一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法技术

本发明专利技术是一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材；(2)配备亲水混合液，将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中；(3)形成亲水层，将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层；(4)形成导电层。本发明专利技术制备的薄膜具有亲水低雾度性能和耐磨性，在石墨烯表面附加一层纳米银线，提高了薄膜的导电性和透光率，增加了不同涂层间的附着力，防止涂层脱落。

Preparation method of conductive film with hydrophilic and low haze degree

The invention relates to a preparation method of a hydrophilic conductive film with low mist, which comprises the following steps: (1) cleaning the film substrate; (2) equipping with a hydrophilic mixture to add silicon dioxide nanoparticles, organosilicon and cellulose ether into an ethanol diluent; (3) forming a hydrophilic layer and evenly coating the hydrophilic mixture on the film substrate to form a hydrophilic layer. Layer (4) forming a conductive layer. The film prepared by the invention has the properties of hydrophilicity, low mist and wear resistance. A layer of nano-silver wire is added on the surface of graphene to improve the conductivity and transmittance of the film, increase the adhesion between different coatings and prevent the coating from falling off.

【技术实现步骤摘要】
一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法
本专利技术涉及导电薄膜
，尤其涉及一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法。
技术介绍
导电薄膜可以应用于触摸屏、显示设备和电磁屏蔽等领域。部分导电薄膜的亲水性差，由于雾度的原因，透光率不是很高，在制备过程中，涂层与涂层间及涂层与薄膜基材间的附着力差，使用一段时间后常出现涂层分离或脱落现象。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，而提供一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法。本专利技术为实现上述目的，采用以下技术方案：一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材将薄膜基材放入到乙醇和丙酮的混合液中超声100-120min，用去离子水将薄膜基材表面的丙酮冲洗掉；(2)配备亲水混合液将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中，搅拌均匀使溶液充分混合，得到亲水混合液；(3)形成亲水层将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水性薄膜；(4)形成导电层将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶于溶剂中，然后喷涂在亲水性薄膜上，去除溶剂，得到薄膜A；然后将溶于乙醇溶液中的石墨烯喷涂到薄膜A上，在110-180℃的真空箱中干燥，干燥时间为10-55min，得到薄膜B；然后将溶于乙醇溶液的纳米银线喷涂到薄膜B上，在110-180℃的真空箱中干燥，干燥时间为15-55min，得到薄膜C，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水低雾度导电薄膜。特别的，所述步骤(2)中二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚的质量比为20-1000：1-2：1。特别的，所述步骤(4)中的的喷涂压力为0.2MPa，喷涂时间为8-25s。特别的，所述步骤(4)中的乙醇溶液中加入环氧树脂、丙二醇甲醚和助剂。特别的，所述助剂为抗氧化剂、抗老化剂和光稳定剂中的一种或多种。本专利技术的有益效果是：本专利技术制备的薄膜具有亲水低雾度性能和耐磨性，在石墨烯表面附加一层纳米银线，提高了薄膜的导电性和透光率，增加了不同涂层间的附着力，防止涂层脱落。具体实施方式下面结合实施例对本专利技术作进一步说明：一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材将薄膜基材放入到乙醇和丙酮的混合液中超声100-120min，用去离子水将薄膜基材表面的丙酮冲洗掉；(2)配备亲水混合液将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中，搅拌均匀使溶液充分混合，得到亲水混合液；(3)形成亲水层将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水性薄膜；(4)形成导电层将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶于溶剂中，然后喷涂在亲水性薄膜上，去除溶剂，得到薄膜A；然后将溶于乙醇溶液中的石墨烯喷涂到薄膜A上，在110-180℃的真空箱中干燥，干燥时间为10-55min，得到薄膜B；然后将溶于乙醇溶液的纳米银线喷涂到薄膜B上，在110-180℃的真空箱中干燥，干燥时间为15-55min，得到薄膜C，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水低雾度导电薄膜。特别的，所述步骤(2)中二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚的质量比为20-1000：1-2：1。特别的，所述步骤(4)中的的喷涂压力为0.2MPa，喷涂时间为8-25s。特别的，所述步骤(4)中的乙醇溶液中加入环氧树脂、丙二醇甲醚和助剂。特别的，所述助剂为抗氧化剂、抗老化剂和光稳定剂中的一种或多种。