温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本实用新型涉及低噪声放大器技术领域，尤其为2‑4G宽带低噪声放大器，包含两级放大电路，采用电流复用结构，第二级PHEMT管源极通过扼流电感接第一级PHEMT管漏极，并旁接去耦电容到地，第二级PHEMT管栅极通过大电阻接偏置电压；第一级PHE...
该专利属于合肥芯谷微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过合肥芯谷微电子有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。