光罩的制造方法技术

一种光罩的制造，方法包含沉积第一吸收层在基材上、利用光阻图案化第一吸收层，以及沿着第一吸收层的表面，沉积共形第二吸收层。

【技术实现步骤摘要】
光罩的制造方法
本揭露涉及一种光罩的制造方法，特别是关于一种光罩及其制造方法。
技术介绍
光微影(photolithography)是使用于半导体装置的制程中，以转移图案至晶圆上。为了转移较小的图案至晶圆的表面，根据各种集成电路(integratedcircuit，IC)布局，以例如2：1、4：1或5：1的比例减少遮罩的图案。遮罩[也可称为光罩(reticle)]是由透明基材所制成，其中透明基材为具有一或多种不透明材料沉积在一侧上，以阻挡入射光线。当IC芯片的密度增加，开发分辨率提升技术，例如相位移遮罩(phase-shiftmask，PSM)、光学邻近校正(opticalproximitycorrection，OPC)、偏轴照射(off-axisillumination，OAI)及双偶极微影(doubledipolelithography，DDL)，以优化焦点深度(depthoffocus，DOF)及/或达成转移更精准的图案至晶圆上。
技术实现思路
本揭露的一实施例提供一种光罩的制造方法。方法包含沉积第一吸收层在基材上、利用光阻图案化第一吸收层，以及沿着第一吸收层的表面，沉积共形第二吸收层。以下结合附图和具体实施例对本专利技术进行详细描述，但不作为对本专利技术的限定。附图说明根据以下详细说明并配合附图阅读，使本揭露的实施例获致较佳的理解。需注意的是，如同业界的标准作法，许多特征并不是按照比例绘示的。事实上，为了进行清楚讨论，许多特征的尺寸可以经过任意缩放。图1A是绘示根据一或多个实施例的光罩的制造方法的流程图；图1B是绘示根据一或多个实施例的光罩的制造方法的流程图；图2A至图2E是绘示根据一或多个实施例的在制程各阶段的光罩的剖面视图；图3是绘示根据一或多个实施例的光罩的剖面视图；图4是绘示根据一或多个实施例的光罩的制造方法的流程图；图5A是绘示根据一或多个实施例的在光罩上的布局图案的俯视图；图5B是绘示根据一或多个实施例的在光罩上的布局图案的俯视图；图6是绘示根据一或多个实施例的制造光罩的集成电路设计系统的示意图图7是绘示根据一些实施例的集成电路制造系统的方框图及其相关集成电路制造流程图。其中，附图标记100A/100B：方法110：沉积反射多层在基材上120A：形成第一吸收层在基材上120B：形成第一吸收层在反射多层上130：利用光阻图案化第一吸收层140：沿着第一吸收层的暴露表面形成第二吸收层150：移除基材的部分160：沉积相位移器在第二吸收层及基材上200/300：光罩210/310：基材220/320：第一吸收层230：光阻240：电子束写入技术250/350：第二吸收层260：凹陷270：相位移器380：反射多层390：覆盖层400：方法410：接收代表第一布局图案的布局数据420：是否违反第n个设计规则？430：产生第二布局图案440：是否所有设计规则皆已检查且通过？450：继续进行第(n+1)个设计规则460：形成第一吸收层在基材上500A/500B：光罩510：基材520：第一吸收层525：开口528/528a/528b：图案550P/550Q：图案组555：开口600：系统602：处理器604：记忆体606：电脑程序码607：指令608：母线610：输入/输出接口612：网络接口614：网络616：第n个设计规则618：第(n+1)个设计规则620：元件数据库622：布局700：集成电路制造系统720：设计厂722：集成电路设计730：光罩厂732：数据准备744：光罩制作750：晶圆厂752：晶圆760：集成电路装置H222/H232/H252：厚度W254：宽度S256：间距S521/S523/S527/S551/S553/S557：间距具体实施方式以下揭露提供许多不同实施例或例示，以实施专利技术的不同特征。