一种PVD镀膜装置制造方法及图纸

本发明专利技术属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种物理气相沉积PVD装置，包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。该镀膜装置的真空室容量大，工件架装载量大，镀膜效率大大提高，其还能较好地进行镀膜前处理，以提高镀膜效果，此外，能配合不同靶材进行镀膜，实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性，单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备，提高生产效率。

A PVD coating device

The invention belongs to the technical field of vacuum coating, and specifically relates to a physical vapor deposition PVD device, including a vacuum chamber, a workpiece rack, an ion source system, a sputtering power supply, and several pairs of twin magnetron targets. The workpiece rack is a vertical rotating structure, and the ion source system adopts a vertical strip shape. Area ion source. The vacuum chamber capacity of the coating device is large, the workpiece rack load is large, and the coating efficiency is greatly improved. It can also carry out pretreatment before coating to improve the coating effect. In addition, it can cooperate with different target materials for coating, so as to realize the diversity of vacuum magnetron sputtering coating types. A single coating cycle can complete different coatings. The preparation of the system improves production efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种PVD镀膜装置
本专利技术属于真空镀膜
，具体涉及一种物理气相沉积PVD装置。
技术介绍
现有技术中，针对目前传统光学薄膜真空镀膜工艺中，电子枪镀膜中产品装载量的局限性，光学薄膜膜系设计的复杂性和膜层数的增加，对应所需蒸发材料的种类和填料量也对应增加，无法满足大容量和长时间的镀膜需求。此外，电子枪蒸发膜料的种类不同，所需的蒸发温度和电子枪的功率也有所不同，单一电子枪的使用就有所限制。镀膜前基片的放电预处理，也同样需要大面积，稳定的离子源进行基片表面油质和表面活化处理，才能更好的提高镀膜材料与基片之间的附着力，从而提高镀膜效果。因此，研发一种待镀工件装载量大、能更好的进行镀膜前预处理提高镀膜效果的PVD镀膜装置迫在眉睫。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服现有技术的不足，特别公开一种PVD镀膜装置，该镀膜装置的真空室容量大，工件架装载量大，镀膜效率大大提高，其还能较好地进行镀膜前处理，以提高镀膜效果，此外，能配合不同靶材进行镀膜，实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性，单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备，提高生产效率。为了达到上述技术目的，本专利技术是按以下技术方案实现的：本专利技术所述的PVD镀膜装置，包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。作为上述技术的进一步改进，所述真空室为大容积真空室，所述工件架上设有22至28个用于安装工件的安装轴。作为上述技术的更进一步改进，所述双组孪生磁控靶上靶材的数量为20-22个。在本专利技术中，所述双组孪生磁控靶上靶材为金属靶材或非金属靶材。在本专利技术中，所述溅射电源为高功率、高压溅射电源。与现有技术相比，本专利技术的有益效果是：(1)本专利技术所述的PVD镀膜机，其通过加大真空镀膜腔室，样品工件架最多可达28轴，采用立式旋转结构设计，能够在单位体积内放置更多镀膜样品，与现有市场上的镀膜设备装载量多出20％-30％，进一步提高镀膜效率，满足工业化生产镀膜的需求；(2)本专利技术所述的PVD镀膜机，由于设置有立式条形大面积离子源，大面积多弧离子源和柱弧的使用，利用了离子源离化率高的特点，镀膜前通过条形离子源放电处理基材表面，放电预处理能够通过高能粒子的表面轰击，取出表面油质，更能活化基材表面，又降低了离化时基材的表面温度，使得沉积薄膜的颗粒细腻，提高镀层薄膜的表面致密性，同时也提高了膜层在基材表面的附着力；(3)本专利技术所述的PVD镀膜机，双组孪生磁控靶结合高功率溅射电源的使用，高压溅射电源的使用能够提高薄膜沉积速率，可以同时装载不同种类的金属和非金属靶材，实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性；(4)本专利技术所述的PVD镀膜机，可根据不同的镀膜工艺要求装载不同类型的靶材材料，金属薄膜的制备可采用直流电源进行溅射镀膜，非金属靶材可采用中频高压溅射电源或射频高压电源进行溅射镀膜，更加具有选择性，从而实现单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备，提高生产效率。附图说明下面结合附图和具体实施例对本专利技术做详细的说明：图1是本专利技术所述的PVD镀膜机结构示意图。具体实施方式本专利技术所述的PVD镀膜装置，包括真空室1，设置在真空室1内的工件架2、离子源系统3、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶4，所述工件架2为立式旋转式结构，所述离子源系统3采用立式条形大面积离子源，其包括大面积多弧离子源和柱弧离子源，大面积多弧离子源和柱弧的使用，利用了离子源离化率高的特点，镀膜前通过条形离子源放电处理基材表面，放电预处理能够通过高能粒子的表面轰击，取出表面油质，更能活化基材表面，又降低了离化时基材的表面温度，使得沉积薄膜的颗粒细腻，提高镀层薄膜的表面致密性，同时也提高了膜层在基材表面的附着力；在本专利技术中，所述真空室1为大容积真空室，所述工件架2上设有22至28个用于安装工件的安装轴，能够在单位体积内放置更多镀膜样品，镀膜效率大大提高，满足工业化生产镀膜的需求。此外，所述双组孪生磁控靶4上安装靶材的数量为20-22个，且所述双组孪生磁控靶上靶材为金属靶材或非金属靶材，所述溅射电源为高功率、高压溅射电源，双组孪生磁控靶结合高功率溅射电源的使用，高压溅射电源的使用能够提高薄膜沉积速率，可以同时装载不同种类的金属和非金属靶材，根据不同的镀膜工艺要求装载不同类型的靶材材料，金属薄膜的制备可采用直流电源进行溅射镀膜，非金属靶材可采用中频高压溅射电源或射频高压电源进行溅射镀膜，更加具有选择性，从而实现单一镀膜周期就能完成不同膜系的制备，实现真空磁控溅射镀膜膜层种类的多样性，提高生产效率。本专利技术并不局限于上述实施方式，凡是对本专利技术的各种改动或变型不脱离本专利技术的精神和范围，倘若这些改动和变型属于本专利技术的权利要求和等同技术范围之内，则本专利技术也意味着包含这些改动和变型。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种PVD镀膜装置，其特征在于：包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。

【技术特征摘要】
1.一种PVD镀膜装置，其特征在于：包括真空室，设置在真空室内的工件架、离子源系统、溅射电源，以及若干双组孪生磁控靶，所述工件架为立式旋转式结构，所述离子源系统采用立式条形大面积离子源。2.根据权利要求1所述的PVD镀膜装置，其特征在于：所述真空室为大容积真空室，所述工件架上设有22至28个用于安装工件的安装...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘振强，朱惠钦，
申请(专利权)人：广东振华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44