带阈值补偿的电压型像素单元电路、阈值电压补偿的驱动方法、图像或者视频的显示方法技术

本发明专利技术公开了一种带阈值补偿的电压型像素单元电路，其特征在于它包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、采样保持电容C1、数据信号线VDATA、采样控制信号线SMP、保持信号线HLD、电源线VDD、发光器件的共阴极电源线VCOM、发光器件。本发明专利技术提出的新型带阈值补偿的电压型像素单元驱动电路，能有效解决驱动管阈值变化对像素阵列驱动电流带来的波动，进而提高整个显示器的显示一致性。

【技术实现步骤摘要】
带阈值补偿的电压型像素单元电路、阈值电压补偿的驱动方法、图像或者视频的显示方法
本专利技术涉及自发光显示的像素单元电路，尤其涉及OLED/LED微显示驱动的像素单元电路。
技术介绍
近些年随着AR(AugmentedReality，增强现实)/VR((VirtualReality，虚拟现实)技术的发展，与之紧密相关的微显示技术也得到了广泛的关注。微显示(Microdisplay)技术是显示
的一个分支，一般将显示器对角线尺寸小于1英寸(2.54cm)或者指那些小到需要光学放大的显示器称为微显示器。目前常见的微显示技术有OLEDoS(OrganicLight-EmittingDiodeonSilicon，硅基有机发光)、LEDoS(LightEmittingDiodeonSilicon，硅基二极管发光)、LCoS(LiquidCrystalonSilicon，硅基液晶)和DMD(DigitalMicromirrorDevice，数字微镜器件)四种，其中OLEDoS和LEDoS都属于主动发光，而LCoS和DMD则属于被动发光；同时，OLEDoS和LEDoS还具有低功耗、高对比度以及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带阈值补偿的电压型像素单元电路，其特征在于它包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、采样保持电容C1、数据信号线VDATA、采样控制信号线SMP、保持信号线HLD、电源线VDD、发光器件的共阴极电源线VCOM、发光器件，所述电源线VDD一方面连接采样保持电容C1的上极板，另一方面连接第四晶体管M4的源极；所述采样保持电容C1的下极板分别连接第一晶体管M1的栅极、第二晶体管M2的漏极；所述采样控制信号线SMP分别连接第二晶体管M2的栅极、第三晶体管M3的栅极；所述保持信号线HLD连接第三晶体管M4的栅极、第五晶体管M5的栅极；所述数据信号线V...

【技术特征摘要】
1.一种带阈值补偿的电压型像素单元电路，其特征在于它包括：第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4、第五晶体管M5、采样保持电容C1、数据信号线VDATA、采样控制信号线SMP、保持信号线HLD、电源线VDD、发光器件的共阴极电源线VCOM、发光器件，所述电源线VDD一方面连接采样保持电容C1的上极板，另一方面连接第四晶体管M4的源极；所述采样保持电容C1的下极板分别连接第一晶体管M1的栅极、第二晶体管M2的漏极；所述采样控制信号线SMP分别连接第二晶体管M2的栅极、第三晶体管M3的栅极；所述保持信号线HLD连接第三晶体管M4的栅极、第五晶体管M5的栅极；所述数据信号线VDATA连接第三晶体管M3的漏极；所述第一晶体管M1的漏极、第二晶体管M2的源极、第四晶体管M4的漏极彼此互联；所述第一晶体管M1的源极、第三晶体管M3的源极、第五晶体管M5的源极彼此互联；所述第五晶体管M5的漏极与发光器件的阳极相连；所述发光器件的阴极与电源线VCOM相连。2.根据权利要求1所述的电路，其特征在于所述发光器件为OLED或LED。3.根据权利要求1所述的电路，其特征在于第一晶体管M1为NMOS管，第二晶体管M2、第三晶体管M3、第四晶体管M4和第五晶体管M5均为PMOS管。4.一种阈值电压补偿的驱动方法，基于权利要求1所述的电路，其特征在于它包括两个阶段：(1)数据采样和阈值补偿阶段：此阶段采样控制信号线SMP为低电平，保持信号线HLD为高电平，第一晶体管M1、第二晶体管M2和第三晶体管M3导通，第四晶体管和第五晶体管M5截止，发光器件处于不发光状态；此时第一晶体管M1的栅极和漏极通过第二晶体管M2短接在一起，从而第一晶体管M1构成一个二极管连接形式；与此同时，数据信号线VDATA通过第三晶体管M...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵博华，
申请(专利权)人：南京微芯华谱信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32