驱动电路结构及其制作方法技术

一种驱动电路结构及其制作方法。所述驱动电路结构包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管，所述控制芯片内部具有过流保护电路：所述控制芯片的所述过流保护电路还具有电流采样电阻；所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的镜像电流VDMOS管，所述镜像电流VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一半导体衬底上；所述镜像电流VDMOS管的漏极与所述开关VDMOS管的漏极连接至外置电压输入端；所述镜像电流VDMOS管的源极与所述电流采样电阻的采样端串联。所述驱动电路结构的驱动效率得到提升。

Driving circuit structure and making method thereof

A driving circuit structure and manufacturing method thereof. The driving circuit structure comprises a control chip and a switching VDMOS tube arranged outside the control chip, wherein the control chip has an overcurrent protection circuit: the overcurrent protection circuit of the control chip also has a current sampling resistance; and the driving circuit structure also includes a mirror set outside the control chip. The mirror current VDMOS transistor is integrated with the switch VDMOS transistor on the same semiconductor substrate; the drain of the mirror current VDMOS transistor is connected with the drain of the switch VDMOS transistor to an external voltage input; the source of the mirror current VDMOS transistor is in series with the sampling end of the current sampling resistance. The driving efficiency of the driving circuit structure is improved.

【技术实现步骤摘要】
驱动电路结构及其制作方法
本专利技术涉及电路领域，尤其涉及一种驱动电路结构及其制作方法。
技术介绍
LED(LightEmittingDiode)等半导体器件的驱动电源主要是恒流源，通常是由控制芯片(IC)控制MOS管的导通时间和开关频率来控制输出电流的。对于小功率的LED，驱动电源通常是以一颗控制芯片集成一颗LDMOS来实现上述功能的。但是，由于LDMOS的器件结构特点，要输出较大的电流，芯片面积相比VDMOS会增大，由于LDMOS内阻比较大，同等功率情况下，温升也会比VDMOS大，因此LDMOS通常用于小功率LED驱动电路。另外，控制IC集成LDMOS的结构，由于LDMOS为高压器件，制作工艺不能与普通低压工艺兼容，生产工艺需增加单独的高压制程，制作成本会相应增加。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种驱动电路结构及其制作方法，以提高驱动电路结构的驱动效率，简化相应的制作工艺，降低成本。为解决上述问题，本专利技术提供了一种驱动电路结构，包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管，所述控制芯片内部具有过流保护电路：所述控制芯片的所述过流保护电路具有电流采样电阻；所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种驱动电路结构，包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管，所述控制芯片内部具有过流保护电路，其特征在于：所述控制芯片的所述过流保护电路还具有电流采样电阻；所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的镜像电流VDMOS管，所述镜像电流VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一半导体衬底上；所述镜像电流VDMOS管的漏极与所述开关VDMOS管的漏极连接至外置电压输入端；所述镜像电流VDMOS管的源极与所述电流采样电阻的采样端串联。

【技术特征摘要】
1.一种驱动电路结构，包括控制芯片和设置在所述控制芯片以外的开关VDMOS管，所述控制芯片内部具有过流保护电路，其特征在于：所述控制芯片的所述过流保护电路还具有电流采样电阻；所述驱动电路结构还包括设置在所述控制芯片以外的镜像电流VDMOS管，所述镜像电流VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一半导体衬底上；所述镜像电流VDMOS管的漏极与所述开关VDMOS管的漏极连接至外置电压输入端；所述镜像电流VDMOS管的源极与所述电流采样电阻的采样端串联。2.如权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，所述镜像电流VDMOS管的栅极与所述开关VDMOS管的栅极共同连接至所述控制芯片的驱动器；所述开关VDMOS管的源极连接至所述控制芯片的电压输出端。3.如权利要求1或2所述的驱动电路结构，其特征在于，还包括设置在所述控制芯片以外的高压VDMOS管，所述高压VDMOS管与所述开关VDMOS管集成在同一所述半导体衬底上；所述高压VDMOS管的漏极与所述镜像电流VDMOS管的漏极连接至所述外置电压输入端。4.如权利要求3所述的驱动电路结构，其特征在于，所述高压VDMOS管的漏极和源极之间具有串联电阻。5.如权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，在所述半导体上，所述开关VDMOS管的源区面积为所述镜像电流VDMOS管的源区面积的100倍以上。6.如权利要求1所述的驱动电路结构，其特征在于，所述驱动电路结构为LED恒流驱动电路结构。7.一种驱动电路结构的制作方法，其特征在于，包括：在半导体衬底正面上形成开关VDMOS管的第一栅氧化层和镜像电流VDMOS管的第二栅氧化层；在所述第一栅氧化层上形成所述开关VDMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘竹，方绍明，彭军其，林晓楷，
申请(专利权)人：厦门元顺微电子技术有限公司，深圳元顺微电子技术有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35