显示面板及显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提出了一种显示面板显示装置，所述显示面板包括基板、薄膜晶体管层、阳极层、有机发光层、阴极层、薄膜封装层以及粒子层；本发明专利技术通过在所述薄膜晶体管层与所述薄膜封装层之间设置一粒子层，所述粒子层由若干个银纳米颗粒构成，即根据银纳米颗粒表面的SPR效应，提高光子的态密度以及激子的自发辐射速率，以提高AMOLED显示面板的发光效率；另外，银纳米颗粒层的光反射作用，可以减少光线的损失，提高AMOLED的光提取率。

【技术实现步骤摘要】
显示面板及显示装置
本专利技术涉及显示领域，特别涉及一种显示面板显示装置。
技术介绍
在平板显示技术中，有机发光二极管(OrganicLight-EmittingDiode，OLED)显示器具有轻薄、主动发光、响应速度快、可视角大、色域宽、亮度高和功耗低等众多优点，逐渐成为继液晶显示器后的第三代显示技术。相对于LCD(Liquidcrystaldisplays，液晶显示器)，OLED具有更省电，更薄，且视角宽的优势，这是LCD无法比拟的。目前，人们对显示的细腻程度即分辨率要求越来越高，但生产高质量、高分辨率的OLED显示屏仍然面临着许多挑战。OLED显示装置按照驱动方式可以分为无源矩阵型(PassiveMatrixOLED，PMOLED)和有源矩阵型(ActiveMatrixOLED，AMOLED)两大类，即直接寻址和薄膜晶体管(ThinFilmTransistor，TFT)矩阵寻址两类。其中，AMOLED具有呈阵列式排布的像素，属于主动显示类型，发光效能高，通常用作高清晰度的大尺寸显示装置。对于AMOLED器件，当在外部电场的驱动下，阳极向发光层注入空穴，阴极向发光层注入电子；当电子和空穴在发光层相遇时，在库伦力的作用下以一定几率复合形成处于激发态的激子；其中，处于激发态的激子在通常的环境中是不稳定的，激发态的激子会将能量传递给发光材料，发光材料经过辐射驰豫过程而发光。AMOLED显示器作为一种新型电致发光器件，发光效率是评价其能的一个重要指标，也是衡量器件是否节能的直接参数。发光效率越高证明其在一定电功率条件下，电能转化为光能的效率越高，对省电和提升AMOLED面板寿命都有帮助。由于AMOLED的发光方式是通过电子和空穴的复合激发实现的，因此，AMOLED器件的发光效率也会受到很多因素影响：一、由于AMOLED面板中EL层存在着材料品质、位错因素以及工艺上的种种缺陷，会产生杂质电离、激发散射和晶格散射等问题，使电子从激发态跃迁到基态时与晶格原子或离子交换能量时发生无辐射跃迁，即不产生光子而是产生声子，这部分能量不转换成光能而转换成热能损耗在EL层内；二、由于功能层中材料的折射率的差异，在界面处会存在全反射，导致光子能量以波导模式被困在功能层中；而在金属阴极和有机层界面，部分光子会转化为表面等离子体激元而沿金属表面传播耗散掉；另外，金属阴极自身也会吸收部分光能量。因此，AMOLED器件的发光效率包含着内量子效率(IQE)和外量子效率(EQE)，分别用Nint和Next表示。内量子效率是指AMOLED器件内平均每注入一个空穴电子对所产生的光子数，内量子效率取决于空穴和电子在发光层中的复合辐射效率，复合辐射效率越大，内量子效率越大；外量子效率指的是器件发出的总光子数与注入电子数的比值，也是反映AMOLED器件发光效率最直接的参数。两者之间的关系为如下：Next＝Nint×Nout(Nout为光提取效率)(1)从式(1)中可以看到，AMOLED面板的外量子效率与AMOLED面板内量子效率和光提取率有关，而作为影响外量子效率的关键参数，对提高AM显示面板发光层内量子效率至关重要。本专利技术提出一种有效的可同时提高发光层内量子效率和光提取率的方法，进而有效器件的外量子效率。从式(1)中可以看到，内量子效率为提高外量子效率的重要参数；其中，内量子效率的关系式为：Nint＝γ.χ.ηr(2)其中，γ为载流子平衡因子，χ为激子自旋因子，ηr为有机发光材料的光致发光量子效率；ηr为越大，内量子效率就越高。光致发光量子效率ηr为反映了激子辐射复合的概率，它可以表示为：其中，Kr表示激子辐射跃迁的速率，Kn为非辐射跃迁的速率。因此，提高激子辐射跃迁的速率可以有效提高ηr，进而实现AMOLED器件的内量子效率的提升。根据Purcell效应，激子的自发辐射速率与光子的态密度成正比。因此，提升光子的态密度成为了问题的关键。
技术实现思路
