一种稀磁半导体薄膜的制备方法技术

本发明专利技术公开一种稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜；两个靶材相互独立，工艺参数可根据需要进行独立设定，可进行任意掺杂浓度稀磁半导体薄膜的制备；整个镀膜过程只进行Cu膜与AlN薄膜的镀制，过程简单，变量较少；制备工艺简单，重复性好，并且可节约大量靶材的成本。

Preparation method of diluted magnetic semiconductor thin film

The invention discloses a preparation method of diluted magnetic semiconductor film, which comprises the following steps: S1, cleaning substrate, removing oil and impurities on the substrate surface; S2, adopting magnetron sputtering equipment, taking Cu target and Al target as sputtering target material, substrate placed in the vacuum chamber of magnetron sputtering equipment, sputtering gas Ar, reaction gas N2, etc. Cu-doped AlN diluted magnetic semiconductor thin films were prepared by sputtering on the substrate surface; the two targets were independent of each other, and the process parameters could be set independently according to the needs, and the preparation of diluted magnetic semiconductor thin films with arbitrary doping concentration could be carried out; the whole deposition process was only Cu and AlN thin films, the process was simple and the variables were few; the preparation process was simple. It has good repeatability and saves a lot of target cost.

【技术实现步骤摘要】
一种稀磁半导体薄膜的制备方法
本专利技术涉及功能薄膜
，具体是一种稀磁半导体薄膜的制备方法。
技术介绍
近年来，作为一种新型的自旋电子学材料，稀磁半导体在传统半导体的基础上引入自旋概念，由此可能产生一种全新概念的电子器件。目前对其研究也越用越深入，最近研究表明：稀磁半导体由于自身的物理内涵以及其在自旋电子元器件方面的广泛应用而被得到极大的关注，但尚处于研究阶段。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种稀磁半导体薄膜的制备方法，该方法可进行任意掺杂浓度稀磁半导体薄膜的制备，工艺简单，容易控制。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜。进一步的，步骤S2溅镀时，Cu靶功率30W，Al靶功率150W，工作总气压0.7Pa，Ar总流量30sccm，N2流量7sccm，溅射时间为25min。本专利技术的有益效果是，两个靶材相互独立，工艺参数可根据需要进行独立设定，可进行任意掺杂浓度稀磁半导体薄膜的制备；整个镀膜过程只进行Cu膜与AlN薄膜的镀制，过程简单，变量较少；制备工艺简单，重复性好，并且可节约大量靶材的成本。具体实施方式本专利技术提供一种稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；可采用普通玻璃衬底；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，Cu靶功率30W，Al靶功率150W，工作总气压0.7Pa，Ar总流量30sccm，N2流量7sccm，溅射时间为25min，在衬底表面溅镀得到Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施例而已，并非对本专利技术作任何形式上的限制；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和
技术实现思路
对本专利技术技术方案做出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是未脱离本专利技术技术方案的内容，依据本专利技术的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同替换、等效变化及修饰，均仍属于本专利技术技术方案保护的范围内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种稀磁半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种稀磁半导体薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到...

【专利技术属性】
技术研发人员：彭寿，沈洪雪，姚婷婷，杨勇，李刚，
申请(专利权)人：中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34