波长变换元件以及光源装置制造方法及图纸

波长变换元件(100)具备：基体(5)、被配置在基体(5)的表面的至少一部分的板状或膜状的波长变换部件(4)、被集成在基体(5)且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p‑n结的受光部(6)。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】波长变换元件以及光源装置
本申请涉及波长变换元件以及采用了该波长变换元件的光源装置。
技术介绍
在采用了以半导体激光元件等半导体发光元件构成的半导体发光装置的光源装置中，为了射出高光通量的光，可以将从半导体发光装置射出的光照射到波长变换元件，并有效地利用在波长变换元件射出的光。另外，在上述光源装置中需要对从半导体发光元件射出的高光通量的光进行抑制，以使该光不会由波长变换元件散射，而直接射出到外部。为此，提出了对光源装置的发光状态进行检测的系统。以下参照图21，对专利文献1中公开的以往的光源装置进行说明。图21是示出以往的光源装置1001的构成的概略图。以往的光源装置1001具备：射出激光的半导体激光元件1002；荧光体1004，将从半导体激光元件1002射出的激光的至少一部分变换为非相干光；以及安全装置(光检测器1011、控制部1009)，对相干激光向外部的射出进行抑制。光检测器1011的受光元件1008接受的光为，来自被配置在反射部件1005的凹部1005a的荧光体1004的光之中的、透过光学滤波器1007的波长大约比500nm大的光。在因荧光体1004的损伤或欠缺等而导致激光被直接射出到外部的状态(光变换异常)的情况下，会出现受光元件1008的输出降低，从而在控制部1009的判断部1009a会判断为规定值以下。驱动电路1010在从控制部1009的控制信号发生部1009b接受到示出判断结果的信号的情况下，停止半导体激光元件1002的驱动。(现有技术文献)(专利文献)专利文献1日本特开2011-66069号公报然而，由于从波长变换部件(荧光体)射出的荧光的射出方向是不规则的，因此对于波长变换部件(荧光体)的发光状态的微小变化则不容易检测到。例如，在专利文献1公开的光源装置1001，荧光体1004与受光元件1008的距离较远。因此，在光源装置1001，关于荧光体的脱落以及破损这种故障的最终阶段是能够判别的，但是在荧光体内部的一部分发生裂缝等这种故障的初期阶段则不能进行检测。
技术实现思路
本申请为了解决这种课题，目的在于提供一种能够正确地检测波长变换部件的状态的波长变换元件以及具备该波长变换元件的光源装置。为了解决上述课题，本申请所涉及的波长变换元件具备：基体、被配置在所述基体的表面的至少一部分的板状或膜状的波长变换部件、以及集成在所述基体且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p-n结的受光部。通过此构成，通过在配置了波长变换部件的基体集成包括p-n结的受光部，从而受光部能够在波长变换部件的附近对从波长变换部件射出的光进行检测。因此，受光部能够正确地对波长变换部件的微小的变化进行检测。并且，在本申请所涉及的波长变换元件，所述受光部也可以接受向所述基体入射的光。通过此构成，受光部能够在波长变换部件的附近对从波长变换部件向基体射出的光进行检测。因此，能够正确地对波长变换部件的微小的变化进行检测。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件，所述波长变换部件与所述表面垂直的方向的厚度，比所述波长变换部件与所述表面平行的方向的最大宽度小。通过此构成，能够对波长变换部件所生成的光之中的在波长变换部件的内部的伝播距离短的光进行检测。这种光的强度对波长变换部件的微小的变化敏感。因此，通过以上的构成，能够更加正确地对波长变换部件的状态进行检测。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件中进一步具备被配置在所述波长变换部件与所述基体之间的光学滤波器，且该光学滤波器对从所述波长变换部件射出的光进行反射。通过此构成，能够将从波长变换部件射出的光之中的、向基体伝播的光高效地射出到波长变换元件的外部。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件，所述光学滤波器包括金属膜或电介质多层膜。通过此构成，能够容易地形成光学滤波器。并且，在本申请所涉及的波长变换元件，所述p型半导体以及所述n型半导体可以是掺杂了杂质的硅。通过此构成，能够容易地制造受光部。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件，所述受光部被配置在所述基体的内部、或所述基体与所述波长变换部件之间。通过此构成，由于能够缩短波长变换部件与受光部的距离，因此能够正确地对波长变换部件的微小的变化进行检测。