【技术实现步骤摘要】
半导体晶体脱模装置及方法
本专利技术涉及一种半导体材料制备领域，尤其涉及一种半导体晶体脱模装置及方法。
技术介绍
砷化镓(GaAs)是继Ge、Si之后的第二代半导体材料。目前工业上应用最为广泛的是VGF和VB法生长砷化镓单晶，采用PBN坩埚作为载体生长成所需要的形状和尺寸，PBN坩埚和晶体之间通常采用一层液封剂来防止砷化镓与坩埚直接接触，液封剂同时起到防止表面砷离解的作用。由于砷化镓的熔点为1238℃，而砷在613℃就会升华，为抑制砷元素的挥发，保证砷化镓多晶熔融后熔体内砷镓比为1:1，选用氧化硼作为液封剂，在往坩埚内装多晶料时，放入一定量的氧化硼；氧化硼熔点为450℃，在长晶初期升温过程中，氧化硼先熔化填充坩埚中多晶料空隙；当温度继续升高至多晶料熔化时，由于氧化硼熔体比砷化镓熔体密度低，氧化硼最终会浮在砷化镓顶部形成液封层。液封层既可以防止砷挥发，同时可以减少杂质进入，还能起到减少坩埚内壁对晶体生长影响、提高成品率的重要作用。由于退火冷却到常温后的砷化镓单晶和氧化硼粘结在一起，自然条件下无法让砷化镓晶体脱离PBN坩埚，现有的脱模方法是利用甲醇与氧化硼反应来脱模。...
【技术保护点】
1.一种半导体晶体脱模装置，用于分离晶体和PBN坩埚，其特征在于：脱模装置包括一加热炉体、一对固定滑轨，所述加热炉体一面开设一开口，加热炉体内设置有若干加热器，所述固定滑轨包括两条导轨、连接于两条导轨之间的一固定支架、连接于两条导轨之间的一支撑平台以及连接于两条导轨之间的一底座，两条导轨自加热炉体外通过开口延伸至加热炉体内，加热炉体滑动连接在两条导轨上并能够沿着导轨滑动，支撑平台与导轨之间为滑动连接，固定支架、底座与两条导轨之间为固定连接，底座与支撑平台之间设置有一升降杆，升降杆通过伸缩来调整支撑平台与底座之间的距离。
【技术特征摘要】
1.一种半导体晶体脱模装置，用于分离晶体和PBN坩埚，其特征在于：脱模装置包括一加热炉体、一对固定滑轨，所述加热炉体一面开设一开口，加热炉体内设置有若干加热器，所述固定滑轨包括两条导轨、连接于两条导轨之间的一固定支架、连接于两条导轨之间的一支撑平台以及连接于两条导轨之间的一底座，两条导轨自加热炉体外通过开口延伸至加热炉体内，加热炉体滑动连接在两条导轨上并能够沿着导轨滑动，支撑平台与导轨之间为滑动连接，固定支架、底座与两条导轨之间为固定连接，底座与支撑平台之间设置有一升降杆，升降杆通过伸缩来调整支撑平台与底座之间的距离。2.根据权利要求1所述的半导体晶体脱模装置，其特征在于：自支撑平台上凸伸出一支撑杆。3.根据权利要求2所述的半导体晶体脱模装置，其特征在于：开口位于加热炉体的下表面。4.根据权利要求3所述的半导体晶体脱模装置，其特征在于：支撑平...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘留，王金灵，周铁军，罗小龙，
申请(专利权)人：广东先导先进材料股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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