精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器，包括依次连接的输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络、漏源补偿双路自偏堆叠放大网络、E3F2类阻抗匹配网络以及输出功率合成基波网络。本发明专利技术采用基于漏源补偿双路自偏二堆叠晶体管结构，并结合了高效E3F2类输出匹配网络，使得电路可以实现E3F2类放大器输出阻抗的基波、谐波阻抗的精确控制，本发明专利技术可以结合F类与E类放大器的输出阻抗电路共性，将峰值电压控制在F类和E类中间，缓解了晶体管的峰值电压的设计压力，并且具有高效率、高增益、高功率输出能力，占用较小的电路尺寸。

Precise harmonic control high gain and high efficiency class E3F2 stacked power amplifier

The invention discloses a class E3F2 stacked power amplifier with high gain and high efficiency controlled by precise harmonics, which comprises an input improved Wilkinson power division impedance matching network, a drain source compensation double-channel self-offset stacked amplifier network, an E3F2 impedance matching network and an output power combining fundamental wave network. The invention adopts a double-channel self-biasing stacked transistor structure based on drain-source compensation and combines with an efficient E3F2 output matching network, so that the circuit can realize the accurate control of the fundamental and harmonic impedance of the output impedance of the E3F2 amplifier. The invention can combine the common characteristics of the output impedance circuit of the F-type and the E-type amplifier to achieve the peak voltage. Controlled between class F and class E, the design pressure of the peak voltage of the transistor is alleviated, and the transistor has high efficiency, high gain, high power output capability and occupies a small circuit size.

【技术实现步骤摘要】
精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器
本专利技术属于场效应晶体管射频功率放大器和集成电路
，具体涉及一种精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器的设计。
技术介绍
随着现代军用、民用通信技术的发展，射频前端发射机也向高效率、高增益、高功率输出的方向发展。因此市场迫切的需求高效率、高增益、高功率的功率放大器。然而，在传统高效率功率放大器的设计中，一直存在一些设计难题，主要体现在高效率指标相互制约：为了保证放大器的高效率工作，晶体管要工作在过驱动模式下，类似于开关状态，但是过驱动开关功率放大器的带宽一直是电路实现的技术瓶颈。常见的高效率功率放大器的电路结构有很多，最典型的是传统AB类、C类，开关型D类、E类、F类功率放大器等，但是，这些高效率放大器的宽带特性仍然存在一些不足，主要体现在：传统AB类放大器理论极限效率为78.5％，相对较低，往往需要牺牲输出插损和效率来增加放大器的带宽；C类放大器极限效率为100％，但是功率输出能力较低，宽带输出能力和效率较低；开关型D类、E类、F类功率放大器等需要依赖精确的谐波阻抗控制，或者严格的阻抗匹配条件，这些控制和条件都大大限制了放大器工作带宽。除此之外，现有高效率场效应管功率放大器往往是基于单个共源晶体管实现的，受到单个晶体管的限制，功率输出能力和功率增益能力都相对较低。
技术实现思路
