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本发明公开一种稀磁半导体薄膜的制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面油污和杂质；S2、采用磁控溅射设备，以Cu靶和Al靶为溅射靶材，衬底置于磁控溅射设备的真空腔室内，通入溅射气体Ar，反应气体N2，在衬底表面溅镀得到 Cu掺杂...
该专利属于中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司授权不得商用。

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