The present invention discloses a device structure and its fabrication method for improving GaN enhanced channel mobility by using a novel barrier layer. The structure includes substrate, GaN or AlN buffer layer, GaN channel layer, AlGaN layer insertion layer, GaN insertion layer, AlN insertion layer, AlGaN insertion layer, AlGaN insertion layer, mask dielectric layer, insulating gate dielectric layer and source-drain ohm. Contact and gate metal. AlGaN/AlN/GaN/AlGaN/GaN heterojunction materials were epitaxially grown on substrates. Source and drain electrodes were formed on this structure. The method inserts a group of AlN/GaN into the AlGaN barrier layer, and the inserted GaN layer acts as the stop layer of thermal oxidation and wet etching. A complete AlGaN/GaN heterostructure is retained under the gate, which avoids the damage of the corrosion and deposition medium layer to the channel, reduces the on-resistance, and can accurately control the thickness of the barrier layer under the gate. It can improve the accuracy, controllability and consistency of the process, and is conducive to large-scale industrial production.
【技术实现步骤摘要】
一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法
本专利技术属于微电子
,涉及GaN电力电子器件制作
技术介绍
近年来,氮化镓材料由于禁带宽度大、击穿电场强、饱和速度大而引起了广泛关注。AlGaN/GaN异质结强极化效应形成高浓度的二维电子气在高速、高功率及耐压电子器件领域扮演着重要的角色。GaN材料优越的性能使其在射频微波和电力电子领域有着广阔的应用前景。GaN器件主要以GaN异质结HEMT为主,在常规的AlGaN/GaN异质结中,由于自发极化效应和压电极化效应,在异质结界面存在高浓度的二维电子气,即常规的AlGaN/GaNHEMT器件表现为耗尽型器件。但出于系统安全性和简洁性的考虑,在很多实际电路的应用中需要增强型器件。目前比较常用来实现增强型GaNMOS的方法是栅移除技术和氟离子注入技术,栅移除技术又包括干法刻蚀和湿法腐蚀两种。其中干法刻蚀的栅移除方法和氟离子注入的方法,对GaNMOS沟道表面都有很大的损伤;而湿法腐蚀的栅移除技术虽然无等离子损伤,但由于一次性全部移除AlGaN势垒层,淀积栅介质层对沟道的损伤不可避免,得到的MOS沟道的迁移率远低于异质结界面的迁移率,因此制备出的增强型器件的导通电阻大、输出电流密度较低。为了提高GaN增强型沟道电子迁移率,需要改善表面形貌,减少界面散射。目前解决这一问题有如下改善方案:1.调节工艺参数使得对沟道的损伤尽可能小;2.从能带工程的角度利用背势垒结构使得沟道电子远离介质层和GaN界面,从而减小界面对沟道电子的散射,提高增强型沟道电子迁移率,进而提升器件的饱和电流,获得高性能、高稳定的G ...
【技术保护点】
1.一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:所述结构包括:衬底、GaN或AlN缓冲层、本征GaN沟道层、本征AlGaN插入层、本征GaN插入层、本征AlN插入层、本征AlGaN势垒层、掩膜介质层、绝缘绝缘栅介质层和栅金属;所述AlN/GaN组位于两层AlGaN之间;在衬底上外延生长AlGaN/GaN/AlN/AlGaN/GaN异质结材料,在晶元表面定义栅极区域,栅极区域下方AlGaN/AlN层被刻蚀掉,并在该结构上形成源极和漏极以形成GaN增强型器件。
【技术特征摘要】
1.一种利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:所述结构包括:衬底、GaN或AlN缓冲层、本征GaN沟道层、本征AlGaN插入层、本征GaN插入层、本征AlN插入层、本征AlGaN势垒层、掩膜介质层、绝缘绝缘栅介质层和栅金属;所述AlN/GaN组位于两层AlGaN之间;在衬底上外延生长AlGaN/GaN/AlN/AlGaN/GaN异质结材料,在晶元表面定义栅极区域,栅极区域下方AlGaN/AlN层被刻蚀掉,并在该结构上形成源极和漏极以形成GaN增强型器件。2.根据权利要求1所述的利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:其中的衬底材料为Si、SiC、蓝宝石。3.根据权利要求1所述的利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:AlGaN插入层的厚度在1和5nm之间。4.根据权利要求1所述的利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:GaN插入层的厚度在1和3nm之间。5.根据权利要求1所述的利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:AlN插入层的厚度在1和3nm之间。6.根据权利要求1所述的利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:掩膜介质层的材料可以为:SiO2、Al2O3、HfO2、MgO。。7.根据权利要求1所述的利用新型势垒层提高GaN增强型沟道迁移率的器件结构及实现方法,其特征在于:绝缘栅介质层的材料为以下材料中的任意一种:Si3N4、Al2O3、AlN、HfO2...
【专利技术属性】
技术研发人员:王茂俊,沈波,陶明,刘少飞,郝一龙,
申请(专利权)人:北京大学,
类型:发明
国别省市:北京,11
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