外延基板及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种外延基板及其制造方法。所述外延基板包括处理基板、位于处理基板上的散热层、位于散热层上的高阻硅基板以及成长于高阻硅基板上的III‑V族半导体层。所述高阻硅基板的电阻值大于100欧姆·厘米。所述高阻硅基板与所述III‑V族半导体层的直径小于所述处理基板的直径，使所述外延基板为凸型基板。

【技术实现步骤摘要】
外延基板及其制造方法
本专利技术涉及一种基板及其制造方法，尤其涉及一种外延基板及其制造方法。
技术介绍
外延(Epitaxy)是指在晶片上长出新结晶，以形成半导体层的技术。由于以外延工艺所形成的膜层具有纯度高、厚度控制性佳等优点，因此已经广泛应用于半导体元件的制造中。然而，现今的外延工艺所制作的基板常因晶片边缘碰撞挤压，而在边缘产生缺陷，如裂痕(crack)、滑移线(slipline)等。这种缺陷会影响到后续形成的元件，而导致元件品质不佳。此外，SOI基板因采用二氧化硅作为元件与基板之间的介面，所以会有散热性差的问题，而影响元件寿命。再者，目前用于高功率领域的外延基板具有机械强度低等问题。因此，目前亟需能解决或改善上述问题的外延基板。
技术实现思路
本专利技术提供一种外延基板，可以改善边缘缺陷、散热性差及机械强度低的问题。本专利技术另提供一种外延基板的制造方法，适于制作出低缺陷、散热性佳及机械强度高的元件。本专利技术的外延基板包括处理基板、位于处理基板上的散热层、位于散热层上的高阻硅基板及成长于高阻硅基板上的III-V族半导体层。高阻硅基板的电阻值大于100欧姆·厘米。高阻硅基板与III本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种外延基板，其特征在于，包括：处理基板；散热层，位于所述处理基板上；高阻硅基板，位于所述散热层上，其中所述高阻硅基板的电阻值大于100欧姆·厘米；以及III‑V族半导体层，成长于所述高阻硅基板上，其中所述高阻硅基板与所述III‑V族半导体层的直径小于所述处理基板的直径，使所述外延基板为凸型基板。

【技术特征摘要】
2017.03.31 US 62/479,3371.一种外延基板，其特征在于，包括：处理基板；散热层，位于所述处理基板上；高阻硅基板，位于所述散热层上，其中所述高阻硅基板的电阻值大于100欧姆·厘米；以及III-V族半导体层，成长于所述高阻硅基板上，其中所述高阻硅基板与所述III-V族半导体层的直径小于所述处理基板的直径，使所述外延基板为凸型基板。2.根据权利要求1所述的外延基板，其特征在于，所述散热层是由第一图案结构与第二图案结构所组成，所述第一图案结构的材料不同于所述第二图案结构的材料，且所述第一图案结构与所述第二图案结构为互补的结构。3.根据权利要求1所述的外延基板，其中所述高阻硅基板的厚度小于5微米。4.根据权利要求1所述的外延基板，其特征在于，所述III-V族半导体层包括：III-V族半导体厚膜；以及缓冲层，位在所述III-V族半导体厚膜与所述高阻硅基板之间。5.根据权利要求1所述的外延基板，还包括N型层，位于所述III-V族半导体层与所述高阻硅基板之间。6.根据权利要求1所述的外延基板，其特征在于，所述散热层包括：第一散热膜，位于所述处理基板上；障壁层，位于所述第一散热膜上；第二散热膜，位于所述障壁层上。7.一种外延基板的制造方法，其特征在于，包括：提供处理基板；形成散热层；形成高阻...

【专利技术属性】
技术研发人员：范俊一，庄志远，林嫚萱，徐文庆，
申请(专利权)人：环球晶圆股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71