导电性粒子、导电材料及连接结构体制造技术

本发明专利技术提供一种能够降低电极间的连接电阻的导电性粒子。本发明专利技术的导电性粒子(1)具备：基体材料粒子(2)、包覆基体材料粒子(2)的导电层(3)、及埋入导电层(3)内的多个芯物质(4)。导电层(3)在外侧表面具有多个突起(3a)。在导电层(3)的突起(3a)的内侧配置有芯物质(4)。基体材料粒子(2)的表面和芯物质(4)的表面隔开距离。基体材料粒子(2)的表面和芯物质(4)的表面之间的平均距离超过5nm。

【技术实现步骤摘要】
导电性粒子、导电材料及连接结构体本申请是中国申请号为201280040642.3，申请日为2012年12月19日，专利技术名称为“导电性粒子、导电材料及连接结构体”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及在基体材料粒子的表面上配置有导电层的导电性粒子，更详细而言，涉及例如可以用于电极间的电连接的导电性粒子。另外，本专利技术涉及使用上述导电性粒子的导电材料及连接结构体。
技术介绍
各向异性导电糊及各向异性导电膜等各向异性导电材料已广为人知。就该各向异性导电材料而言，在粘合剂树脂中分散有导电性粒子。上述各向异性导电材料可用于IC芯片和挠性印刷电路基板的连接、及IC芯片和具有ITO电极的电路基板的连接等。例如，可以通过在将各向异性导电材料配置于IC芯片的电极和电路基板的电极之间之后进行加热及加压，来实现这些电极的电连接。作为上述导电性粒子的一个例子，在下述专利文献1中公开了一种导电性粒子，其通过在平均粒径1～20μm的球状基体材料粒子的表面利用非电解镀法形成镍导电层或镍合金导电层而得到。该导电性粒子在导电层的最表层具有0.05～4μm的微小突起。该导电层与该突起实质上连续地相连。在下述专利文献2中公开了一种导电性粒子，其具备：塑料核体、覆盖该塑料核体的高分子电解质层、经由该高分子电解质层吸附于上述塑料核体的金属粒子、以及以覆盖该金属粒子的方式形成于上述塑料核体周围的非电解金属镀层。在下述专利文献3中公开了一种导电性粒子，其在基体材料粒子的表面形成有含有镍及磷的镀金属被膜层和金层的多层导电层。在该导电性粒子中，在基体材料粒子的表面上配置有芯物质，该芯物质被导电层包覆。由于芯物质的存在，导电层隆起，在导电层的表面形成有突起。现有技术文献专利文献专利文献1：(日本)特开2000-243132号公报专利文献2：(日本)特开2011-108446号公报专利文献3：(日本)特开2006-228475号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题在上述专利文献1～3中公开了在导电层的外侧表面具有突起的导电性粒子。在由导电性粒子连接的电极及导电性粒子的导电层的表面大多形成有氧化被膜。形成上述导电层的突起的目的在于，在经由导电性粒子将电极间压合时，排除电极及导电性粒子表面的氧化被膜，使导电层和电极接触。但是，在使用导电层的外侧表面具有突起的现有的导电性粒子将电极间连接的情况下，有时不能充分排除电极及导电性粒子表面的氧化被膜，连接电阻变高。本专利技术的目的在于提供一种在将电极间连接而得到连接结构体的情况下，能够降低电极间的连接电阻的导电性粒子以及使用了该导电性粒子的导电材料及连接结构体。解决问题的方法根据本专利技术的宽泛方面，可提供一种导电性粒子，其具备：基体材料粒子、包覆该基体材料粒子的导电层、以及埋入该导电层内的多个芯物质，上述导电层在外侧表面具有多个突起，在上述导电层的上述突起的内侧配置有上述芯物质，在上述基体材料粒子和上述芯物质之间配置有上述导电层，上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面隔开距离，且上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm。在本专利技术的导电性粒子的某个特定方面中，上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm且为800nm以下。在本专利技术的导电性粒子的某个特定方面中，在上述芯物质的总个数100％中，上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面之间的距离超过5nm的芯物质的个数的比例超过80％且为100％以下。在本专利技术的导电性粒子的某个特定方面中，上述芯物质中含量最多的金属元素和上述导电层中含量最多的金属元素相同。在本专利技术的导电性粒子的其它特定方面中，上述导电层具备：包覆上述基体材料粒子的第一导电层、和包覆上述第一导电层及上述芯物质的第二导电层，上述芯物质配置于上述第一导电层的表面上且埋入上述第二导电层内，上述第二导电层在外侧表面具有多个突起，在上述第二导电层的上述突起的内侧配置有上述芯物质，在上述基体材料粒子和上述芯物质之间配置有上述第一导电层。在本专利技术的导电性粒子的另一特定方面中，上述芯物质中含量最多的金属元素和上述第二导电层中含量最多的金属元素相同。在本专利技术的导电性粒子的又一特定方面中，上述导电层为单层的导电层。在本专利技术的导电性粒子的其它特定方面中，上述芯物质为金属粒子。在本专利技术的导电性粒子的其它特定方面中，其还具备附着于上述导电层表面的绝缘物质。