The invention discloses a multi band ultra thin terahertz strong absorber. The multi-band ultra-thin terahertz strong absorber is composed of a metal film layer with thickness t1 and a semiconductor dielectric layer 2 with thickness t2. The semiconductor dielectric layer is composed of a semiconducting cylinder arranged in a square lattice array. The height of the semiconductor cylinder is t2, the radius is r, and the period is p. The multi-band ultra-thin terahertz strong absorber has the advantages of ultra-thin thickness, multi-band, high absorption rate and easy integration.
【技术实现步骤摘要】
一种多频带超薄太赫兹强吸收体
本专利技术涉及太赫兹
，尤其涉及一种多频带超薄太赫兹强吸收体。
技术介绍
太赫兹波是指频率处于0.1THz-10THz，对应的波长范围为0.03mm-3mm之间的电磁波，在电磁波谱中位于微波与红外之间。太赫兹波具有宽频谱、高透射、低辐射等特性，在通信、成像和安检等领域具有潜在的应用前景。为了进一步扩展和推广太赫兹技术的应用，研究者们提出了各种各样的太赫兹功能器件，比如滤波器、开关、振幅调制器、相位调制器、吸收体等等。然而由于自然界缺乏理想的可控频率吸收的天然材料，以及太赫兹隐身技术在军事安全中的苛刻要求，目前的太赫兹吸收体无法满足实际应用的需求。近年来，研究人员也设计出了多种太赫兹吸收体，这些吸收体大多是基于电磁超材料，其结构采用类似于“三明治”的多层结构组成。这些吸收体结构厚度偏厚，吸收率不高，工艺过程复杂，不易集成。为此，针对现有技术的缺陷，本专利技术提出了一种多频带超薄太赫兹强吸收体，该吸收体具有厚度薄，多频带，吸收率高，易于集成等优点。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是，针对现有基于电磁超材料的太赫兹强吸收体结构复...
【技术保护点】
1.一种多频带超薄太赫兹强吸收体，其特征在于所述多频带超薄太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成。
【技术特征摘要】
1.一种多频带超薄太赫兹强吸收体，其特征在于所述多频带超薄太赫兹强吸收体由金属薄膜层1和半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成。2.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的材料为贵金属。3.根据权利要求1所述的太赫兹强吸收体，其特征在于所述金属薄膜层的厚度t1大于入射太赫兹波的趋肤深度...
【专利技术属性】
技术研发人员：白晋军，张曙升，葛梅兰，孙晓东，邢海英，常胜江，
申请(专利权)人：天津工业大学，
类型：发明
国别省市：天津,12
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