本实用新型专利技术公开了一种电磁加热装置的控制电路及电磁加热装置。该控制电路包括：至少一个绝缘栅双极型晶体管；至少一个驱动使能单元，一个驱动使能单元对应连接一个驱动电路以及一个绝缘栅双极型晶体管，用于控制与其连接的绝缘栅双极型晶体管的通断；控制单元，与至少一个驱动电路连接，用于产生驱动信号，以控制至少一个绝缘栅双极型晶体管中的目标绝缘栅双极型晶体管的工作；同步使能单元，分别与控制单元以及至少一个绝缘栅双极型晶体管同步电路支路连接，用于切断除目标绝缘栅双极型晶体管之外的绝缘栅双极型晶体管的漏极电压对驱动信号的影响。本实用新型专利技术解决了相关技术中的多段电磁加热装置中控制多个IGBT的控制资源不够的技术问题。
【技术实现步骤摘要】
电磁加热装置的控制电路及电磁加热装置
本技术涉及电子领域，具体而言，涉及一种电磁加热装置的控制电路及电磁加热装置。
技术介绍
目前，多段电磁加热装置(例如多段电磁加热饭煲)通常涉及多个绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称为IGBT)的控制，但是，多段电磁加热装置中的处理器内通常只有一个IGBT控制资源，例如包括IGBT驱动端口、同步触发信号等驱动资源，因此要用一个IGBT控制资源控制多个IGBT，控制资源不够，也就是说，相关技术中的多段电磁加热装置中控制多个IGBT的控制资源不够。针对相关技术中的多段电磁加热装置中控制多个IGBT的控制资源不够的问题，目前尚未提出有效的解决方案。
技术实现思路
本技术实施例提供了一种电磁加热装置的控制电路及电磁加热装置，以至少解决相关技术中的多段电磁加热装置中控制多个IGBT的控制资源不够的技术问题。根据本技术实施例的一个方面，提供了一种电磁加热装置的控制电路，包括：至少一个绝缘栅双极型晶体管；至少一个驱动使能单元，其中，一个所述驱动使能单元对应连接一个驱动单元，一个所述驱动单元对应连接一个所述绝缘栅双极型晶体管，所述驱动使能单元用于控制与其连接的所述绝缘栅双极型晶体管的通断；控制单元，与至少一个所述驱动单元相连接，用于产生驱动信号，其中，所述驱动信号用于控制所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中的目标绝缘栅双极型晶体管的工作；同步使能单元，分别与所述控制单元以及所述至少一个绝缘栅双极型晶体管同步电路支路相连接，用于切断所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中除所述目标绝缘栅双极型晶体管之外的绝缘栅双极型晶体管的漏极电压对所述驱动信号的影响。进一步地，所述驱动使能单元包括：第一控制端；第一晶体管，所述第一晶体管的基极与所述第一控制端相连接；第二晶体管，所述第二晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极相连接，所述第二晶体管的集电极与所述驱动单元相连接，所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的发射极接地。进一步地，所述驱动单元包括：第三晶体管，所述第三晶体管的基极与所述第二晶体管的集电极相连接，所述第三晶体管的发射极与所述绝缘栅双极型晶体管的栅极相连接，所述第三晶体管的集电极与直流电源电压相连接。进一步地，所述同步使能单元包括：至少一个第二控制端；至少一个第四晶体管，其中，一个所述第四晶体管对应连接一个所述第二控制端，所述第四晶体管的基极与所述第二控制端相连接，所述第四晶体管的集电极与所述绝缘栅双极型晶体管的漏极相连接，所述第四晶体管的发射极接地。进一步地，所述第二控制端、所述第四晶体管、所述绝缘栅双极型晶体管以及所述驱动使能单元的个数相同。进一步地，所述控制电路还包括：整流滤波单元，与所述控制单元相连接，用于对交流电源电压进行整流滤波处理，产生同步信号电源电压。进一步地，所述控制电路还包括：谐振单元，分别与所述整流滤波单元以及所述控制单元相连接，用于产生同步信号共振电压。进一步地，所述控制单元包括：处理器，用于接收并比较所述同步信号电源电压和所述同步信号共振电压，根据比较结果产生所述驱动信号。根据本技术实施例的另一方面，还提供了一种电磁加热装置，所述电磁加热装置包括本技术实施例中的任意一种所述的控制电路。在本技术实施例中，电磁加热装置的控制电路包括：至少一个绝缘栅双极型晶体管；至少一个驱动使能单元，其中，一个所述驱动使能单元对应连接一个驱动单元，一个所述驱动单元对应连接一个所述绝缘栅双极型晶体管，所述驱动使能单元用于控制与其连接的所述绝缘栅双极型晶体管的通断；控制单元，与所述至少一个IGBT驱动单元相连接，用于产生驱动信号，其中，所述驱动信号用于控制所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中的目标绝缘栅双极型晶体管的工作；同步使能单元，分别与所述控制单元以及至少一个绝缘栅双极型晶体管同步电路支路相连接，用于切断所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中除所述目标绝缘栅双极型晶体管之外的绝缘栅双极型晶体管的漏极电压对所述驱动信号的影响，该控制电路仅利用电磁加热装置中的一个IGBT控制资源便可以实现对多个IGBT的控制，进而解决了相关技术中的多段电磁加热装置中控制多个IGBT的控制资源不够的技术问题，从而实现了节省成本、提高IGBT控制实时性和可靠性的技术效果。