基于所述衬底制作的半导体层、基于半导体层制作的欧姆源极、欧姆漏极以及位于欧姆源极和欧姆漏极之间的栅极、以及基于所述半导体层制作并与该半导体层形成肖特基接触的肖特基...
该专利属于苏州捷芯威半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过苏州捷芯威半导体有限公司授权不得商用。

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