一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路，涉及电机驱动技术领域，包括SPWM主控模块，所述SPWM主控模块分别电线连接位置检测模块、保护模块、调速模块和驱动模块，所述驱动模块电线连接电机，所述电机电线分别电线连接所述位置检测模块和所述保护模块。本发明专利技术不仅在多功能、高性能、低成本方面达到实用化目的，而且具有以下功能：(1)、有霍尔传感器和无霍尔传感器两种工作方式，随意选择；(2)、具有堵转保护功能；(3)、具有大扭力超低速恒定驱动功能；(4)、可以输出转速信号，方便高端应用；(5)具有电机换向功能；(6)、具有缓启动功能；(7)、具有恒流驱动功能；(8)、具有线性无级调速功能。

A multi-function brushless DC motor drive circuit without core

The invention discloses a multi-functional brushless DC motor drive circuit, which relates to the motor drive technology field, including SPWM main control module, the SPWM main control module connects the position detection module, the protection module, the speed regulating module and the driving module respectively, the driving module connects the motor wires, and the motor wires are separated. The other wires are connected to the location detection module and the protection module. The invention not only achieves the practical purpose in multi-function, high performance and low cost, but also has the following functions: (1) Hall sensor and non-Hall sensor working modes are optionally selected; (2) Rotary blocking protection; (3) Constant driving function with large torsion and ultra-low speed; (4) Rotary speed can be output. Signal, convenient for high-end applications; (5) with motor commutation function; (6) with slow start function; (7) with constant current drive function; (8) with linear stepless speed regulation function.

【技术实现步骤摘要】
一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路
本专利技术涉及电机驱动
，特别涉及一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路。
技术介绍
无铁芯直流无刷电机是近年来新出现的一种新型特种电机，一是采用了轴向磁场结构设计，大幅度提高功率密度和转矩体积比。二是采用新型绕制工艺、高压精密压铸成型及高分子材料，有效降低绕组铜损。三是不使用硅钢片作为定、转子铁芯材料，消除了磁阻尼及铁损，降低了驱动功率，减少了铁损发热源，是一种高效节能电机。广泛应用于风机、水泵、压缩机等量大面广的工业通用设备，特别适用于使用电池供电的电动自行车、电动汽车、智能机器人等领域。目前，与无铁芯直流无刷电机配套的电机驱动电路品种较少，同时存在功能少、性能差和高成本等方面问题，特别是现有驱动还不能满足灵活选择使用霍尔传感器和不使用霍尔传感器的驱动电路，所以就需要一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路。
技术实现思路