本专利技术提供一种显示面板显示装置，以解决现有显示面板中光子的密度较低的技术问题。为解决上述问题，本专利技术提供的技术方案如下：本专利技术提供一种显示面板，其中，所述显示面板包括：基板；薄膜晶体管层，形成于所述基板上；阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上；有机发光层，形成于所述阳极层上；阴极层，形成于所述有机发光层上；薄膜封装层，形成于所述阴极层上；以及至少一粒子层，形成于所述薄膜晶体管层与所述薄膜封装层之间，其中，所述粒子层由至少两个纳米颗粒构成。根据本专利技术一优选实施例，所述粒子层形成于所述阳极层与所述有机发光层、或/和所述薄膜晶体管层之间。根据本专利技术一优选实施例，所述粒子层形成于所述阴极层与所述有机发光层、或/和所述薄膜封装层之间。根据本专利技术一优选实施例，所述薄膜封装层由至少一有机层和至少一无机层交替叠加构成，其中，所述粒子层形成于所述薄膜封装层上的所述有机层或所述无机层上。根据本专利技术一优选实施例，所述有机发光层包括：第一公共层，形成于所述阳极层上；发光层，形成于所述第一公共层上；第二公共层，形成于所述发光层上；其中，所述粒子层形成于第一公共层与所述第二公共层之间。根据本专利技术一优选实施例，所述粒子层包括至少一层所述纳米颗粒。根据本专利技术一优选实施例，每一所述纳米颗粒的形状不同。根据本专利技术一优选实施例，每一所述纳米颗粒的最小外接圆的尺寸不同。根据本专利技术一优选实施例，任意相邻两个所述纳米颗粒之间的间距大于等于0。本专利技术还提出了一种显示装置，所述显示装置包括上述显示面板。本专利技术的有益效果：本专利技术在所述薄膜晶体管层与所述薄膜封装层之间设置一粒子层，所述粒子层由若干个银纳米颗粒构成；通过银纳米颗粒表面的SPR效应，提高光子的态密度以及激子的自发辐射速率，以提高AMOLED显示面板的发光效率；另外，银纳米颗粒层的光反射作用，可以减少光线的损失，提高AMOLED的光提取率。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例一一种显示面板的膜层结构图；图2为本专利技术实施例二一种显示面板的膜层结构图；图3为本专利技术实施例三一种显示面板的膜层结构图；图4为本专利技术实施例四一种显示面板的膜层结构图；图5为本专利技术实施例五一种显示面板的膜层结构图；图6为本专利技术粒子层纳米颗粒分布图；图7为本专利技术另一粒子层纳米颗粒分布图；图8为本专利技术另一粒子层纳米颗粒分布图；图9为本专利技术另一粒子层纳米颗粒分布图；图10为本专利技术实施例六一种显示面板的膜层结构图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示，用以例示本专利技术可用以实施的特定实施例。本专利技术所提到的方向用语，例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用以说明及理解本专利技术，而非用以限制本专利技术。在图中，结构相似的单元是用以相同标号表示。图1为本专利技术优选实施例一一种显示面板的膜层结构图，所述显示面板包括基板、薄膜晶体管层、阳极层、OLED层、阴极层、薄膜封装层以及粒子层。基板，所述基板101的原材料可以本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管层，形成于所述基板上；阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上；有机发光层，形成于所述阳极层上；阴极层，形成于所述有机发光层上；薄膜封装层，形成于所述阴极层上；以及至少一粒子层，形成于所述薄膜晶体管层与所述薄膜封装层之间，其中，所述粒子层由至少两个纳米颗粒构成。

【技术特征摘要】
1.一种显示面板，其特征在于，包括：基板；薄膜晶体管层，形成于所述基板上；阳极层，形成于所述薄膜晶体管层上；有机发光层，形成于所述阳极层上；阴极层，形成于所述有机发光层上；薄膜封装层，形成于所述阴极层上；以及至少一粒子层，形成于所述薄膜晶体管层与所述薄膜封装层之间，其中，所述粒子层由至少两个纳米颗粒构成。2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粒子层形成于所述阳极层与所述有机发光层、或/和所述薄膜晶体管层之间。3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述粒子层形成于所述阴极层与所述有机发光层、或/和所述薄膜封装层之间。4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜封装层由至少一有机层和至少一无机层交替叠加构成，其中，所述粒子层形成于所述薄...

【专利技术属性】
技术研发人员：万凯，钟小华，
申请(专利权)人：武汉华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42