A monomer with type (I):
【技术实现步骤摘要】
酸可裂解单体和包括其的聚合物
本公开大体上涉及包括光酸产生剂的聚合物组合物。具体来说,本公开提供衍生自含碘单体的共聚物。
技术介绍
极紫外光刻(“EUVL”)是在<20nm的特征尺寸下取代用于体积半导体制造的光学光刻的主要技术选项之一。极短的波长(13.4nm)是多代技术所需高分辨率的关键促成因素。另外,整个系统概念-扫描曝光、投影光学器件、掩模格式和抗蚀剂技术-与当前光学技术所用的相当类似。与前几代光刻一样,EUVL由抗蚀剂技术、曝光工具技术和掩模技术组成。主要挑战为EUV源功率和吞吐量。EUV电源的任何改进都将直接影响目前严格的抗蚀剂灵敏度规格。实际上,EUVL成像中的主要问题是抗蚀剂灵敏度,灵敏度越低,需要的源功率越大或完全曝光抗蚀剂所需的曝光时间越长。功率级越低,影响印刷线的线边缘粗糙度(LER)的噪声越多。提高EUV灵敏度是关键促成因素。已表明,EUV光吸收截面和二次电子产生率是EUV灵敏度的关键因素。提高EUV光致抗蚀剂灵敏度的一种方式是增加其在13.5nm处的吸收截面,所述吸收截面是可以使用已知的原子吸收在理论上计算的材料的原子特性。构成抗蚀剂材料的典型原子,如碳、氧、氢和氮在13.5nm处具有非常弱的吸收。氟原子具有稍高的吸收,并且已用于寻找高EUV吸收光致抗蚀剂。碘在EUV辐射下具有显著高的吸收截面。最近的专利申请JP2015-161823公开可用于光刻加工的含碘单体和相应聚合物。然而,这些单体都不容易被酸裂解。因此,仍需要新的含碘高吸收性单体以产生可用于光刻加工的含碘聚合物。
技术实现思路
一实施例提供一种具有式(I)的单体: ...
【技术保护点】
1.一种单体,具有式(I):
【技术特征摘要】
2017.03.31 US 15/4756301.一种单体,具有式(I):其中在式(I)中:Ra是H、F、-CN、C1-10烷基或C1-10氟烷基;R1和R2各自独立地是未经取代或经取代的C1-10直链或支链烷基、未经取代或经取代的C3-10环烷基、未经取代或经取代的C3-10烯基烷基、未经取代或经取代的C3-10炔基烷基或未经取代或经取代的C6-30芳基,其中R1和R2任选地包含至少一个选自O和S的连接基团,并且其中R1和R2一起任选地形成环;表示未经取代或经取代的单环或多环C6-30亚芳基或未经取代或经取代的单环或多环C3-30亚杂芳基,其中“*”和“*’”指示邻近基团或原子的连接点;“I”表示碘;和n是1、2、3、4、5、6、7、8和9。2.根据权利要求1所述的单体,其中所述C6-30亚芳基是单环C6-30亚芳基、稠合双环C6-30亚芳基或单键结合的C6-30亚芳基。3.根据权利要求1或2所述的单体,其中R1和R2中的每一个是未经取代的C1-10直链或支链烷基。4.根据权利要求3所述的单体,其中R1和R2中的一个是未经取代的C1-10直链或支链烷基并且R1和R2中的另一个是经至少一个氟原子取代的C1-10直链或支链烷基。5.根据权利要求1至4中任一项所述的单体,其中n是1、2或3。6.一种共聚物,包含根据权利要求1至5中任一项所述的单体的聚合产物。7.根据权利要求6所述的共聚物,另外包含碱溶性单体、含有内酯的单体或其组合的聚合产物。8.根据权利要求7所述的共聚物,其中所述碱溶性单体由式(II)表示,并且其中所述含有内酯的单体由式(III)表示:其中各Ra独立地是H、F、C1-10烷基或C1-10氟烷基;Q1是选自C1-20烷基、C3-20环烷基、C6-20芳基和C7-20芳烷基的含酯或不含酯基团;W是碱反应性基团,包含-C(=O)-OH;-C(CF3)2OH;-NH-SO2-Y1,其中Y1是F或C1-4全氟烷基;芳族-OH;或前述任一个与乙烯基醚的加合物;a是1至3的整数;和L是含有单环、多环或稠合多环C4-20内酯的基团。9.根据权利要求6至8中任一项所述的共聚物,另外包含具有光酸产生剂的单体的聚合产物。10.根据权利要求9所述的共聚物,其中所述包含可聚合基团的光酸产生剂单体由式(VIII)表示:其中Ra独立地是H、F、C1-10烷基或C1-10氟烷基;Q2是单键或选自C1-20亚烷基、C3-20亚环烷基、C6-20亚芳基和C7-20亚芳烷基的含酯或不含酯的氟化或未氟化基团;A是选自C1-20亚烷基、C3-20亚环烷基、C6-20亚芳基和C7-20亚芳烷基的含酯或不含酯的氟化或...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·阿卡德,J·W·萨克莱,
申请(专利权)人:罗门哈斯电子材料有限责任公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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