附图说明此处所说明的附图用来提供对本技术的进一步理解，构成本申请的一部分，本技术的示意性实施例及其说明用于解释本技术，并不构成对本技术的不当限定。在附图中：图1是根据本技术实施例的一种可选的电磁加热装置的控制电路的示意图；以及图2是根据本技术实施例的多段电磁加热装置的控制电路图。具体实施方式为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分的实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都应当属于本技术保护的范围。需要说明的是，本专利技术的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术的实施例能够以除了在这里图示或描述的那些以外的顺序实施。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含，例如，包含了一系列单元的过程、系统、产品或设备不必限于清楚地列出的那些单元，而是可包括没有清楚地列出的或对于这些过程、产品或设备固有的其它单元。根据本技术实施例，提供了一种电磁加热装置的控制电路，利用该控制电路可以实现在不增加电磁加热装置中控制单元中的处理器的驱动资源的基础上，对电磁加热装置中的多个绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称为IGBT)进行控制。图1是根据本技术实施例的一种可选的电磁加热装置的控制电路的示意图，如图1所示，该控制电路可以包括：至少一个绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor，简称为IGBT)。图1仅示出控制电路包括3个IGBT的情况(分别为IGBT1、IGBT2、IGBT3)，但并不限定该控制电路就只能包括3个IGBT，也可以包括2个或者更多个IGBT。至少一个驱动使能单元，其中，一个驱动使能单元对应连接一个驱动单元，一个所述驱动单元对应连接一个绝缘栅双极型晶体管，驱动使能单元用于控制与其连接的绝缘栅双极型晶体管的通断。可选地，驱动使能单元以及驱动单元的个数与该控制电路中的IGBT的个数相同。图1仅示出控制电路包括3个驱动使能单元以及驱动单元的情况(分别为驱动使能单元21、驱动使能单元22、驱动使能单元23以及驱动单元51、驱动单元52、驱动单元53)，但并不限定该控制电路中驱动使能单元以及驱动单元的个数也就是3个，也可以包括2个或者更多个。控制单元30，分别与至少一个所述驱动单元相连接，用于产生驱动信号，其中，该驱动信号用于控制至少一个绝缘栅双极型晶体管中的目标绝缘栅双极型晶体管的工本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电磁加热装置的控制电路，其特征在于，包括：至少一个绝缘栅双极型晶体管；至少一个驱动使能单元，其中，一个所述驱动使能单元对应连接一个驱动单元，一个所述驱动单元对应连接一个所述绝缘栅双极型晶体管，所述驱动使能单元用于控制与其连接的所述绝缘栅双极型晶体管的通断；控制单元，与至少一个所述驱动单元相连接，用于产生驱动信号，其中，所述驱动信号用于控制所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中的目标绝缘栅双极型晶体管的工作；同步使能单元，分别与所述控制单元以及所述至少一个绝缘栅双极型晶体管同步电路支路相连接，用于切断所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中除所述目标绝缘栅双极型晶体管之外的绝缘栅双极型晶体管的漏极电压对所述驱动信号的影响。
【技术特征摘要】
1.一种电磁加热装置的控制电路，其特征在于，包括：至少一个绝缘栅双极型晶体管；至少一个驱动使能单元，其中，一个所述驱动使能单元对应连接一个驱动单元，一个所述驱动单元对应连接一个所述绝缘栅双极型晶体管，所述驱动使能单元用于控制与其连接的所述绝缘栅双极型晶体管的通断；控制单元，与至少一个所述驱动单元相连接，用于产生驱动信号，其中，所述驱动信号用于控制所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中的目标绝缘栅双极型晶体管的工作；同步使能单元，分别与所述控制单元以及所述至少一个绝缘栅双极型晶体管同步电路支路相连接，用于切断所述至少一个绝缘栅双极型晶体管中除所述目标绝缘栅双极型晶体管之外的绝缘栅双极型晶体管的漏极电压对所述驱动信号的影响。2.根据权利要求1所述的控制电路，其特征在于，所述驱动使能单元包括：第一控制端；第一晶体管，所述第一晶体管的基极与所述第一控制端相连接；第二晶体管，所述第二晶体管的基极与所述第一晶体管的集电极相连接，所述第二晶体管的集电极与所述驱动单元相连接，所述第一晶体管的发射极与所述第二晶体管的发射极接地。3.根据权利要求2所述的控制电路，其特征在于，所述驱动单元包括：第三晶体管，所述第三晶体管的基极与所述第二晶体管的集电极相连接，所述第三晶体管的发射...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈和辉，龚辉平，陈定武，施芬芬，李硕勇，
申请(专利权)人：珠海格力电器股份有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44
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