本专利技术实施例提供了一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路，用以解决现有技术中存在的问题。一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路，包括SPWM主控模块，所述SPWM主控模块分别电线连接位置检测模块、保护模块、调速模块和驱动模块，所述驱动模块电线连接电机，所述电机电线分别电线连接所述位置检测模块和所述保护模块。较佳地，所述SPWM主控模块、所述位置检测模块和所述保护模块采用芯片JY01实现功能。较佳地，包括芯片U1、芯片U2、芯片U3、插座J2、插座J1、芯片U5、芯片U6、芯片U7、芯片U8、开关S1和插座J3，所述芯片U1的引脚1串联二极管D1后连接所述芯片U1的引脚8，所述芯片U1的引脚2连接所述芯片U8的引脚7，所述芯片U1的引脚3连接所述芯片U8的引脚8，所述芯片U1的引脚4接地，所述芯片U1的引脚5串联电阻R4后连接NMOS管Q4的栅极，所述芯片U1的引脚6串联电容C1后连接所述芯片U1的引脚8，所述芯片U1的引脚6分别连接NMOS管Q1的源极、所述NMOS管Q4的漏极和插座J1的引脚5，所述芯片U1的引脚7串联电阻R1后连接所述NMOS管Q1的栅极，所述NMOS管Q1的漏极连接电源；所述芯片U2的引脚1串联二极管D2后连接所述芯片U2的引脚8，所述芯片U2的引脚2连接芯片U8的引脚9，所述芯片U2的引脚3连接所述芯片U8的引脚10，所述芯片U2的引脚4接地，所述芯片U2的引脚5串联电阻R5后连接NMOS管Q5的栅极，所述芯片U2的引脚6串联电容C2后连接所述芯片U2的引脚8，所述芯片U2的引脚6分别连接NMOS管Q2的源极、所述NMOS管Q5的漏极和插座J1的引脚4，所述芯片U2的引脚7串联电阻R2后连接所述NMOS管Q2的栅极，所述NMOS管Q2的漏极连接电源；所述芯片U3的引脚1串联二极管D3后连接所述芯片U3的引脚8，所述芯片U3的引脚2连接芯片U8的引脚11，所述芯片U3的引脚3连接所述芯片U8的引脚12，所述芯片U3的引脚4接地，所述芯片U3的引脚5串联电阻R6后连接NMOS管Q6的栅极，所述芯片U3的引脚6串联电容C3后连接所述芯片U3的引脚8，所述芯片U3的引脚6分别连接NMOS管Q3的源极、所述NMOS管Q6的漏极和插座J1的引脚3，所述芯片U3的引脚7串联电阻R3后连接所述NMOS管Q3的栅极，所述NMOS管Q3的漏极连接电源；所述插座J2的引脚1连接电源，所述插座J2的引脚2连接所述芯片U8的引脚5，所述插座J2的引脚3串联电阻R17后连接所述芯片U8的引脚16，所述插座J2的引脚4接地；所述插座J1的引脚5串联电阻R8和电阻R12后接地，所述插座J1的引脚5串联电阻R8后连接所述芯片U5的引脚5，所述插座J1的引脚4串联电阻R9和电阻R13后接地，所述插座J1的引脚4串联电阻R9后连接芯片U5的引脚7，所述插座J1的引脚3串联电阻R10和电阻R14后接地，所述插座J1的引脚3串联电阻R10后连接芯片U5的引脚9，所述插座J1的引脚5串联电阻R15和电阻R24后接地，所述插座J1的引脚5串联电阻R15和电容C5后连接所述芯片U5的引脚5，所述插座J1的引脚4串联电阻R20和电阻R24后接地，所述插座J1的引脚4串联电阻R20和电容C8后连接所述芯片U5的引脚7，所述插座J1的引脚3串联电阻R23和电阻R24后接地，所述插座J1的引脚3串联电阻R23和电容C9后连接所述芯片U5的引脚9，所述插座J1的引脚1接电源，所述插座J1的引脚2接地；所述芯片U5的引脚1连接所述芯片U8的引脚14，所述芯片U5的引脚2连接所述芯片U8的引脚13，所述芯片U5的引脚3和所述芯片U5的引脚10连接电源，所述芯片U5的引脚4连接所述芯片U5的引脚6和所述芯片U5的引脚8，所述芯片U5的引脚11和所述芯片U5的引脚12接地，所述芯片U5的引脚14连接所述芯片U8的引脚15；所述芯片U8的引脚1连接所述开关S1的引脚2，所述开关S1的引脚1连接电源，所述开关S1的引脚3串联电容C6后接地，所述开关S1的引脚3串联电阻R18后接地，所述开关S1的引脚3串联电阻R16后连接电源，所述芯片U8的引脚2串联电容C4后接地，所述芯片U8的引脚2串联电阻R7和电阻R11后接地，所述芯片U8的引脚2串联电阻R7后分别连接NMOS管Q4的源极、NMOS管Q5的源极和NMOS管Q6的源极，所述芯片U8的引脚3接地，所述芯片U8的引脚4连接电源，所述芯片U8的引脚6连接所述芯片U8的引脚16，所述芯片U8的引脚16串联电容C7后接地，所述芯片U8的引脚16串联电阻R19后接地，所述芯片U8的引脚16串联二极管D4后连接电源；所述芯片U6的引脚1并联电容C10、电解电容E1、电解电容E2和电解电容E3后接地，所述芯片U6的引脚2串联电阻R22和电阻R21后连接所述芯片U6的引脚3，所述芯片U6的引脚2连接电源，所述芯片U6的引脚3的串联电阻R21后接地；所述芯片U7的引脚1并联电容C11、电容C12、电解电容E4和电容C13后接地，所述芯片U7的引脚2接地，所述芯片U7的引脚3并联电容C14、电解电容E5、电容C15、电容C16、电容C17、电容C18和电容C19后接地；所述插座J3的引脚1连接电源，所述插座J3的引脚2连接所述芯片U8的引脚15，所述插座J3的引脚3连接所述芯片U8的引脚14，所述插座J3的引脚4连接所述芯片U8的引脚13，所述插座J3的引脚5接地。