一种物理与化学相结合恢复GaN-LED用蓝宝石图形衬底的方法技术

一种物理与化学相结合恢复GaN‑LED用蓝宝石图形衬底的方法，包括如下步骤：a)将废外延片高温烘烤；b)在丙酮溶液中超声处理；c)在乙醇溶液中超声处理10min；d)在硫酸与双氧水混合溶液中清洗；e)ICP刻蚀；f)在丙酮溶液中超声处理；g在乙醇溶液中超声处理。采用高温炉物理烘烤的办法去除GaN层，对蓝宝石衬底没有任何损伤，然后湿法清洗衬底表面，再用感应耦合等离子体刻蚀（ICP），

【技术实现步骤摘要】
一种物理与化学相结合恢复GaN-LED用蓝宝石图形衬底的方法
本专利技术涉及光电子制造
，具体涉及一种物理与化学相结合恢复GaN-LED用蓝宝石图形衬底的方法。
技术介绍
在半导体光电子领域中，GaN材料的外延层主要是生长在蓝宝石衬底上，蓝宝石衬底有许多的优点：首先，蓝宝石的稳定性很好；其次，蓝宝石衬底的生产应用成熟、质量较好，能够运用在高温生长过程中；最后，蓝宝石的机械硬度高，易于处理和清洗，因此大多数GaN-LED采用蓝宝石衬底生长。但蓝宝石衬底上生长GaN材料，有个最大的问题是表面出光问题，虽然GaN基LED已经产业化，但是芯片出光效率低的问题仍然没有很好的解决。根据GaN基LED的发光性质来看，一般用来提高GaN基LED的发光效率主要有两种途径，一种是提高其内量子效率，一种是提高其外量子效率。由于GaN功率型LED材料一般都是采用MOCVD的外延生长和多量子阱的结构，但是提升内量子效率不明显。经研究发现图形化蓝宝石衬底，简称PSS（PatternedSapphireSubstrate）结构的衬底使朝下的光的传播方向从几乎规定的方向到任意方向能有效提高LED的出光效率。P本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种物理与化学相结合恢复GaN‑LED用蓝宝石图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将废外延片在高温炉中以1000‑2000℃的高温环境下烘烤3‑6小时；b)将烘烤后的外延片从高温炉中取出后放入丙酮溶液中超声处理10min；c)将处理后的外延片利用纯水冲净后放入乙醇溶液中超声处理10min；d)将外延片置入体积比为1:1‑1:3的硫酸与双氧水混合溶液中清洗20min后利用纯水冲净；e)利用感应耦合等离子体刻蚀机在

【技术特征摘要】
1.一种物理与化学相结合恢复GaN-LED用蓝宝石图形衬底的方法，其特征在于，包括如下步骤：a)将废外延片在高温炉中以1000-2000℃的高温环境下烘烤3-6小时；b)将烘烤后的外延片从高温炉中取出后放入丙酮溶液中超声处理10min；c)将处理后的外延片利用纯水冲净后放入乙醇溶液中超声处理10min；d)将外延片置入体积比为1:1-1:3的硫酸与双氧水混合溶液中清洗20min后利用纯水冲净；e)利用感应耦合等离子体刻蚀机在与混合气体环境下对外延片进行刻蚀10-30S；f)将刻蚀完毕的外延片在丙酮溶液中...

【专利技术属性】
技术研发人员：马旺，王成新，肖成峰，
申请(专利权)人：山东浪潮华光光电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37