以下叙述的成份和排列方式的特定例示是为了简化本揭露。这些当然仅是做为例示，其目的不在构成限制。举例而言，第一特征形成在第二特征之上或上方的描述包含第一特征和第二特征有直接接触的实施例，也包含有其他特征形成在第一特征和第二特征之间，以致第一特征和第二特征没有直接接触的实施例。许多特征的尺寸可以不同比例绘示，以使其简化且清晰。除此之外，本揭露在各种例示中会重复元件符号及/或字母。此重复的目的是为了简化和明确，并不表示所讨论的各种实施例及/或配置之间有任何关系。再者，空间相对性用语，例如「下方(beneath)」、「在…之下(below)」、「低于(lower)」、「在…之上(above)」、「高于(upper)」等，是为了易于描述图式中所绘示的元素或特征和其他元素或特征的关系。空间相对性用语除了图式中所描绘的方向外，还包含元件在使用或操作时的不同方向。半导体装置特征尺寸已小于用于微影制程的光波长。因此，制造图案特征[例如：临界尺寸(criticaldimension，CD)均匀性以及图像保真度(imagefidelity)]的能力已变得对光罩(photomask)[也可称为光罩(reticle)]的最小尺寸及线宽粗糙度(linewidthroughness，LWR)更敏感。在一些实施例中，光罩的最小尺寸是藉由吸收层在透明基材上的多沉积技术而减少。在一些例示中，初始形成的吸收层是接着沉积后续的吸收层。此后续的沉积包含例如无电式电镀法(electrolessplating)或原子层沉积法(atomiclayerdeposition，ALD)的同向性堆积技术(isotropicaccretiontechnique)。因此，相较于其他技术，光罩的关键部分的能力是增加的，在与其他方法比较之下，藉此可优化光罩的产量。除此之外，因为初始形成的吸收层具有相对较小的厚度，在蚀刻吸收层时的制程时间较短，导致较小的线宽粗糙度及优化在吸收层的开口的倾斜角度。较小的线宽粗糙度及优化的倾斜角度可在后续沉积中维持，因此，相较于藉由其他方法制造的吸收层，利用多沉积的光罩是具有较佳的临界尺寸均匀性以及图像保真度。图1A是根据一或多个实施例的光罩的制造方法100A的流程图。本领域中具有通常知识者应理解的是，在一些例示中，额外的操作可在图1A所绘示的方法100A之前、之间及/或之后进行。方法100A包含操作120A，形成第一吸收层在基材上。在一些实施例中，吸收层的厚度范围为约100埃至约在一些例示中，较小的厚度会增加沉积制程的困难度。在一些例示中，较大的厚度会减少后续沉积制程的制程窗(processwindow)。制程窗是由边界值所建立，例如半导体制程的参数中可接受的或稳定数值的范围。在至少一实施例中，沉积第一吸收层是利用无电式电镀法，也可称为化学电镀或自催化电镀。藉由利用含金属离子(例如铬离子、镍离子、钴离子或钌离子)的电镀溶液进行无电式电镀法。电镀溶液更包含例如钯的催化剂、pH缓冲液、pH调节剂、润湿剂及例如次磷酸钠的还原剂。还原剂与金属离子反应，藉以沉积第一吸收层在基材上。相较于其他方法，藉由无电式电镀法形成的第一吸收层是较共形且均匀，并对后续形成在第一吸收层上的层提供良好的附着性。在金属离子为铬离子的一些实施例中，包含于电镀溶液中的金属离子是由铬盐(例如铬明矾或硫酸铬)所提供。根据预先决定的吸收层厚度，电镀本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光罩的制造方法，其特征在于，该方法包含：沉积一第一吸收层在一基材上；利用一光阻图案化该第一吸收层；以及沿着该第一吸收层的多个表面，沉积一共形第二吸收层。

【技术特征摘要】
2017.05.04 US 15/586,5991.一种光罩的制造方法，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：周友华，庄国胜，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71