The invention provides a circuit structure optimization device and a machine learning device, which can reduce the frequency of misoperation according to the current position or current moment of the FPGA device. The circuit structure optimization device has: a state data acquisition unit which obtains the current position of the FPGA device and at least one of the current moments as state data; a circuit structure determination unit which determines the circuit structure of the FPGA device according to the state data obtained by the state data acquisition unit and outputs the circuit structure for use in FPG. The instruction value of the circuit structure determined on the A device.
【技术实现步骤摘要】
电路结构优化装置和机器学习装置
本专利技术涉及电路结构优化装置和机器学习装置。
技术介绍
存在如下可编程逻辑器件(PLD:ProgrammableLogicDevice):在出库后用户针对在制造时所有电路固定的通常集成电路设定所希望的电路结构来发挥功能的器件。作为这样器件的一种即FPAG(FieldProgrammableGateArray,现场可编程门阵列)通过将能够编程的逻辑组件即逻辑块组合,从单纯的逻辑电路到包含存储器要素的复杂电路,可以在根据需要而使用FPGA的现场构成来进行使用。在FPGA中,可以在封装上的任意位置构筑这样的电路。在宇宙射线等所含的中子束射入到FPGA器件时,该中子束与封装内的硼(boron)等碰撞而产生包含α线的大量离子,因该α线使硅内部的电位反转,而产生软错误。另外,作为FPGA器件的软错误涉及的现有技术,例如在日本特开2006-344223号公报,日本特开2016-167669号公报中公开了检测软错误的产生这样的技术。FPGA器件中的软错误的产生概率根据构成FPGA器件的封装材料所含的硼等的密度(硼浓度的高度)而发生变化。图10示出了FPGA器件的概略结构图。如图10所示,当在FPGA器件内存在硼浓度高的区域时,在该区域产生软错误的概率高,因此,通过不在该区域配置电路或者配置拥有错误修正功能或冗余性的抗噪音电路来作为软错误对策。在软错误对策中存在如下方法:例如不在硼等的密度高的位置配置电路的方法、削减一部分非必要功能等来减少电路面积由此降低中子或α线与该电路接触的概率的方法、通过逻辑电路的复用或错误修正电路等附加错误修正功能 ...
【技术保护点】
1.一种电路结构优化装置,其进行FPGA器件的电路结构与配置的优化,其特征在于,所述电路结构优化装置具有:状态数据取得部,其取得所述FPGA器件的当前位置和当前时刻中的至少某一个作为状态数据;以及电路结构决定部,其根据所述状态数据取得部取得的所述状态数据,决定所述FPGA器件上的电路结构,输出用于在所述FPGA器件上再构成决定出的所述电路结构的指令值。
【技术特征摘要】
2017.04.13 JP 2017-0800161.一种电路结构优化装置,其进行FPGA器件的电路结构与配置的优化,其特征在于,所述电路结构优化装置具有:状态数据取得部,其取得所述FPGA器件的当前位置和当前时刻中的至少某一个作为状态数据;以及电路结构决定部,其根据所述状态数据取得部取得的所述状态数据,决定所述FPGA器件上的电路结构,输出用于在所述FPGA器件上再构成决定出的所述电路结构的指令值。2.根据权利要求1所述的电路结构优化装置,其特征在于,所述电路结构优化装置还具有:电路结构表,其与当前位置和当前时刻中的至少某一个关联起来,存储与当前位置或当前时刻相适合的所述FPGA器件上的电路结构,所述电路结构决定部参照所述电路结构表,根据所述状态数据取得部取得的所述状态数据,决定所述FPGA器件上的电路结构。3.根据权利要求1所述的电路结构优化装置,其特征在于,所述电路结构优化装置具有:机器学习装置,其作为所述电路结构决定部来发挥功能,学习FPGA器件的电路结构,所述状态数据取得部还取得所述FPGA器件的电路结构涉及的信息、表示所述FPGA器件的错误产生状态的信息作为状态数据,所述机器学习装置具有:状态观测部,其从所述状态数据取得部观测表示所述FPGA器件的电路结构的FPGA器件的电路结构数据、表示所述FPGA器件的错误产生状态的FPGA错误产生状态数据、以及表示当前位置和当前时刻中的至少某一个的当前位置/时刻数据作为表示环境的当前状态的状态变量;判定数据取得部,其取得表示所述FPGA器件动作状态的是否适合判定结果的判定数据;以及学习部,其使用所述状态变量和所述判定数据,将所述FPGA器件的电路结构与所述FPGA错误产生状态数据以及当前位置/时刻数据关联起来进行学习。4.根据权利要求3所述的电路结构优化装置,其特征在于,所述状态数据取得部还取得所述FPGA器件的发热量、消耗电力和动作速度中的至少某一个作为状态数据,所述状...
【专利技术属性】
技术研发人员:和泉均,栗原健一郎,
申请(专利权)人:发那科株式会社,
类型:发明
国别省市:日本,JP
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