本专利技术的目的是提出一种精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器，利用自偏置晶体管堆叠技术以及高效率E3F2类匹配技术，使得电路可以实现E3F2类放大器输出阻抗的基波、谐波阻抗的精确控制，并且具有高效率、高增益、高功率输出能力，占用较小的电路尺寸。本专利技术的技术方案为：一种精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器，包括依次连接的输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络、漏源补偿双路自偏堆叠放大网络、E3F2类阻抗匹配网络以及输出功率合成基波网络；输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的输入端为整个E3F2类堆叠功率放大器的输入端，其第一输出端与漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第二输入端连接；输出功率合成基波网络的输出端为整个E3F2类堆叠功率放大器的输出端，其第一输入端与E3F2类阻抗匹配网络的第一输出端连接，其第二输入端与E3F2类阻抗匹配网络的第二输出端连接；漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输出端与E3F2类阻抗匹配网络的第一输入端连接，其第二输出端与E3F2类阻抗匹配网络的第二输入端连接。本专利技术的有益效果是：本专利技术采用自偏置晶体管堆叠技术以及高效率E3F2类匹配技术，使得电路可以实现E3F2类放大器输出阻抗的基波、谐波阻抗的精确控制，该E3F2类放大器可以结合F类与E类放大器的输出阻抗电路共性，将峰值电压控制在F类和E类中间，缓解了晶体管的峰值电压的设计压力，并且具有高效率、高增益、高功率输出能力，占用较小的电路尺寸。进一步地，输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络包括隔直电容C1，隔直电容C1的一端为输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的输入端，其另一端分别与电感L1的一端、微带线TL1的一端、微带线TL2的一端以及接地电容C3连接，电感L1的另一端分别与接地电容C2以及低压偏置电源Vg连接；微带线TL1的另一端分别与电阻R1的一端以及微带线TL3的一端连接，微带线TL3的另一端连接电阻R2后作为输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的第一输出端；微带线TL2的另一端分别与电阻R1的另一端以及微带线TL4的一端连接，微带线TL4的另一端连接电阻R11后作为输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的第二输出端。上述进一步方案的有益效果是：本专利技术采用的输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络能够实现对射频输入的信号进行等功率分配以及阻抗匹配，同时还可对漏源补偿双路自偏堆叠放大网络中两路堆叠功率放大电路的底层晶体管起到良好的栅极供电及偏置作用。进一步地，漏源补偿双路自偏堆叠放大网络包括第一路二堆叠功率放大电路和第二路二堆叠功率放大电路，第一路二堆叠功率放大电路和第二路二堆叠功率放大电路结构相同。第一路二堆叠功率放大电路包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M2和底层晶体管M1；底层晶体管M1的源极接地，其栅极为漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输入端；底层晶体管M1的漏极和顶层晶体管M2的源极之间通过微带线TL5连接；顶层晶体管M2的漏极为漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输出端，其源极和漏极之间通过电容C7连接，其栅极分别与电阻R4的一端以及第一栅极补偿电路连接；第一栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R3和补偿接地电容C4。第二路二堆叠功率放大电路包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M4和底层晶体管M3；底层晶体管M3的源极接地，其栅极为漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第二输入端；底层晶体管M3的漏极和顶层晶体管M4的源极之间通过微带线TL6连接；顶层晶体管M4的漏极为漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第二输出端，其源极和漏极之间通过电容C6连接，其栅极分别与电阻R6的一端以及第二栅极补偿电路连接；第二栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R7和补偿接地电容C5。电阻R4的另一端分别与电阻R6的另一端、电阻R8的一端以及接地电阻R5连接，电阻R8的另一端分别与电阻R9的一端以及电阻R10的一端连接，电阻R9的另一端与顶层晶体管M2的漏极连接，电阻R10的另一端与顶层晶体管M4的漏极连接。上述进一步方案的有益效果是：本专利技术的核心架构采用漏源补偿双路自偏堆叠放大网络，可以帮助高效率开关功率放大器提升功率容量和功率增益。并且本专利技术采用的双路堆叠放大网络加入了自偏置结构，不需要额外的堆叠栅极偏置电压，大大简化了堆叠结构的外围栅极供电结构。此外，本专利技术采用的漏源补偿型结构可以抑制堆叠结构在逆F类工作模式下的栅源泄露现象。进一步地，E3F2类阻抗匹配网络包括微带线TL7和微带线TL8，微带线TL7的一端为E3F2类阻抗匹配网络的第一输入端，其另一端分别与电容C8的一端以及微带线TL9的一端连接，微带线TL9的另一端为E3F2类阻抗匹配网络的第一输出端，并通过电感L2连接电容C10的一端；微带线TL8的一端为E3F2类阻抗匹配网络的第二输入端，其另一端分别与电容C9的一端以及微带线TL10的一端连接，微带线TL10的另一端为E3F2类阻抗匹配网络的第二输出端，并通过电感L3连接电容C11的一端；电容C8的另一端与电容C9的另一端连接并接地，电容C10的另一端与电容C11的另一端连接并接地。