实施例一一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材将薄膜基材放入到乙醇和丙酮的混合液中超声100min，用去离子水将薄膜基材表面的丙酮冲洗掉；(2)配备亲水混合液将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中，搅拌均匀使溶液充分混合，得到亲水混合液；(3)形成亲水层将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水性薄膜；(4)形成导电层将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶于溶剂中，然后喷涂在亲水性薄膜上，去除溶剂，得到薄膜A；然后将溶于乙醇溶液中的石墨烯喷涂到薄膜A上，在110℃的真空箱中干燥，干燥时间为10min，得到薄膜B；然后将溶于乙醇溶液的纳米银线喷涂到薄膜B上，在110℃的真空箱中干燥，干燥时间为15min，得到薄膜C，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水低雾度导电薄膜。特别的，所述步骤(2)中二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚的质量比为20：1：1。特别的，所述步骤(4)中的的喷涂压力为0.2MPa，喷涂时间为8s。特别的，所述步骤(4)中的乙醇溶液中加入环氧树脂、丙二醇甲醚和助剂。特别的，所述助剂为抗氧化剂、抗老化剂和光稳定剂中的一种或多种。实施例二一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材将薄膜基材放入到乙醇和丙酮的混合液中超声120min，用去离子水将薄膜基材表面的丙酮冲洗掉；(2)配备亲水混合液将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中，搅拌均匀使溶液充分混合，得到亲水混合液；(3)形成亲水层将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水性薄膜；(4)形成导电层将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶于溶剂中，然后喷涂在亲水性薄膜上，去除溶剂，得到薄膜A；然后将溶于乙醇溶液中的石墨烯喷涂到薄膜A上，在180℃的真空箱中干燥，干燥时间为55min，得到薄膜B；然后将溶于乙醇溶液的纳米银线喷涂到薄膜B上，在180℃的真空箱中干燥，干燥时间为55min，得到薄膜C，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水低雾度导电薄膜。特别的，所述步骤(2)中二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚的质量比为1000：2：1。特别的，所述步骤(4)中的的喷涂压力为0.2MPa，喷涂时间为25s。特别的，所述步骤(4)中的乙醇溶液中加入环氧树脂、丙二醇甲醚和助剂。特别的，所述助剂为抗氧化剂、抗老化剂和光稳定剂中的一种或多种。实施例三一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材将薄膜基材放入到乙醇和丙酮的混合液中超声110min，用去离子水将薄膜基材表面的丙酮冲洗掉；(2)配备亲水混合液将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中，搅拌均匀使溶液充分混合，得到亲水混合液；(3)形成亲水层将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水性薄膜；(4)形成导电层将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶于溶剂中，然后喷涂在亲水性薄膜上，去除溶剂，得到薄膜A；然后将溶于乙醇溶液中的石墨烯喷涂到薄膜A上，在140℃的真空箱中干燥，干燥时间为35min，得到薄膜B；然后将溶于乙醇溶液的纳米银线喷涂到薄膜B上，在140℃的真空箱中干燥，干燥时间为40min，得到薄膜C，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水低雾度导电薄膜。特别的，所述步骤(2)中二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚的质量比为100：1.5：1。特别的，所述步骤(4)中的的喷涂压力为0.2MPa，喷涂时间为15s。特别的，所述步骤(4)中的乙醇溶液中加入环氧树脂、丙二醇甲醚和助剂。特别的，所述助剂为抗氧化剂、抗老化剂和光稳定剂中的一种或多种。上面对本专利技术进行了示例性描述，显然本专利技术具体实现并不受上述方式的限制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材将薄膜基材放入到乙醇和丙酮的混合液中超声100‑120min，用去离子水将薄膜基材表面的丙酮冲洗掉；(2)配备亲水混合液将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中，搅拌均匀使溶液充分混合，得到亲水混合液；(3)形成亲水层将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水性薄膜；(4)形成导电层将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶于溶剂中，然后喷涂在亲水性薄膜上，去除溶剂，得到薄膜A；然后将溶于乙醇溶液中的石墨烯喷涂到薄膜A上，在110‑180℃的真空箱中干燥，干燥时间为10‑55min，得到薄膜B；然后将溶于乙醇溶液的纳米银线喷涂到薄膜B上，在110‑180℃的真空箱中干燥，干燥时间为15‑55min，得到薄膜C，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水低雾度导电薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种亲水低雾度导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)清洗薄膜基材将薄膜基材放入到乙醇和丙酮的混合液中超声100-120min，用去离子水将薄膜基材表面的丙酮冲洗掉；(2)配备亲水混合液将二氧化硅纳米粒子、有机硅、纤维素醚加入到乙醇稀释液中，搅拌均匀使溶液充分混合，得到亲水混合液；(3)形成亲水层将亲水混合液均匀涂覆在薄膜基材形成亲水层，然后用氩气离子体对其表面进行处理，得到亲水性薄膜；(4)形成导电层将聚甲基丙烯酸缩水甘油酯溶于溶剂中，然后喷涂在亲水性薄膜上，去除溶剂，得到薄膜A；然后将溶于乙醇溶液中的石墨烯喷涂到薄膜A上，在110-180℃的真空箱中干燥，干燥时间为10-55min，得到薄膜B；然后将溶于乙醇溶液的纳米银线喷涂到薄膜B上，在11...

【专利技术属性】
技术研发人员：司荣美，潘中海，刘彩风，
申请(专利权)人：天津宝兴威科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12