本专利技术的导电材料含有上述导电性粒子和粘合剂树脂。本专利技术的连接结构体具备：第一连接对象部件、第二连接对象部件、连接该第一、第二连接对象部件的连接部，该连接部由上述导电性粒子形成、或由含有该导电性粒子和粘合剂树脂的导电材料形成。专利技术的效果本专利技术的导电性粒子具备基体材料粒子、包覆该基体材料粒子的导电层、及埋入该导电层内的多个芯物质，上述导电层在外侧表面具有突起，在上述导电层的上述突起的内侧配置有上述芯物质，在上述基体材料粒子和上述芯物质之间配置有上述导电层，上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面隔开距离，上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm，因此，在将本专利技术的导电性粒子用于电极间的连接时，能够降低电极间的连接电阻。附图说明图1为剖视图，示出了本专利技术第一实施方式的导电性粒子；图2为剖视图，示出了本专利技术第二实施方式的导电性粒子；图3为剖视图，示出了本专利技术第三实施方式的导电性粒子；图4为正面剖视图，示意性地示出了使用了本专利技术第一实施方式的导电性粒子的连接结构体。符号说明1…导电性粒子2…基体材料粒子3…导电层3a…突起3b…导电层部分4…芯物质5…绝缘物质11…导电性粒子12…导电层12a…突起12b…导电层部分16…第一导电层17…第二导电层17a…突起21…导电性粒子22…导电层22a…突起22b…导电层部分26…第一导电层27…第二导电层27a…突起28…第三导电层28a…突起51…连接结构体52…第一连接对象部件52a…上表面52b…电极53…第二连接对象部件53a…下表面53b…电极54…连接部具体实施方式以下，对本专利技术的详情进行说明。本专利技术的导电性粒子具备：基体材料粒子、包覆该基体材料粒子的导电层、及埋入该导电层内的多个芯物质。上述导电层在外侧表面具有多个突起。在上述导电层的上述突起的内侧配置有上述芯物质。在上述基体材料粒子和上述芯物质之间配置有上述导电层。上述导电层的一部分区域配置于上述基体材料粒子和上述芯物质之间。上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面隔开距离。上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm。在由导电性粒子连接的电极表面上大多形成有氧化被膜。而且，在上述导电层的外侧表面上大多形成有氧化被膜。上述导电层在外侧表面具有多个突起，由此，通过在电极间配置导电性粒子后进行压合，可利用突起而排除氧化被膜。因此，可使电极和导电性粒子接触，能够降低电极间的连接电阻。另外，在本专利技术的导电性粒子中，由于在上述基体材料粒子和上述芯物质之间配置有上述导电层，上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面隔开距离，且上述基体材料粒子的表面和上述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm，因此，在电极间压缩导电性粒子时，芯物质不易被压入基体材料粒子，芯物质的部分区域不易嵌入基体材料粒子内。特别是，即使基体材本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导电性粒子，其具备：基体材料粒子、包覆所述基体材料粒子的导电层、以及埋入所述导电层内的多个芯物质，所述导电层在外侧的表面具有多个突起，在所述导电层的所述突起的内侧配置有所述芯物质，在所述基体材料粒子和所述芯物质之间配置有所述导电层，所述基体材料粒子的表面和所述芯物质的表面隔开距离，所述基体材料粒子的表面和所述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm。

【技术特征摘要】
2011.12.21 JP 2011-280082;2011.12.21 JP 2011-280081.一种导电性粒子，其具备：基体材料粒子、包覆所述基体材料粒子的导电层、以及埋入所述导电层内的多个芯物质，所述导电层在外侧的表面具有多个突起，在所述导电层的所述突起的内侧配置有所述芯物质，在所述基体材料粒子和所述芯物质之间配置有所述导电层，所述基体材料粒子的表面和所述芯物质的表面隔开距离，所述基体材料粒子的表面和所述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm。2.根据权利要求1所述的导电性粒子，其中，所述基体材料粒子的表面和所述芯物质的表面之间的平均距离超过5nm且为800nm以下。3.根据权利要求1或2所述的导电性粒子，其中，在所述芯物质的总个数100％中，所述基体材料粒子的表面和所述芯物质的表面之间的距离超过5nm的芯物质的个数的比例超过80％且为100％以下。4.根据权利要求1～3中任一项所述的导电性粒子，其中，所述芯物质中含量最多的金属元素和所述导电层中含量最多的金属元素相同。5.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：西冈敬三，
申请(专利权)人：积水化学工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP