一种超小纳米片自组装花状VS2粉体及其制备方法技术

一种超小纳米片自组装花状VS2粉体及其制备方法，采用溶剂热法，以氮甲基吡咯烷酮作为溶剂，以偏钒酸钠和硫代乙酰胺分别为钒源和硫源，通过协同控制它们的浓度及配比、反应温度、反应时间、实现了一步法制备超小纳米片自组装花状VS2粉体。该方法反应过程简单、温度低、易控且不需要大型设备和苛刻的反应条件，能够通过溶剂的结构调控作用，生成超小、超薄的VS2纳米片，并让纳米片以特定的方式自组装成小尺度花状结构。当将上述产物应用为钠/锂离子电池负极材料和光/电催化剂时，它能够表现出优异的电化学性能和催化性能。

【技术实现步骤摘要】
一种超小纳米片自组装花状VS2粉体及其制备方法
本专利技术涉及一种VS2粉体及其制备方法，具体涉及一种超小纳米片自组装花状VS2粉体及其制备方法。
技术介绍
过渡金属二硫化物如MoS2、WS2和VS2等独特的物理化学性质和晶体结构，使它们成为了一种非常有前景的锂/钠离子电池电极材料和光电催化材料[YangE,JiH,JungY.Two-DimensionalTransitionMetalDichalcogenideMonolayersasPromisingSodiumIonBatteryAnodes.JPhysChemC.2015；119:26374-80]。尽管近来的研究已经表明MoS2和WS2能够展现出优异的电化学和催化性能，但是由半导体性引起的差的电子传输限制了它们的进一步发展。作为过渡金属二硫化物家族中的一个典型成员，拥有优异导电性的金属态VS2在电化学反应和催化过程中将展现出优异的电子传输性能。同时，VS2大的层间距和弱的层间范德华力连接不仅有助于存储更多的锂/钠离子，而且有助于锂/钠离子/电子在层间快速传输而不引起严重的结构破坏。此外，相关研究也表明层状VS2具有高的理论本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种超小纳米片自组装花状VS2粉体的制备方法，其特征在于：步骤一：取0.9～1.1g的偏钒酸钠和3.4～3.8g的硫代乙酰胺同时加入到48～52ml的氮甲基吡咯烷酮中，搅拌均匀得到溶液A；步骤二：将溶液A倒入反应内衬中后密封，继而将内衬装于外釜中固定后置于均相反应仪中，然后在5～10r/min的转速条件下，于175～185℃下反应23～25h；步骤三：反应结束后将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的产物取出，经过水洗、醇洗交替清洗后收集产物；步骤四：将收集的产物置于冷冻干燥机的冷井中进行冷冻，然后将冷冻后的产物置于托盘中，盖上密封罩，抽真空到10～20Pa，干燥12～18h后收集产物，...

【技术特征摘要】
1.一种超小纳米片自组装花状VS2粉体的制备方法，其特征在于：步骤一：取0.9～1.1g的偏钒酸钠和3.4～3.8g的硫代乙酰胺同时加入到48～52ml的氮甲基吡咯烷酮中，搅拌均匀得到溶液A；步骤二：将溶液A倒入反应内衬中后密封，继而将内衬装于外釜中固定后置于均相反应仪中，然后在5～10r/min的转速条件下，于175～185℃下反应23～25h；步骤三：反应结束后将反应釜自然冷却到室温，然后将反应后冷却的产物取出，经过水洗、醇洗交替清洗后收集产物；步骤四：将收集的产物置于冷冻干燥机的冷井中进行冷冻，然后将冷冻后的产物置于托盘中，盖上密封罩，抽真空到10～20Pa，干燥12～18h后收集产物，即得到超小纳米片自组装花状VS2粉体。2.根据权利要求1所述的超小纳米片自组装花状VS2粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤1)的搅拌采用磁力搅拌或超声，并且在常温下进行的，磁力搅拌的转速为400～600r/min。3.根据权利要求1所述的超小纳米片自组装花状VS2粉体的制备方法，其特征在于：所述步骤2)溶液A倒入反...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄剑锋，李文斌，冯亮亮，曹丽云，任一杰，范海鑫，王娜，
申请(专利权)人：陕西科技大学，
类型：发明
国别省市：陕西,61