上述进一步方案的有益效果是：本专利技术中的E3F2类阻抗匹配网络采用基于精确谐波控制的E3F2类匹配架构，可以实现输出阻抗的基波、谐波阻抗的精确控制，结合F类与E类放大器的输出阻抗电路共性，将峰值电压控制在F类和E类中间，缓解了晶体管的峰值电压的设计压力，并且具有高效率、高增益、高功率输出能力，占用较小的电路尺寸。进一步地，输出功率合成基波网络包括隔直电容C15，隔直电容C15的一端为输出功率合成基波网络的输出端，其另一端分别与电感L6的一端以及接地电容C13连接，电感L6的另一端还分别与电阻R11的一端以及高压偏置电源Vd连接，电阻R11的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器，其特征在于，包括依次连接的输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络、漏源补偿双路自偏堆叠放大网络、E3F2类阻抗匹配网络以及输出功率合成基波网络；所述输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的输入端为整个所述E3F2类堆叠功率放大器的输入端，其第一输出端与漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第二输入端连接；所述输出功率合成基波网络的输出端为整个所述E3F2类堆叠功率放大器的输出端，其第一输入端与E3F2类阻抗匹配网络的第一输出端连接，其第二输入端与E3F2类阻抗匹配网络的第二输出端连接；所述漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输出端与E3F2类阻抗匹配网络的第一输入端连接，其第二输出端与E3F2类阻抗匹配网络的第二输入端连接。

【技术特征摘要】
1.精确谐波控制高增益高效率E3F2类堆叠功率放大器，其特征在于，包括依次连接的输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络、漏源补偿双路自偏堆叠放大网络、E3F2类阻抗匹配网络以及输出功率合成基波网络；所述输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的输入端为整个所述E3F2类堆叠功率放大器的输入端，其第一输出端与漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输入端连接，其第二输出端与漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第二输入端连接；所述输出功率合成基波网络的输出端为整个所述E3F2类堆叠功率放大器的输出端，其第一输入端与E3F2类阻抗匹配网络的第一输出端连接，其第二输入端与E3F2类阻抗匹配网络的第二输出端连接；所述漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输出端与E3F2类阻抗匹配网络的第一输入端连接，其第二输出端与E3F2类阻抗匹配网络的第二输入端连接。2.根据权利要求1所述的E3F2类堆叠功率放大器，其特征在于，所述输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络包括隔直电容C1，所述隔直电容C1的一端为输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的输入端，其另一端分别与电感L1的一端、微带线TL1的一端、微带线TL2的一端以及接地电容C3连接，所述电感L1的另一端分别与接地电容C2以及低压偏置电源Vg连接；所述微带线TL1的另一端分别与电阻R1的一端以及微带线TL3的一端连接，所述微带线TL3的另一端连接电阻R2后作为输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的第一输出端；所述微带线TL2的另一端分别与电阻R1的另一端以及微带线TL4的一端连接，所述微带线TL4的另一端连接电阻R11后作为输入改进型威尔金森功分阻抗匹配网络的第二输出端。3.根据权利要求1所述的E3F2类堆叠功率放大器，其特征在于，所述漏源补偿双路自偏堆叠放大网络包括第一路二堆叠功率放大电路和第二路二堆叠功率放大电路，所述第一路二堆叠功率放大电路和第二路二堆叠功率放大电路结构相同；所述第一路二堆叠功率放大电路包括按照源极-漏极相连堆叠构成的顶层晶体管M2和底层晶体管M1；所述底层晶体管M1的源极接地，其栅极为漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输入端；所述底层晶体管M1的漏极和顶层晶体管M2的源极之间通过微带线TL5连接；所述顶层晶体管M2的漏极为漏源补偿双路自偏堆叠放大网络的第一输出端，其源极和漏极之间通过电容C7连接，其栅极分别与电阻R4的一端以及第一栅极补偿电路连接；所述第一栅极补偿电路包括串联的栅极稳定电阻R3和补偿接地电容C4；所述第二路二堆...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡柳林，邬海峰，滑育楠，陈依军，吕继平，童伟，王测天，
申请(专利权)人：成都嘉纳海威科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：四川,51