腔室清洁方法、基板处理方法和基板处理装置制造方法及图纸

提供用于清洁腔室的装置和方法。一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法包括：通过向处理空间中供应清洁介质来清洁腔室。清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。相对于非极性污染物和极性污染物，腔室的清洁效率得以改善。

【技术实现步骤摘要】
腔室清洁方法、基板处理方法和基板处理装置
本专利技术的实施方式涉及用于清洁腔室的装置和方法。
技术介绍
为了制造半导体器件，通过诸如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积等各种工序在基板上形成期望的图案。在这些工序中使用各种处理液，并且在工序中产生污染物和颗粒。为了解决该问题，在每个工序之前和之后必要地进行用于清洁污染物和颗粒的清洁工序。通常，在通过化学品或冲洗液进行清洁工序之后，进行干燥工序。干燥工序是用于干燥残留在基板上的冲洗液，通过使用有机溶剂例如异丙醇(IPA)使基板干燥。然而，形成在基板上的图案之间的临界尺寸(CD)被减小到细小尺寸，有机溶剂残留在图案之间的空间中，并且进行超临界处理工艺以除去残留的有机溶剂。超临界处理工艺在与外部隔离的高温高压气氛下进行。因此，超临界处理设备具有复杂的结构。如果污染物存在于设备的复杂结构内部，则可能会对基板造成重大故障。因此，为了除去污染物，必须定期进行清洁工序。超临界处理设备进行清洁过程，用于对装配后的设备进行老化或冲洗，或者用于除去在进行超临界处理工序之后在设备中残留的污染物。图1是示出在装配的超临界处理设备的内部空间中残留的颗粒的截面图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法，所述方法包括：通过向所述处理空间中供应清洁介质来清洁所述腔室，其中所述清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。

【技术特征摘要】
2017.05.02 KR 10-2017-00563671.一种用于清洁具有用于处理基板的处理空间的腔室的方法，所述方法包括：通过向所述处理空间中供应清洁介质来清洁所述腔室，其中所述清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。2.根据权利要求1所述的方法，其中将所述有机溶剂从所述腔室的外部供应到虚设基板上，并且其中具有以特定厚度供应的有机溶剂的所述虚设基板被设置在所述处理空间中。3.根据权利要求2所述的方法，其中，在所述虚设基板被设置在所述处理空间中并且所述处理空间与所述外部隔绝的状态下，通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间。4.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述处理空间向所述外部打开的状态下，将所述有机溶剂从设置在所述腔室外部的溶剂喷嘴供应到所述处理空间中。5.根据权利要求4所述的方法，其中，在将所述有机溶剂供应到所述处理空间中之后将所述处理空间与所述外部隔绝，然后通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间中。6.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述处理空间与所述外部隔绝的状态下，通过与所述腔室连接的溶剂供应管线将所述有机溶剂供应到所述处理空间中。7.根据权利要求6所述的方法，其中，在所述处理空间与所述外部隔绝的状态下，通过与所述腔室连接的流体供应管线将所述超临界流体供应到所述处理空间中，其中所述溶剂供应管线与所述流体供应管线连接，并且其中通过所述流体供应管线将所述有机溶剂供应到所述处理空间。8.根据权利要求7所述的方法，其中同时供应所述有机溶剂和所述超临界流体。9.根据权利要求1至8中任一项所述的方法，其中所述腔室是用于对所述基板进行超临界处理工序的高压腔室。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述超临界流体包括二氧化碳(CO2)。11.根据权利要求10所述的方法，其中所述有机溶剂包括甲醇、乙醇、1-丙醇、丙酮、乙腈、氯仿、二氯甲烷和乙酸乙酯中的一种。12.一种处理基板的方法，所述方法包括：清洁其中具有处理空间的腔室的内部；和通过向所述处理空间中供应超临界流体来处理所述基板，其中所述清洁腔室的内部包括：通过向所述处理空间供应清洁介质来清洁所述腔室，并且其中所述清洁介质包括具有非极性的超临界流体和具有极性的有机溶剂。13.根据权利要求12所述的方法，其中对所述基板的所述处理包括：干燥所述基板。14.根据权利要求12所述的方法，其中所述清洁腔室的内部还包括：从...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑镇优，李暎熏，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR