陶瓷层叠体制造技术

本发明专利技术提供具有优异的机械特性、散热性、绝缘性、耐热性、耐反应性的陶瓷层叠体、特别是具有优异的热循环可靠性、高绝缘耐压的绝缘散热体。本发明专利技术的陶瓷层叠体(1)是在金属层(2)上形成有陶瓷膜(3)，上述陶瓷膜(3)的最小膜厚为1μm以上，该陶瓷膜包含氮化硅及不可避免的杂质而成，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为300nm以下、在面内方向上的平均粒径为500nm以下。由此，本发明专利技术中，能够提供具有优异的机械特性、散热性、绝缘性、耐热性、耐反应性的陶瓷层叠体、特别是具有优异的热循环可靠性、高绝缘耐压的绝缘散热体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】陶瓷层叠体
本专利技术涉及在金属层上形成陶瓷膜而成、并且具有优异的机械特性、耐反应性、耐热性、绝缘性、散热性的陶瓷层叠体。特别涉及在半导体器件中所使用的绝缘散热体。
技术介绍
具有优异的机械特性、耐反应性、耐热性、绝缘性、散热性等的在金属上形成有陶瓷的陶瓷层叠体被广泛用于耐磨性构件(搬送辊、轧辊、切削工具等)、耐蚀性构件、绝缘散热体等。作为在这样的陶瓷层叠体中所使用的陶瓷，可列举出氧化铝(Al2O3)、氮化铝(AlN)、氮化硅(Si3N4)、氧化锆(ZrO2)、碳化硅(SiC)、氧化钇(Y2O3)等。在这些陶瓷中，具有高强度及断裂韧性、且耐磨性、耐热性、散热性、绝缘性优异的氮化硅被用于发动机、燃气轮机用材料、切削工具、轴承球、半导体器件的绝缘散热体等。以氮化硅为代表的陶瓷一般通过将原料粉末在高温下进行烧结来制造。但是，由于晶粒会因烧结时的高温加热而生长，因此难以得到微细的晶体组织，因可成为龟裂的起点的空隙的产生而导致引起强度的降低的可能性变高。此外，还有可能因空隙的产生、晶界数的减少而导致绝缘性的降低。另外，在陶瓷的烧结时，为了促进致密化会经常添加烧结助剂，但它们会在烧结体内形成除了本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种陶瓷层叠体，其是在金属层上形成陶瓷膜而成的陶瓷层叠体，其特征在于，所述陶瓷膜的最小膜厚为1μm以上，该陶瓷膜包含氮化硅及不可避免的杂质而成，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为300nm以下、在面内方向上的平均粒径为500nm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.03.01 JP 2016-0385551.一种陶瓷层叠体，其是在金属层上形成陶瓷膜而成的陶瓷层叠体，其特征在于，所述陶瓷膜的最小膜厚为1μm以上，该陶瓷膜包含氮化硅及不可避免的杂质而成，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为300nm以下、在面内方向上的平均粒径为500nm以下。2.根据权利要求1所述的陶瓷层叠体，其特征在于，所述陶瓷膜的空隙率低于3％。3.根据权利要求1或2所述的陶瓷层叠体，其特征在于，所述陶瓷膜的最小膜厚为所述金属层的最大高度粗糙度的1.5倍以上。4.根据权利要求1～3中任一项所述的陶瓷层叠体，其特征在于，所述陶瓷膜中，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为150nm以下、在面内方向上的平均粒径为250nm以下。5.根据权利要求4所述的陶瓷层叠体，其特征在于，所述陶瓷膜中，氮化硅的晶粒在膜厚方向上的平均粒径为100nm以下、在面内方向上的平均粒径为150nm以下。6.根据权利要求1～5中任一项所述的陶瓷层叠体，其特征在于，所述陶瓷膜包含氮化硅中的β-氮化硅的比例为超过50重量％的值的氮化硅及不可避免的杂质而成。7.根据权利要求6所述的陶瓷层叠体，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：德桥惠祐，木村圭一，宇野智裕，佐藤裕，
申请(专利权)人：新日铁住金株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP