表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法技术

本发明专利技术涉及表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。提供一种表面处理铜箔，其良好地抑制了设置在铜箔表面的粗化粒子层中的粗化粒子的脱落，且良好地抑制了和绝缘基板贴合时产生皱褶、条纹的情况。本发明专利技术的表面处理铜箔是在铜箔的一个表面和/或两个表面设置了粗化处理层，并且粗化处理层侧表面的粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下，表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。

【技术实现步骤摘要】
表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法
本专利技术涉及一种表面处理铜箔、附有树脂层的表面处理铜箔、附载体铜箔、积层体、印刷配线板的制造方法及电子机器的制造方法。
技术介绍
近半个世纪以来，印刷配线板实现了长足进步，现已几乎用于所有电子机器。近年来，随着电子机器的小型化、高性能化需求的增大，搭载零件的高密度安装化不断发展，对印刷配线板要求导体图案的微细化(微间距化)。印刷配线板首先是制成将铜箔和以玻璃环氧基板、BT树脂、聚酰亚胺膜等为主的绝缘基板贴合而成的覆铜积层体。贴合可以采用将绝缘基板和铜箔重叠后加热加压而进行的方法(层压法)、或者在铜箔的具有被覆层的面涂布作为绝缘基板材料前体的清漆后进行加热、硬化的方法(流延(キャスティング)法)。针对所述微间距化的课题，例如专利文献1中揭示了如下印刷配线用铜箔的处理方法，其特征在于：通过在铜箔的表面镀覆铜-钴-镍合金而进行粗化处理后，形成钴-镍合金镀层，进而形成锌-镍合金镀层。而且记载了，凭借这种构成能够实现导体图案的微间距化。[现有技术文献][专利文献][专利文献1]日本专利第2849059号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的问题]在如上所述的印刷配线板的制造方法中，有时需使用特殊装置等去除铜箔表面或印刷配线板的表面上的异物。对铜箔表面赋予的用来提升与绝缘树脂的密接性的粗化处理层如上所述为了应对配线微细化而变得微细。因此，在去除所述异物时，构成粗化处理层的粗化粒子会从铜箔的表面脱落(也称为落粉)而作为导电性异物转印、附着至铜箔或印刷配线板的搬送装置。如此附着在铜箔或印刷配线板的搬送装置的表面的导电性异物有可能再次转移至铜箔或印刷配线板表面。这种情况会导致在使用该铜箔形成电路时、或该印刷配线板中电路发生短路。但是，良好地抑制具有粗化处理层的表面处理铜箔中的粗化粒子的脱落(落粉)的技术的相关研究尚不充分，仍留有改善余地。另外，在使用表面处理铜箔制造印刷配线板等时，有时将表面处理铜箔和树脂贴合而制作积层体，但在将表面处理铜箔和树脂等绝缘基板贴合时，存在有时会产生皱褶或条纹的问题。而且，这种和绝缘基板贴合时的问题也待改善。因此，本专利技术的课题在于提供一种设置在铜箔表面的粗化粒子层中的粗化粒子的脱落得到良好抑制、且和绝缘基板贴合时产生皱褶、条纹的情况也得到良好抑制的表面处理铜箔。[解决问题的手段]为了达成所述目的，本专利技术者等人经过反复努力的研究，结果发现，针对粗化处理层的粗化粒子，将铜箔表面设定为指定的粗糙度，并且将表面处理铜箔的粗化处理层侧表面的TD的光泽度控制为指定值以下，由此解决所述课题。本专利技术是以上述见解为基础而完成的，一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在另一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Rz为1.00μm以上且2.00μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sq为0.16μm以上且0.30μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Ssk为-0.6以上且-0.35以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sa为0.12μm以上且0.23μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sz为2.20μm以上且3.50μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sku为3.75以上且4.50以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面的粗糙度Spk为0.13μm以上且0.27μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。关于本专利技术的表面处理铜箔，在又一实施形态中所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的基于JISZ8730的色差ΔE*ab为65以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面满足选自以下(10-1)～(10-8)的群中的任意两项以上，(10-1)粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下、(10-2)粗糙度Rz为1.00μm以上且2.00μm以下、(10-3)粗糙度Sq为0.16μm以上且0.30μm以下、(10-4)粗糙度Ssk为-0.6以上且-0.35以下、(10-5)粗糙度Sa为0.12μm以上且0.23μm以下、(10-6)粗糙度Sz为2.20μm以上且3.50μm以下、(10-7)粗糙度Sku为3.75以上且4.50以下、(10-8)粗糙度Spk为0.13μm以上且0.27μm以下，所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。本专利技术在又一方面是一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述粗化处理层侧表面满足选自以下(11-1)～(11-8)的群中的任意两项以上，(11-1)粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下、(11-2)粗糙度Rz为1.00μm以上且2.00μm以下、(11-3)粗糙度Sq为0.16μm以上且0.30μm以下、(11-4)粗糙度Ssk为-0.6以上且-0.35以下、(11-5)粗糙度Sa为0.12μm以上且0.23μm以下、(11-6)粗糙度Sz为2.20μm以上且3.50μm以下、(11-7)粗糙度Sku为3.75以上且4.50以下、(11-8)粗糙度Spk为0.13μm以上且0.27μm以下，所述粗化处理层侧表面的基于JISZ8730的色差ΔE*ab为65以下，所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。关于本专利技术的表面处理铜箔，在另一实施形态中所述粗化处理层侧表面的基于JISZ8730的色差ΔE*ab为45以上且65以下。关于本专利技术的表面处理铜箔，在又一实施形态中在所述粗化处理层的表面具有选自由耐热层、防锈层、铬酸盐处理层及硅烷偶联处理层所组成的群中的1种以上的层。关于本专利技术的表面处理铜箔，在又一实施形本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。

