一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构制造技术

技术编号:19349721 阅读:45 留言:0更新日期:2018-11-07 16:39
本发明专利技术属于雷达天线技术领域,具体地讲涉及一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,包括依次设置且轴线相互平行的馈电单元、初级辐射单元、移相单元和次级辐射单元;所述馈电单元和初级辐射单元所在的空腔相互连通,且馈电单元与初级辐射单元同轴设置;所述移相单元与次级辐射单元同轴设置;所述初级辐射单元和移相单元的相接处,初级辐射单元的相接处的端面区域沿其轴线方向的投影位于移相单元的相接处的端面区域内,且初级辐射单元与移相单元非同轴设置;所述初级辐射单元的相接处的端面区域和移相单元的相接处的端面区域的重叠部分呈贯通状。本发明专利技术的赋形结构简单、降低了赋形的实现难度,能够实现较好的赋形效果。

【技术实现步骤摘要】
一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构
本专利技术属于雷达天线
,具体地讲涉及一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构。
技术介绍
随着阵列天线技术在通信、雷达等领域内的迅速发展,为提高天线的有效性能,天线方向图赋形成为雷达技术发展的一个重要领域。在实际应用中,传统的赋形结构以及通过网络幅相加权的结构,虽然能够实现比较理想的赋形效果,但结构复杂,实现起来难度较大。因此,提供一种结构简单、较易实现的赋形结构是目前亟待解决的问题。
技术实现思路
根据现有技术中存在的问题,本专利技术提供了一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,其结构简单、降低了赋形的实现难度,能够实现较好的赋形效果。本专利技术采用以下技术方案:一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,包括依次设置且轴线相互平行的馈电单元、初级辐射单元、移相单元和次级辐射单元;所述馈电单元和初级辐射单元所在的空腔相互连通,且馈电单元与初级辐射单元同轴设置;所述移相单元与次级辐射单元同轴设置;所述初级辐射单元和移相单元的相接处,初级辐射单元的相接处的端面区域沿其轴线方向的投影位于移相单元的相接处的端面区域内,且初级辐射单元与移相单元非同轴设置;所述初本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,其特征在于:包括依次设置且轴线相互平行的馈电单元(1)、初级辐射单元(2)、移相单元(3)和次级辐射单元(4);所述馈电单元(1)和初级辐射单元(2)所在的空腔相互连通,且馈电单元(1)与初级辐射单元(2)同轴设置;所述移相单元(3)与次级辐射单元(4)同轴设置;所述初级辐射单元(2)和移相单元(3)的相接处,初级辐射单元(2)的相接处的端面区域沿其轴线方向的投影位于移相单元(3)的相接处的端面区域内,且初级辐射单元(2)与移相单元(3)非同轴设置;所述初级辐射单元(2)的相接处的端面区域和移相单元(3)的相接处的端面区域的重叠部分呈贯通状。

【技术特征摘要】
1.一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,其特征在于:包括依次设置且轴线相互平行的馈电单元(1)、初级辐射单元(2)、移相单元(3)和次级辐射单元(4);所述馈电单元(1)和初级辐射单元(2)所在的空腔相互连通,且馈电单元(1)与初级辐射单元(2)同轴设置;所述移相单元(3)与次级辐射单元(4)同轴设置;所述初级辐射单元(2)和移相单元(3)的相接处,初级辐射单元(2)的相接处的端面区域沿其轴线方向的投影位于移相单元(3)的相接处的端面区域内,且初级辐射单元(2)与移相单元(3)非同轴设置;所述初级辐射单元(2)的相接处的端面区域和移相单元(3)的相接处的端面区域的重叠部分呈贯通状。2.根据权利要求1所述的一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,其特征在于:所述初级辐射单元(2)和移相单元(3)的相接处,所述移相单元(3)在其与初级辐射单元(2)的重叠区域之外的端面区域呈开口状。3.根据权利要求2所述的一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,其特征在于:所述初级辐射单元(2)的端面区域高度为移相段高度H,初级辐射单元(2)的端面区域最高点与移相单元(3)的端面区域的最高点的距离为上台阶变换段高度h1,初级辐射单元(2)的端面区域最低点与移相单元(3)的端面区域的最低点的距离为下台阶变换段高度h2,所述移相段高度H、上台阶变换段高度h1、下台阶变换段高度h2的大小均可调节。4.根据权利要求1所述的一种基于台阶变换的天线方向图赋形结构,其特征在于:所述初级辐射单元...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙浩李霞胡卫东高静李运志赵继明
申请(专利权)人:安徽四创电子股份有限公司
类型:发明
国别省市:安徽,34

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