共享感测放大器制造技术

技术编号:19076287 阅读:45 留言:0更新日期:2018-09-29 18:04
提供了一种感测放大器(SA)和一种用于操作该SA的方法。该SA包括:第一差分晶体管对,其被配置成接收第一差分输入;第二差分晶体管对,其被配置成接收第二差分输入;以及电流源,其被配置成提供电流以流过第一差分晶体管对和第二差分晶体管对。该方法包括:由第一差分晶体管对接收第一差分输入;由第二差分晶体管对接收第二差分输入;以及使电流流过第一差分晶体管对和第二差分晶体管对。提供了一种多组存储器。该存储器包括共享所公开的SA的第一组存储器单元和第二组存储器单元。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】共享感测放大器相关申请的交叉引用本申请要求于2016年2月3日提交的题为“SHAREDSENSEAMPLIFIER(共享感测放大器)”的美国专利申请No.15/014,830的权益,其通过援引全部明确纳入于此。背景领域本公开一般涉及电子电路,尤其涉及共享感测放大器(SA)。
技术介绍
随着对移动设备中的更强处理能力的需求不断增长,低功耗已成为常见的设计要求。当前采用各种技术来降低此类设备中的功耗。一种此类技术涉及在存在某些工作条件时减小设备中某些电路的工作电压。作为结果,不同的电路可以在不同电压下工作。例如,存储器可以在一个电压域中存储数据,并且将所存储数据输出到不同电压域中的外围电路。此外,最小化集成电路(IC)的尺寸具有显著的优点,尤其在移动应用中。相应地,设计挑战是解决关于IC上的性能、功率和尺寸的变化的要求。概述公开了感测放大器(SA)的各方面。该SA包括:第一差分晶体管对,其被配置成接收第一差分输入;第二差分晶体管对,其被配置成接收第二差分输入;以及电流源,其被配置成提供电流以流过第一差分晶体管对和第二差分晶体管对。公开了一种操作SA的方法的各方面。该方法包括:由第一差分晶体管对本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种感测放大器,包括:第一差分晶体管对,其被配置成接收第一差分输入;第二差分晶体管对,其被配置成接收第二差分输入;以及电流源,其被配置成提供电流以流过所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.02.03 US 15/014,8301.一种感测放大器,包括:第一差分晶体管对,其被配置成接收第一差分输入;第二差分晶体管对,其被配置成接收第二差分输入;以及电流源,其被配置成提供电流以流过所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对。2.如权利要求1所述的感测放大器,其特征在于,所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对被进一步配置成分别从第一电压域接收所述第一差分输入和所述第二差分输入。3.如权利要求2所述的感测放大器,其特征在于,所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对被进一步配置成提供第二电压域中的输出。4.如权利要求3所述的感测放大器,其特征在于,所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对中的一差分晶体管对被配置成在所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对中的另一差分晶体管对由所述第一电压域的电压源供电时放大所接收的差分输入。5.如权利要求1所述的感测放大器,其特征在于,所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对各自包括第一晶体管和第二晶体管,所述第一晶体管被串联耦合到所述电流源,并且所述第二晶体管被串联耦合到所述电流源。6.如权利要求5所述的感测放大器,其特征在于,进一步包括第一负载和第二负载,所述第一负载串联耦合到被串联耦合的所述第一晶体管,所述第二负载串联耦合到被串联耦合的所述第二晶体管。7.如权利要求6所述的感测放大器,其特征在于,所述第一负载和所述第二负载是交叉耦合的。8.如权利要求1所述的感测放大器,其特征在于,所述第一差分晶体管对被进一步配置成从第一存储器组接收所述第一差分输入,并且所述第二差分晶体管对被进一步配置成从第二存储器组接收所述第二差分输入。9.如权利要求1所述的感测放大器,其特征在于,所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对被安排成堆叠。10.如权利要求1所述的感测放大器,其特征在于,所述差分晶体管对中的一差分晶体管对被配置成在所述差分晶体管对中的另一差分晶体管对处于导通状态时放大所接收的差分输入。11.一种用于操作感测放大器的方法,包括:由第一差分晶体管对接收第一差分输入;由第二差分晶体管对接收第二差分输入;以及使电流流过所述第一差分晶体管对和所述第二差分晶体管对。12.如权利要求11所述的方法,其特征在于,所述第一差分输入和所述第二差分输入来自第一电压域。13.如权利要求12所述的方法,其特征在于,进一步包括:提供第二电压域中的输出。14.如权利要求13所述的方法,其特征在于,进一步包括在所述差分输入中的一差分输入由所述第一电压域的电压源供电时放大所述差分输入中的另一差分输入。15.如权利要...

【专利技术属性】
技术研发人员:F·阿迈德C·郑
申请(专利权)人:高通股份有限公司
类型:发明
国别省市:美国,US

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