The invention provides a vertical vacuum crystallizing device, which comprises a crystallizing part and a condensing part, the crystallizing part is below the condensing part, and the crystallizing part comprises a crystallizing section cylinder, an external flow guide cylinder, a central flow guide cylinder, a bottom agitator, a secondary steam rising cylinder, a circulating pump, an internal circulation channel and an external circulation channel; and the condensing part comprises a condensing section cylinder to form a condensing section cylinder. The overflow weir, the first water retaining cap, the folding ring and the second water retaining cap are arranged successively in the inner part of the condensing section tube from top to bottom; the advantages of the present invention are: no heat exchanger is needed, no serious scaling on the inner surface, and no scaling cleaning problems; the vacuum operating pressure is close to the partial pressure of the solution vapor, and the operation is relatively stable. The crystallization part and the condensation part are combined to form a device, which shortens the secondary steam flow path and eliminates the leakage of sealing points due to pipeline connection. Internal circulation channel eliminates the high saturation area in the crystalline part, and the saturation is relatively uniform and low in all places. External circulation channel eliminates excessive fine grains and washes out products with narrow particle size distribution.
【技术实现步骤摘要】
一种立式真空结晶装置
本专利技术涉及化工分离领域,具体涉及一种立式真空结晶装置。
技术介绍
结晶是指固体以晶体状态从气体、液体或熔融物中析出的过程,此过程是由热力学和动力学因素决定的,溶质要从溶液中析出,必须不断从外部获得能量,使溶液中溶液不断蒸发,使其达到饱和和过饱和,溶液未达到饱和时(处于稳定区),溶质不会产生结晶,当溶液处于溶解度曲线和超溶解度曲线之间时(介稳区),此时溶质结晶和溶解处于动态平衡,溶质不会自发成核析出,若有晶核进入就能长出晶体,此阶段极易受外界影响,即有无晶种、晶种大小、多少、有无搅拌、振动及杂质等因素,晶体的成长应控制在此区域内进行。溶液进入过饱和区(不稳定区)后,则会自发产生较多晶核。晶核的形成分为两类,无晶体存在的初级成核和有晶体存在的二次成核,在工业结晶过程中,通常控制二次成核,即流体的剪应力成核和接触成核,也就是选择合适的搅拌型式和转速。根据化工单元操作普遍扩散理论分析,晶体的成长与以下因素有关:(1)晶体成长的推动力是溶液的过饱和浓度差和传递速度,过饱和溶液中的溶质扩散到晶核附近的相对静止液层,并穿过相对静止溶液层到达晶体表面嵌入晶面,使其晶体长大,并放出结晶热,热量再依靠扩散传递到溶液中。(2)溶液的温度,在相同的时间和相同的过饱和浓度差条件下,温度越高,溶液粘度越低,溶液的扩散速度越快,晶体的成长速度也快,越容易得到粒径较大的晶体。(3)循环溶液流量,当蒸发量一定时同,循环溶液的流量和溶液的过饱和度成反比函数关系,而循环流量又确定了蒸发结晶器各部位的流速大小,流速大易引起晶体之间、晶体与器壁之间碰撞加剧,致使晶体破碎成 ...
【技术保护点】
1.一种立式真空结晶装置,其特征在于包括: 结晶部和冷凝部;所述结晶部包括结晶段筒体、外导流筒、中心导流筒、底搅拌器、二次蒸汽上升筒、循环泵、内循环通道和外循环通道;所述结晶段筒体是具有中心轴的轴对称结构,包括依次相连的锥台形上部、直筒形中部以及锥形底部,所述直筒形中部包括上端和下端,所述锥台形上部的大圆底面与所述上端相连,所述锥形底部的底面与所述下端相连,所述直筒形中部的中间位置开设有澄清溶液引出口,所述锥形底部上以所述中心轴为对称轴,对称地开设有入料口和出料口;所述外导流筒包括相对的第一端和第二端,所述外导流筒位于所述结晶段筒体的内部,且所述第一端通过变径与所述直筒形中部固定连接,所述变径与所述直筒形中部交接处位于所述澄清溶液引出口的上方,所述第二端与所述直筒形中部的下端在同一水平线上,所述外导流筒以所述中心轴轴对称;所述中心导流筒包括相对的第三端和第四端,所述中心导流筒位于所述外导流筒的内部,且所述第三端所在的水平面高于所述外导流筒与所述直筒形中部相交的位置,所述第三端上部的液面为蒸发界面,所述第四端在水平面的高度低于所述第二端在水平面的高度,所述中心导流筒以所述中心轴轴对称;所 ...
【技术特征摘要】
1.一种立式真空结晶装置,其特征在于包括:结晶部和冷凝部;所述结晶部包括结晶段筒体、外导流筒、中心导流筒、底搅拌器、二次蒸汽上升筒、循环泵、内循环通道和外循环通道;所述结晶段筒体是具有中心轴的轴对称结构,包括依次相连的锥台形上部、直筒形中部以及锥形底部,所述直筒形中部包括上端和下端,所述锥台形上部的大圆底面与所述上端相连,所述锥形底部的底面与所述下端相连,所述直筒形中部的中间位置开设有澄清溶液引出口,所述锥形底部上以所述中心轴为对称轴,对称地开设有入料口和出料口;所述外导流筒包括相对的第一端和第二端,所述外导流筒位于所述结晶段筒体的内部,且所述第一端通过变径与所述直筒形中部固定连接,所述变径与所述直筒形中部交接处位于所述澄清溶液引出口的上方,所述第二端与所述直筒形中部的下端在同一水平线上,所述外导流筒以所述中心轴轴对称;所述中心导流筒包括相对的第三端和第四端,所述中心导流筒位于所述外导流筒的内部,且所述第三端所在的水平面高于所述外导流筒与所述直筒形中部相交的位置,所述第三端上部的液面为蒸发界面,所述第四端在水平面的高度低于所述第二端在水平面的高度,所述中心导流筒以所述中心轴轴对称;所述底搅拌器位于所述第四端的内部;所述二次蒸汽上升筒为圆柱形结构且与所述锥台形上部的顶端相连且以所述中心轴轴对称;所述循环泵位于所述结晶段筒体的外侧,且通过管道与所述入料口和所述澄清溶液引出口相连;所述中心导流筒的筒内、以及所述外导流筒与所述中心导流筒之间的通道形成所述内循环通道;所述外导流筒与所述圆柱形中部之间的通道为澄清区,所述内循环通道、所述澄清区、所述循环泵及所述管道形成所述外循环通道;所述冷凝部包括冷凝段筒体以及所述冷凝段筒体内部由上至下依次设置的溢流堰、第一挡水帽、折液环和第二挡水帽,所述冷凝段筒体、所述溢流堰、所述第一挡水帽、所述折液环以及所述第二挡水帽均以所述中心轴轴对称,所述冷凝部位于所述结晶部的上方,且所述冷凝段筒体底端罩住所述第二蒸汽上升筒固定连接于所述锥台形上部的外侧,所述溢流堰的下边沿与所述冷凝段筒体密封连接,所述溢流堰的上边沿直径小于等于所述第一挡水帽的挡水宽度,所述折液环位于所述第一挡水帽和所述第二挡水帽之间,...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈爱民,沈梅和,
申请(专利权)人:江苏新宏大集团有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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