【技术特征摘要】
2017.03.31 JP 2017-070418;2017.03.31 JP 2017-073211.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。2.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Rz为1.00μm以上且2.00μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。3.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sq为0.16μm以上且0.30μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。4.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Ssk为-0.6以上且-0.35以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。5.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sa为0.12μm以上且0.23μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。6.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sz为2.20μm以上且3.50μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。7.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Sku为3.75以上且4.50以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。8.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的粗糙度Spk为0.13μm以上且0.27μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。9.根据权利要求1至8中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的基于JISZ8730的色差ΔE*ab为65以下。10.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面满足选自以下(10-1)～(10-8)的群中的任意两项以上，(10-1)粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下、(10-2)粗糙度Rz为1.00μm以上且2.00μm以下、(10-3)粗糙度Sq为0.16μm以上且0.30μm以下、(10-4)粗糙度Ssk为-0.6以上且-0.35以下、(10-5)粗糙度Sa为0.12μm以上且0.23μm以下、(10-6)粗糙度Sz为2.20μm以上且3.50μm以下、(10-7)粗糙度Sku为3.75以上且4.50以下、(10-8)粗糙度Spk为0.13μm以上且0.27μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。11.一种表面处理铜箔，其具有铜箔、和位于所述铜箔的至少一个表面或两个表面的粗化处理层，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面满足选自以下(11-1)～(11-8)的群中的任意两项以上，(11-1)粗糙度Ra为0.08μm以上且0.20μm以下、(11-2)粗糙度Rz为1.00μm以上且2.00μm以下、(11-3)粗糙度Sq为0.16μm以上且0.30μm以下、(11-4)粗糙度Ssk为-0.6以上且-0.35以下、(11-5)粗糙度Sa为0.12μm以上且0.23μm以下、(11-6)粗糙度Sz为2.20μm以上且3.50μm以下、(11-7)粗糙度Sku为3.75以上且4.50以下、(11-8)粗糙度Spk为0.13μm以上且0.27μm以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的基于JISZ8730的色差ΔE*ab为65以下，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面的TD的光泽度为70％以下。12.根据权利要求1至8、10、11中任一项所述的表面处理铜箔，其中，所述表面处理铜箔的所述粗化处理层侧表面满足选自以下(12-1)～(12-8)的群中的任意一项、两项、三项、四项、五项、六项、七项或八项，(12-1)粗糙度Ra满足以下(12-1-1)及(12-1-2)中的任意一项或两项(12-1-1)粗糙度Ra满足以下的任一项·0.18μm以下·0.17μm以下·0.16μm以下·0.15μm以下·0.14μm以下·0.13μm以下(12-1-2)粗糙度Ra满足以下的任一项·0.09μm以上·0.10μm以上·0.11μm以上·0.12μm以上(12-2)粗糙度Rz满足以下(12-2-1)及(12-2-2)中的任意一项或两项(12-2-1)粗糙度Rz满足以下的任一项·1.90m以下·1.80m以下·1.70m以下·1.60m以下·1.50m以下·1.40m以下·1.30m以下(12-2-2)粗糙度Rz满足以下的任一项·1.10μm以上·1.20μm以上(12-3)粗糙度Sq满足以下(12-3-1)及(12-3-2)中的任意一项或两项(12-3-1)粗糙度Sq满足以下的任一项·0.29μm以下·0.28μm以下·0.27μm以下·0.26μm以下·0.25μm以下·0.24μm以下·0.23μm以下·0.22μm以下·0.21μm以下(12-3-2)粗糙度Sq满足以下的任一项·0.17μm以上·0.18μm以上·0.19μm以上·0.20μm以上(12-4)粗糙度Ssk满足以下(12-4-1)及(12-4-2)中的任意一项或两项(12-4-1)粗糙度S...

【专利技术属性】
技术研发人员：大理友希，新井英太，三木敦史，福地亮，
申请(专利权)人：JX金属株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP