耳机中的压力均衡制造技术

耳机包括声学换能器和外壳，外壳包括第一声学室和第二声学室，第一声学室声耦合到声学换能器的第一侧，第二声学室声耦合到声学换能器的第二侧。外壳进一步包括将第一声学室和第二声学室声耦合的端口。声阻材料定位在端口附近。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】耳机中的压力均衡
本说明书大体涉及耳机，更具体地，涉及包括用于均衡频率响应的端口结构的耳机。
技术介绍
如图1所示，人耳10包括通向感觉器官(未示出)的耳道12。耳廓11(耳朵在头部外面的部分)包括外耳14(耳道12旁的凹陷)，外耳14部分地由耳屏16和反耳屏18限定。耳机通常被设计为佩戴在耳廓之上、在外耳中或在耳道中。在高压和高体积位移事件期间，气压可以在耳机中建立，并降低音质。例如，某些高压和高体积位移事件(例如当耳机在用户的耳朵中被插入或移除或重新定位时)可以导致可感知的尖叫声或其它声音失真。因为头部尺寸、耳朵形状和耳朵尺寸的差异导致跨用户的耳机的响应和输出的变化，失真可以因人而异。减轻这些问题的一个方法是包括压力均衡端口，压力均衡端口用来缓解可能在耳机内建立的气压。
技术实现思路
下面提及的所有示例和特征可以任何技术上可能的方式组合。在一个方面，耳机包括声学换能器和外壳，外壳包括声耦合到声学换能器的第一侧的第一声学室和声耦合到声学换能器的第二侧的第二声学室。端口将第一声学室和第二声学室声耦合。声阻材料被定位在端口附近。实施例可以包括以下特征之一或它们的任意组合。在一个示例中，端口本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种耳机，包括：声学换能器；外壳，所述外壳包括：第一声学室，声耦合到所述声学换能器的第一侧；第二声学室，声耦合到所述声学换能器的第二侧；以及端口，将所述第一声学室和所述第二声学室声耦合；以及声阻材料，被定位在所述端口附近。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.01.28 US 15/008,8031.一种耳机，包括：声学换能器；外壳，所述外壳包括：第一声学室，声耦合到所述声学换能器的第一侧；第二声学室，声耦合到所述声学换能器的第二侧；以及端口，将所述第一声学室和所述第二声学室声耦合；以及声阻材料，被定位在所述端口附近。2.根据权利要求1所述的耳机，其中所述端口的面积的范围从大约0.4×10-6m2到大约40×10-6m2。3.根据权利要求1所述的耳机，其中所述端口的长度的范围从大约0.1毫米到大约10毫米。4.根据权利要求1所述的耳机，其中所述声阻材料具有范围从大约10MKSRayls到大约20,000MKSRayls的阻抗。5.根据权利要求1所述的耳机，其中所述声阻材料包括以下中的至少一项：塑料、纺织物、金属、可渗透材料、编织材料、屏材料和网材料。6.根据权利要求1所述的耳机，其中在低频，所述端口具有在大约2×106声欧姆到大约8×107声欧姆之间的声阻抗的电阻性分量。7.根据权利要求1所述的耳机，进一步包括有源噪声消除电路。8.根据权利要求1所述的耳机，其中所述第一声学室通过所述声学换能器与所述第二声学室分开。9.根据权利要求1所述的耳机，其中在低频，所述耳机的频率响应是基本上线性的。10.根据权利要求1所述的耳机，其中在低于100Hz的频率，所述耳机的频率响应在高信号值和低信号值处近似相同。11.根据权利要求1所述的耳机，其中在10Hz到100Hz之间的频率，在低信号值处的所述耳机的频率响应和在高信号值处的所述耳机的频率响应的差异小于3dB。12.根据权利要求1所述的耳机，...

【专利技术属性】
技术研发人员：R·C·西尔维斯特里，J·H·卡特尔，
申请(专利权)人：伯斯有限公司，
类型：发明
国别省市：美国,US