固态成像器件和电子装置制造方法及图纸

提供能够改善画质的背照式固态成像器件。提供了背照式固态成像器件，其设有至少：半导体基板；有机光电转换膜，其形成于所述半导体基板的前表面和后表面中的一表面侧上；以及光波导，其形成于所述半导体基板和所述有机光电转换膜之间。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】固态成像器件和电子装置
本专利技术涉及固态成像器件和电子装置。
技术介绍
通常，互补型金属氧化物半导体(CMOS：ComplementaryMetalOxideSemiconductor)图像传感器、电荷耦合器件(CCD：ChargeCoupledDevice)和其它固态成像器件在数码相机、数码摄像机等中已得到广泛应用。近年来，已见证了为减小固态成像器件的尺寸并改善画质而进行的大范围的研制工作。例如，已经提出了一种成像装置，其包括：第一成像器件、第二成像器件和微透镜阵列。第一成像器件通过将半导体基板的前表面的入射光转换成电荷而生成第一光电转换信号，并且经由形成于半导体基板的前表面的配线层输出第一光电转换信号。第二成像器件堆叠在半导体基板的前表面上，通过利用能吸收红外光且传输可见光的有机光电转换膜转换红外光而生成第二光电转换信号，并且经由配线层输出第二光电转换信号。微透镜阵列堆叠在第二成像器件的与第一成像器件相对的一侧，并且具有以二维方式布置的多个微透镜。第一成像器件具有多个第一像素，第一像素设置成对应于相应的微透镜并输出第一光电转换信号。第二成像器件具有多个第二像素，第二像素设置成对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种背照式固态成像器件，其包括至少：半导体基板；有机光电转换膜，其形成于所述半导体基板的一表面侧上；以及光波导，其形成于所述半导体基板和所述有机光电转换膜之间。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.31 JP 2016-0734451.一种背照式固态成像器件，其包括至少：半导体基板；有机光电转换膜，其形成于所述半导体基板的一表面侧上；以及光波导，其形成于所述半导体基板和所述有机光电转换膜之间。2.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，包括：下电极，其设于所述有机光电转换膜下方；以及贯通电极，其贯穿所述半导体基板，以将通过所述有机光电转换膜的光电转换而转换的电荷传输到所述半导体基板的另一表面侧，其中，所述下电极和所述贯通电极连接。3.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，包括：下电极，其设于所述有机光电转换膜下方；贯通电极，其贯穿所述半导体基板，以将通过所述有机光电转换膜的光电转换而转换的电荷传输到所述半导体基板的另一表面侧；以及至少一个配线层，其连接所述下电极和所述贯通电极。4.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，其中，所述半导体基板包括第一光电二极管，并且未被所述有机光电转换膜转换成电荷的至少一部分入射光被所述第一光电二极管转换成电荷。5.根据权利要求4所述的背照式固态成像器件，其中，所述半导体基板包括第二光电二极管，并且所述第二光电二极管设于所述第一光电二极管和所述半导体基板的另一表面之间，并且未被所述有机光电转换膜和所述第一光电二极管转换成电荷的至少一部分入射光被所述第二光电二极管转换成电荷。6.根据权利要求1所述的背照式固态成像器件，还包括：第一绝缘膜，其形成于所述半导体基板和所述有机光电转换膜之间。7.根据权利要求6所述的背照式固态成像器件，其中，所述光波导和所述第一绝缘膜被垂直地分离开。8.根据权利要求6所述的背照...

【专利技术属性】
技术研发人员：澁田宏和，
申请(专利权)人：索尼公司，
类型：发明
国别省市：日本,JP