石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种能够实现石墨烯对目标基底附着增强的石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法。该石墨烯附着增强的复合导电结构包括至上而下的CVD石墨烯层、导电高分子层、目标基底；制备方法包括以下步骤：S1、在催化衬底上生成石墨烯层；S2、在石墨烯表面涂覆热塑性树脂Ⅰ，形成过渡支撑层Ⅰ；S3、表面继续涂覆热塑性树脂Ⅱ，形成过渡支撑层Ⅱ；S4、分离催化衬底，得到结构Ⅳ；S5、在目标基底上涂布导电高分子，得到结构Ⅴ；S6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，S7、去除过渡支撑层Ⅱ；S8、去除过渡支撑层Ⅰ，从而得到复合结构Ⅶ。采用该石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法，保持石墨烯完整不破损，能实现大面积石墨烯完整转移制备。

Graphene reinforced composite conductive structure and preparation method thereof

The invention discloses a composite conductive structure capable of achieving graphene adhesion enhancement on a target substrate and a preparation method thereof. The graphene adhesion-enhanced composite conductive structure comprises a top-down CVD graphene layer, a conductive polymer layer and a target substrate; the preparation method comprises the following steps: S1, the formation of graphene layer on the catalytic substrate; S2, the coating of thermoplastic resin I on the graphene surface, the formation of transition support layer I; S3, and the surface of the continuous coating. Thermoplastic resin II, forming transition support layer II; S4, separating catalytic substrate, obtaining structure IV; S5, coating conductive polymer on the target substrate, obtaining structure V; S6, structure V from the water wet method to get structure IV, S7, removal of transition support layer II; S8, removal of transition support layer I, resulting in composite structure_. The composite conductive structure strengthened by the graphene adhesion and its preparation method can keep the graphene intact and undamaged, and realize the complete transfer preparation of large area graphene.

【技术实现步骤摘要】
石墨烯附着增强的复合导电结构及其制备方法
本专利技术涉及石墨烯生产
，尤其是一种CVD石墨烯附着增强且高平整度的大面积洁净无损转移的复合导电结构及其制备方法。
技术介绍
众所周知的：石墨烯是尽十几年来发现的新型二维碳纳米材料，具有优异的力、光、电、热等方面性能，作为全新的透明导电材料而倍受业内关注。理论上的完美石墨烯，是二维连续的六元环状结构，所有碳均呈次甲基结构，无任何极性侧基。更接近理想结构的CVD法(化学气相沉积技术)制备的高品质单层石墨烯，微观尺度含氧极性基团极少，从而宏观表现完全化学惰性；与常见目标基底附着力很差，同时表面极易受外力破坏，即使低粘力(5～20g/cm)的保护膜的贴覆与撕除操作也会使其发生严重地破坏损伤，因而无法直接使用保护膜封装。目前CVD石墨烯透明导电膜，使用表面非接触的包装盒包装运输，占用空间很大，极大地提高了存储与运输成本；同时，极易损伤的表面特性也为后端的加工应用带来了极大地困难，严重影响成品率，并极易出现功能不良，从而极大程度地限制了CVD石墨烯薄膜的实际应用领域。目前常见的CVD石墨烯转移方法包括：1)热塑性刚硬树脂的湿法转移，如聚甲基丙烯本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.石墨烯附着增强的复合导电结构，其特征在于：包括由上至下的CVD石墨烯层(101)、实现附着增强的导电高分子层(201)、目标基底(200)。

【技术特征摘要】
1.石墨烯附着增强的复合导电结构，其特征在于：包括由上至下的CVD石墨烯层(101)、实现附着增强的导电高分子层(201)、目标基底(200)。2.如权利要求1所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于，依次包括以下步骤：S1、在催化衬底(100)上生成具有二维连续结构的石墨烯层(101)，得到结构Ⅰ；S2、在结构Ⅰ的石墨烯表面涂覆薄而刚硬的热塑性树脂Ⅰ，并烘干成膜，形成保护石墨烯微观结构的过渡支撑层Ⅰ(111)，得到结构Ⅱ；S3、在结构Ⅱ表面继续涂覆厚而柔韧的热塑性树脂Ⅱ，并烘干成膜，形成保持膜宏观强度的过渡支撑层Ⅱ(112)，得到结构Ⅲ；S4、分离催化衬底(100)，得到依次有CVD石墨烯层、过渡支撑衬底Ⅰ、过渡支撑衬底Ⅱ组成的结构Ⅳ；S5、在目标基底(200)上涂布具有长程共轭一维连续环状结构的导电高分子，并烘干成膜(201)，得到结构Ⅴ；S6、结构Ⅴ从水中湿法捞取结构Ⅳ，并充分晾干，随着中间水分挥发，产生的毛细管力，使石墨烯层与导电高分子层在微观分子尺度实现充分贴紧，形成强分子间耦合作用，从而实现附着增强，得到从上而下依次为过渡支撑层Ⅱ(112)、过渡支撑层Ⅰ(111)、CVD石墨烯层(101)、附着增强导电高分子层(201)、目标基底(200)的复合结构Ⅵ；S7、溶剂Ⅱ溶解去除过渡支撑层Ⅱ；S8、溶剂Ⅰ溶解去除过渡支撑层Ⅰ，从而得到CVD石墨烯层(101)/附着增强导电高分子(201)层/目标基底(200)的附着增强且高平整的复合结构Ⅶ。3.如权利要求2所述的石墨烯附着增强的复合导电结构的制备方法，其特征在于：步...

【专利技术属性】
技术研发人员：马金鑫，姜浩，徐鑫，
申请(专利权)人：重庆墨希科技有限公司，
类型：发明
国别省市：重庆,50