应用于OLED材料和器件结构测试的单元制造技术

本发明专利技术涉及一种应用于OLED材料和器件结构测试的单元，包括基板、ITO电极层、有机层、阴极、玻璃罩；ITO电极印刷于基板上表面；有机层呈方形蒸镀在ITO电极层表面，其中ITO电极层裸露出长度不多于2厘米部分在有机层之外；阴极蒸镀于有机层表面，且裸露长3‑5毫米在有机层区域之外连接ITO电极层；玻璃罩盖住ITO电极层，有机层，阴极并与基板粘连，其中ITO电极层有距基板边缘3‑5毫米未覆盖；ITO电极层呈中心发散形，且发散端为方形；ITO电极层与阴极交叠重合区域为待测圆形区域。本发明专利技术结可消除材料损耗电阻率变化对后续测量点的影响，测试同一材料不同发光面积的发光特性，指导进行OLED材料和器件结构选择和设计。

Unit used for structural testing of OLED materials and devices

The invention relates to a unit for testing the structure of OLED materials and devices, including a substrate, ITO electrode layer, organic layer, cathode and glass cover; ITO electrode is printed on the surface of the substrate; organic layer is square evaporated on the surface of the ITO electrode layer, in which the bare length of ITO electrode layer is not more than 2 centimeters outside the organic layer; The electrodes are evaporated on the surface of the organic layer, and the bare length is 3 5 mm, which connects the ITO electrode layer outside the organic layer area; the glass cover covers the ITO electrode layer, the organic layer, and the cathode adheres to the substrate, in which the ITO electrode layer is not covered by 3 5 mm from the edge of the substrate; the ITO electrode layer is central divergent, and the divergent end is square with the ITO electrode layer. The overlap area of cathode overlap is the circular area to be measured. The junction of the invention can eliminate the influence of material loss resistivity change on subsequent measuring points, test the luminescence characteristics of different luminous areas of the same material, and guide the structure selection and design of OLED materials and devices.

