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本发明公开了一种多频带超薄太赫兹强吸收体。所述的多频带超薄太赫兹强吸收体是由厚度为t1的金属薄膜层1和厚度为t2的半导体介质层2叠加而成，其中所述的半导体介质层是由呈正方晶格阵列排列的半导体圆柱体构成，所述的半导体圆柱体高度为t2，半径为r...
该专利属于天津工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过天津工业大学授权不得商用。

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