2-4G宽带低噪声放大器制造技术

本实用新型专利技术涉及低噪声放大器技术领域，尤其为2‑4G宽带低噪声放大器，包含两级放大电路，采用电流复用结构，第二级PHEMT管源极通过扼流电感接第一级PHEMT管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级PHEMT管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级PHEMT管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连，该电路有效降低了整体电流，第一级采用较大PHEMT管芯，降低频带低端的噪声，第二级采用相同的PHEMT管芯，提高工作带宽内的增益，器件采用单电源供电。本实用新型专利技术与传统结构相比，本结构具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点。

【技术实现步骤摘要】
2-4G宽带低噪声放大器
本技术涉及低噪声放大器
，具体为2-4G宽带低噪声放大器。
技术介绍
传统的宽带放大电路，为了增加电路的工作带宽，通常采用负反馈等技术来实现宽带；由于反馈电阻会引入噪声，造成噪声系数的恶化，因而不适合超低噪声设计的场合。如果不采用负反馈技术又会造成输入驻波的恶化。
技术实现思路
本技术的目的在于提供2-4G宽带低噪声放大器，以解决上述
技术介绍
中提出的问题。所述2-4G宽带低噪声放大器具有带宽宽、驻波低、增益高、噪声低和工作电流小等优点特点。为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：2-4G宽带低噪声放大器，包含两级放大电路，采用电流复用结构，每级放大电路包括一个三极管，第二级三极管源极通过扼流电感接第一级三极管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连。优选的，第一级三极管、第二级三极管采用相同的PHEMT管芯。优选的，第一级三极管、第二级三极管栅宽相同为300um。与现有技术相比，本技术的有益效果是：第一级三极管降低低频段的输入驻波和噪声，第二级三极管在兼顾功率容量的情况下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.2‑4G宽带低噪声放大器，其特征在于：包含两级放大电路，采用电流复用结构，每级放大电路包括一个三极管，第二级三极管源极通过扼流电感接第一级三极管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与第二级PHEMT管栅极相连。

【技术特征摘要】
1.2-4G宽带低噪声放大器，其特征在于：包含两级放大电路，采用电流复用结构，每级放大电路包括一个三极管，第二级三极管源极通过扼流电感接第一级三极管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级三极管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级三极管漏级通过隔直电容、匹配电路与...

【专利技术属性】
技术研发人员：汪程飞，刘家兵，
申请(专利权)人：合肥芯谷微电子有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34