【技术实现步骤摘要】
应用于OLED材料和器件结构测试的单元
本专利技术涉及一种OLED发光测试结构，尤其涉及OLED材料和器件结构测试的单元，属于OLED领域。
技术介绍
OLED具有视角宽、厚度薄、反应速度快、对比度高、可柔性的优点，在照明和显示领域都备受关注，OLED近期的技术发展方向是解决器件的成品率、寿命和彩色化问题。从长远来看，OLED未来的发展必将沿着小尺寸－中尺寸－大尺寸－超大尺寸、单色－多色－彩色、无源－有源、硬屏－软屏的脉络进行发展；在量产技术逐渐成熟的情况下，OLED产业将不断发展。决定OLED性能指标的重要因素包括材料、器件结构等，因此，在制备生产OLED产品前，必须要根据需要进行OLED材料和器件结构选择和设计。其中，材料选择过程中需要通过对材料的性能分析测试从而进行选择，最初是由Nokia在2007年国际显示信息年会（SocietyforInformationDisplay）上提出测试OLED，Nokia的方法是显示6种不同图案，人眼对于画面质量跟操作时间所造成的亮度衰减及烙印现象的感受进行评估，损耗5%时人眼可判断出差异，损耗达到10%人眼产生不舒适感。如今OLED的测试方法众多，主要包括亮度测试方法，功耗消耗测试方法，暗室对比度采用、亮室对比度和运动图像的评价。亮度测试方法中采用全屏亮度和4%窗口亮度测量OLED的时间平均亮度。功耗消耗测试方法，采用全灰色屏亮度分别为15%、20%、30%的4%窗口亮度测量OLED功耗特性。暗室对比度采用、亮室对比度和运动图像的评价都是在不同条件下对OLED的各项性能进行测试的方法。这些测试方法基本基于OLED显示屏进行测试，需要制作出完整的显示屏，造价高、测试效率低，而单元结构测试造价低、测试效率高，传统测试单元的电极结构为条状交叉结构，其优点在于可以控制不同发光点，制备工艺简单，其缺点为材料损耗引起电路电阻率变化，影响其他点测试效果，不利于评估OLED材料和器件结构的性能。
技术实现思路
针对现有技术中存在的上述问题，本专利技术的目的在于提供一种应用于OLED材料和器件结构测试的单元，其目的在于改善由材料损耗引起电路电阻率变化情况，通过测试OLED单元发光特性，评估OLED材料和器件结构的性能。为解决以上问题，本专利技术采用如下技术方案：应用于OLED材料和器件结构测试的单元包括基板，中央ITO电极，有机层，阴极，玻璃罩，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口；中央ITO电极印刷在基板中央并与边缘连接，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口印刷在基板上表面两侧边缘且每边各三块；有机层呈方形蒸镀在基板中央ITO电极表面，其中中央ITO电极裸露出长度不多于2厘米部分在有机层之外，基板上表面两侧的第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口未被有机层覆盖；阴极蒸镀于有机层表面，且裸露长3-5毫米在有机层之外，并分别连接基板上表面两侧的第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口；玻璃罩盖住中央ITO电极，有机层，阴极，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口并与基板粘连，其中各中央ITO电极，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口距基板边缘均有3-5毫米部分未被玻璃罩盖住；中央ITO电极呈中心发散形，所述的阴极为方形，且面积大小不同，且发散端为方形；中央ITO电极与阴极交叠重合区域为待测区域。本专利技术的有益效果为：1.本专利技术的电极结构呈中心发散形，此结构不会因一点的测试损耗影响其他测试点的测试；2.本专利技术的待测区域可根据实验需求调控，可以测试同一材料不同发光面积的发光特性。附图说明下面结合附图及其实施例对本专利技术作进一步说明。图1是本专利技术结构俯视图；图2是本专利技术结构拆解总体构造；图3是本专利技术结构无玻璃罩俯视图；图4是本专利技术ITO电极层；1为基板，2为中央ITO电极，3为发光层，4为阴极，5为玻璃罩，6为第一ITO电极端口，7为第二ITO电极端口，8为第三ITO电极端口，9为第四ITO电极端口，10为第五ITO电极端口，11为第六ITO电极端口。具体实施方式以下结合本专利技术的结构和工作原理作详细说明：图1中，本专利技术包括基板1，中央ITO电极2，有机层3，阴极4，玻璃罩5，第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11；中央ITO电极2印刷在基板1中央并与边缘连接，第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11印刷在基板1上表面两侧边缘且每边各三块；有机层3呈方形蒸镀在基板1中央ITO电极表面2，其中中央ITO电极2裸露出长度不多于2厘米部分在有机层3之外，基板1上表面两侧的第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11未被有机层3覆盖；阴极4蒸镀于有机层3表面，且裸露长3-5毫米在有机层3之外，并分别连接基板1上表面两侧的第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11；玻璃罩5盖住中央ITO电极2，有机层3，阴极4，第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11并与基板1粘连，其中各中央ITO电极2，第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11距基板1边缘均有3-5毫米部分未被玻璃罩5盖住；中央ITO电极2呈中心发散形，且发散端为方形；阴极4为方形，且面积大小不同；中央ITO电极2与阴极4交叠重合区域为待测区域。OLED材料和器件结构测试的单元制备及原理：选用有机玻璃材料作为基板1水洗处理；采用磁控溅射的方法，在基板1上溅射透明氧化铟锡导电薄膜镀层并经高温退火处理得到呈倒中心发散形的中央ITO电极2和第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11，干燥；通过蒸镀或喷墨印刷的方法制造有机层3，干燥；将制备用于印刷阳极4的薄片与中央ITO电极2待测区域重合，蒸镀阳极4，干燥；在真空箱中用玻璃罩5封装处理，将第一ITO电极端口6，第二ITO电极端口7，第三ITO电极端口8，第四ITO电极端口9，第五ITO电极端口10，第六ITO电极端口11连接数控电路即可得到应用于OLED材料和器件结构测试的单元。通过连接外接电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.应用于OLED材料和器件结构测试的单元，其特征在于，包括基板，中央ITO电极，有机层，阴极，玻璃罩，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口；中央ITO电极印刷在基板中央并与边缘连接，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口印刷在基板上表面两侧边缘且每边各三块；有机层呈方形蒸镀在基板中央ITO电极表面，其中中央ITO电极裸露出长度不多于2厘米部分在有机层之外，基板上表面两侧的第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口未被有机层覆盖；阴极蒸镀于有机层表面，且裸露长3‑5毫米在有机层之外，并分别连接基板上表面两侧的第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口；玻璃罩盖住中央ITO电极，有机层，阴极，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口并与基板粘连，其中各中央ITO电极，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口距基板边缘均有3‑5毫米部分未被玻璃罩盖住；中央ITO电极呈中心发散形，且发散端为方形；中央ITO电极与阴极交叠重合区域为待测区域。...

【技术特征摘要】
2018.06.14 CN 20181061158101.应用于OLED材料和器件结构测试的单元，其特征在于，包括基板，中央ITO电极，有机层，阴极，玻璃罩，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口；中央ITO电极印刷在基板中央并与边缘连接，第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口印刷在基板上表面两侧边缘且每边各三块；有机层呈方形蒸镀在基板中央ITO电极表面，其中中央ITO电极裸露出长度不多于2厘米部分在有机层之外，基板上表面两侧的第一ITO电极端口，第二ITO电极端口，第三ITO电极端口，第四ITO电极端口，第五ITO电极端口，第六ITO电极端口未...

【专利技术属性】
技术研发人员：王鑫，刘祖刚，赵虹，黄杰，胡美美，冯玉雪，
申请(专利权)人：中国计量大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33