较佳地，所述芯片U1、所述芯片U2和所述芯片U3均为IR2101芯片，即CMOS驱动芯片。较佳地，所述插座J1为HX-5P插座，所述插座J2为HX-4P插座，所述插座J3为HX-5P插座。较佳地，所述芯片U5为LM339芯片，即四路差动比较器芯片，所述芯片U6为LM217稳压器，所述芯片U7为LM7805稳压器。较佳地，所述芯片U8为JY01A芯片，即直流无刷电机驱动芯片。本专利技术有益效果：本专利技术不仅在多功能、高性能、低成本方面达到实用化目的，而且具有以下功能：(1)、有霍尔传感器和无霍尔传感器两种工作方式，随意选择；(2)、具有堵转保护功能；(3)、具有大扭力超低速恒定驱动功能；(4)、可以输出转速信号，方便高端应用；(5)、具有电机换向功能；(6)、具有缓启动功能；(7)、具有恒流驱动功能本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路，其特征在于，包括SPWM主控模块(1)，所述SPWM主控模块(1)分别电线连接位置检测模块(2)、保护模块(3)、调速模块(4)和驱动模块(5)，所述驱动模块(5)电线连接电机(6)，所述电机(6)电线分别电线连接所述位置检测模块(2)和所述保护模块(3)。

【技术特征摘要】
1.一种多功能无铁芯直流无刷电机驱动电路，其特征在于，包括SPWM主控模块(1)，所述SPWM主控模块(1)分别电线连接位置检测模块(2)、保护模块(3)、调速模块(4)和驱动模块(5)，所述驱动模块(5)电线连接电机(6)，所述电机(6)电线分别电线连接所述位置检测模块(2)和所述保护模块(3)。2.如权利要求1所述的电路，其特征在于，所述SPWM主控模块(1)、所述位置检测模块(2)和所述保护模块(3)采用芯片JY01实现功能。3.如权利要求1所述的电路，其特征在于，包括芯片U1、芯片U2、芯片U3、插座J2、插座J1、芯片U5、芯片U6、芯片U7、芯片U8、开关S1和插座J3，所述芯片U1的引脚1串联二极管D1后连接所述芯片U1的引脚8，所述芯片U1的引脚2连接所述芯片U8的引脚7，所述芯片U1的引脚3连接所述芯片U8的引脚8，所述芯片U1的引脚4接地，所述芯片U1的引脚5串联电阻R4后连接NMOS管Q4的栅极，所述芯片U1的引脚6串联电容C1后连接所述芯片U1的引脚8，所述芯片U1的引脚6分别连接NMOS管Q1的源极、所述NMOS管Q4的漏极和所述插座J1的引脚5，所述芯片U1的引脚7串联电阻R1后连接所述NMOS管Q1的栅极，所述NMOS管Q1的漏极连接电源；所述芯片U2的引脚1串联二极管D2后连接所述芯片U2的引脚8，所述芯片U2的引脚2连接芯片U8的引脚9，所述芯片U2的引脚3连接所述芯片U8的引脚10，所述芯片U2的引脚4接地，所述芯片U2的引脚5串联电阻R5后连接NMOS管Q5的栅极，所述芯片U2的引脚6串联电容C2后连接所述芯片U2的引脚8，所述芯片U2的引脚6分别连接NMOS管Q2的源极、所述NMOS管Q5的漏极和插座J1的引脚4，所述芯片U2的引脚7串联电阻R2后连接所述NMOS管Q2的栅极，所述NMOS管Q2的漏极连接电源；所述芯片U3的引脚1串联二极管D3后连接所述芯片U3的引脚8，所述芯片U3的引脚2连接芯片U8的引脚11，所述芯片U3的引脚3连接所述芯片U8的引脚12，所述芯片U3的引脚4接地，所述芯片U3的引脚5串联电阻R6后连接NMOS管Q6的栅极，所述芯片U3的引脚6串联电容C3后连接所述芯片U3的引脚8，所述芯片U3的引脚6分别连接NMOS管Q3的源极、所述NMOS管Q6的漏极和插座J1的引脚3，所述芯片U3的引脚7串联电阻R3后连接所述NMOS管Q3的栅极，所述NMOS管Q3的漏极连接电源；所述插座J2的引脚1连接电源，所述插座J2的引脚2连接所述芯片U8的引脚5，所述插座J2的引脚3串联电阻R17后连接所述芯片U8的引脚16，所述插座J2的引脚4接地；所述插座J1的引脚5串联电阻R8和电阻R12后接地，所述插座J1的引脚5串联电阻R8后连接所述芯片U5的引脚5，所述插座J1的引脚4串联电阻R9和电阻R13后接地，所述插座J1的引脚4串联电阻R9后连接芯片U5的引脚7，所述插座J1的引脚3串联电阻R10和电阻R14后接地，所述插座J1的引脚3串联电阻R10后连接芯片U5的...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓伟，
申请(专利权)人：商丘师范学院，
类型：发明
国别省市：河南,41