【技术实现步骤摘要】
图像传感器
本专利技术构思涉及图像传感器。
技术介绍
图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器通常分为电荷耦合器件(CCD)图像传感器和互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器。随着半导体器件变得越来越集成，图像传感器也正变得更加高度集成。随着每个像素的尺寸减小，由暗电流或界面中的电荷积累所致的缺陷的产生增加。
技术实现思路
根据本专利技术构思的一示例性实施方式，一种图像传感器被提供如下。基板包括布置成二维阵列结构的多个像素，并且具有正面和与正面相反的背面。互连布置在基板的正面上。绝缘层、滤色器和微透镜布置在基板的背面上。像素分离结构设置在基板中。像素分离结构包括在图像传感器的俯视图中具有网格结构的导电层并且围绕所述多个像素的每个。背面接触与像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分垂直地重叠并电连接到像素分离结构的导电层的网格结构的网格点部分。根据本专利技术构思的一示例性实施方式，一种图像传感器被提供如下。多个像素每个包括设置在具有正面和背面的基板中的光电二极管，所述多个像素布置在第一方向和第二方向上以在图像传感器的俯视图中形成阵列结构。像素分离...
【技术保护点】
1.一种图像传感器，包括：基板，其包括布置成二维阵列结构的多个像素并且具有正面和与所述正面相反的背面；布置在所述基板的所述正面上的互连；布置在所述基板的所述背面上的绝缘层、滤色器和微透镜；设置在所述基板中的像素分离结构，其中所述像素分离结构包括在所述图像传感器的俯视图中具有网格结构并围绕所述多个像素的每个的导电层；以及背面接触，其与所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的网格点部分垂直地重叠并且电连接到所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分。
【技术特征摘要】
2017.03.29 KR 10-2017-00402141.一种图像传感器，包括：基板，其包括布置成二维阵列结构的多个像素并且具有正面和与所述正面相反的背面；布置在所述基板的所述正面上的互连；布置在所述基板的所述背面上的绝缘层、滤色器和微透镜；设置在所述基板中的像素分离结构，其中所述像素分离结构包括在所述图像传感器的俯视图中具有网格结构并围绕所述多个像素的每个的导电层；以及背面接触，其与所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的网格点部分垂直地重叠并且电连接到所述像素分离结构的所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分。2.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述像素分离结构还包括多个侧壁绝缘层，所述多个侧壁绝缘层的每个插置在所述导电层与所述多个像素中的一个之间并且围绕所述多个像素中的所述一个，以及其中所述导电层穿透所述基板以电连接到所述互连。3.如权利要求2所述的图像传感器，其中负电压或地电压通过所述互连被施加到所述导电层和所述背面接触。4.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述背面接触的一部分插入到所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分中。5.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述背面接触包括穿透所述绝缘层的上头部和插入到所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分中的下插入部，以及其中所述上头部的宽度大于所述下插入部的宽度。6.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述背面接触的上表面具有圆形、椭圆形、多边形和十字形中的一种。7.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述多个像素的每个在所述图像传感器的俯视图中具有矩形结构，其中所述多个像素包括布置成两行和两列的四个像素，其中所述背面接触与所述四个像素间隔开，以及其中所述导电层的所述网格结构的所述网格点部分位于所述导电层的邻近于所述四个像素的区域中。8.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述背面接触的宽度小于所述导电层的宽度。9.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述绝缘层包括抗反射层。10.如权利要求2所述的图像传感器，其中所述多个像素的每个包括光电二极管，其中所述光电二极管被所述多个侧壁绝缘层中的一个围绕，使得所述光电二极管与所述像素分离结构的所述导电层隔离。11.如权利要求1所述的图像传感器，其中所述导电层包括多晶硅，以及其中所述背面接触包括钨(W)。12.一种图像传感器，包括：多个像素，每个像素包括设置在包括正面和背面的基板中的光电二极管，所述多个像素布置在第一方向和第二方向上以在所述图像传感器的俯视图中形成阵列结构；穿透所述基板的像素...
【专利技术属性】
技术研发人员：金汉锡，朴炳俊，罗承柱，郑熙根，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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