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件，所述基体具备多个所述受光部。通过此构成，能够正确地对入射到波长变换部件的光的位置进行检测。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件中，在对所述表面进行平面视时，所述受光部被配置在所述波长变换部件的周围。通过此构成，能够正确地对入射到波长变换部件的周边的光的信息进行检测。例如，在来自发光装置的光照射向波长变换元件的情况下，通过来自发光装置的光的照射位置出现偏差，从而会有不入射到波长变换部件，而入射到波长变换部件的周边的情况。在这种情况下，在该构成中能够正确地对照射位置的偏差进行检测。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件，在对所述表面进行平面视时，受光部被配置在所述波长变换部件的周缘。通过此构成，能够检测来自发光装置的光照射到波长变换部件的位置，且能够减少受光部的区域。并且也可以是，在本申请所涉及的波长变换元件中，所述波长变换部件具有多个区域。通过此构成，能够容易地构成具有多个发光区域的波长变换部件。并且，本申请所涉及的光源装置具备上述波长变换元件、以及射出向所述波长变换元件照射的光的发光装置。通过此构成，光源装置能够实现与上述波长变换元件相同的效果。并且也可以是，在本申请所涉及的光源装置中，所述发光装置射出激光。通过此构成，由于在波长变换元件入射指向性高的激光，因此能够提高受光部针对波长变换部件的状态的微小的变化的灵敏度。并且也可以是，在本申请所涉及的光源装置进一步具备使从所述发光装置射出的光的光程变动的光学系统。通过此构成，能够使来自发光装置的射出光照射到波长变换部件的所希望的位置。并且，通过使来自发光装置的射出光扫描，能够从光源装置射出规定的配光模式的射出光。通过本申请，能够提供一种能够正确地检测波长变换部件的状态的波长变换元件以及具备该波长变换元件的光源装置。附图说明图1是示出实施方式1所涉及的光源装置的构成的概略截面图。图2是示出被搭载于实施方式1所涉及的光源装置的波长变换元件的构成的概略截面图。图3A是用于说明实施方式1所涉及的波长变换元件的工作的一个例子的概略截面图。图3B是用于说明实施方式1所涉及的波长变换元件的工作的其他的一个例子的概略截面图。图3C是用于说明实施方式1所涉及的波长变换元件的工作又一个其他的例子的概略截面图。图4是在模式上示出实施方式1所涉及的光源装置、以及使光源装置工作的控制部的电路方框图。图5是示出实施方式1的变形例1所涉及的波长变换元件的构成的概略截面图。图6是示出实施方式1的变形例2所涉及的波长变换元件的构成的概略截面图。图7是示出实施方式2所涉及的波长变换元件的构成的概略截面图。图8是示出实施方式2所涉及的波长变换元件的外观的斜视图。图9是示出实施方式2所涉及的光源装置的构成的概略截面图。图10是示出实施方式3所涉及的光源装置的构成的概略截面图。图11是在模式上示出实施方式3所涉及的光源装置以及用于驱动光源装置的控制部的电路方框图。图12是示出实施方式3所涉及的光源装置以及控制部中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种波长变换元件，具备：基体；板状或膜状的波长变换部件，被配置在所述基体的表面的至少一部分上；以及受光部，被集成在所述基体，且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p‑n结。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.08 JP 2016-0221981.一种波长变换元件，具备：基体；板状或膜状的波长变换部件，被配置在所述基体的表面的至少一部分上；以及受光部，被集成在所述基体，且包括由p型半导体以及n型半导体构成的p-n结。2.如权利要求1所述的波长变换元件，所述受光部接受入射到所述基体的光。3.如权利要求1或2所述的波长变换元件，所述波长变换部件与所述表面垂直的方向的厚度，比所述波长变换部件与所述表面平行的方向的最大宽度小。4.如权利要求1至3的任一项所述的波长变换元件，所述波长变换元件进一步具备光学滤波器，该光学滤波器被配置在所述波长变换部件与所述基体之间，对从所述波长变换部件射出的光进行反射。5.如权利要求4所述的波长变换元件，所述光学滤波器包括金属膜或电介质多层膜。6.如权利要求1至5的任一项所述的波长变换元件，所述p型半导体以及所述n型半导体是掺...

【专利技术属性】
技术研发人员：山中一彦，上野博隆，深草雅春，古贺稔浩，
申请(专利权)人：松下知识产权经营株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP