一种新型封装结构的功率模块制造技术

本发明专利技术公开了一种新型封装结构的功率模块。该功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子以及第二驱动端子设置在底座的上表面；第一直流侧端子与第二直流侧端子位于同一轴线上。本发明专利技术所提供的同轴结构的直流侧端子能够有效地减小直流侧端子的距离并增大其耦合面积，增大直流侧端子的互感，减小功率模块的封装电感，进一步减小功率模块内部碳化硅MOSFET在开关瞬态和短路情况下所承受的电压过冲，减小功率模块的开关损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种新型封装结构的功率模块
本专利技术涉及功率半导体模块封装领域，特别是涉及一种新型封装结构的功率模块。
技术介绍
目前，传统硅基器件的性能已经达到了其材料的极限，其应用范围也无法继续拓展，因此新一代的功率半导体器件被研发出来。在这些新型半导体器件当中，碳化硅功率器件由于具有宽禁带、高临界电场击穿强度、高热导率、高电子迁移率等优越的材料性能，使得其在高温、高压、高频等领域得到了广泛的应用。碳化硅金属氧化物半导体场效晶体管(Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor，MOSFET)器件的开关速度快，开关损耗低，导通电阻小，这些性能有助于提高逆变器的转换效率，降低冷凝系统的成本，减小电力电子装备的体积。随着电动汽车、光伏逆变器的快速发展，碳化硅MOSFET芯片被串并联模块化以满足高压大功率的要求。由于碳化硅MOSFET的开关速度快，因此在开关瞬态和短路情况下其两端会产生很大的电压过冲，对系统产生干扰，当这些尖峰超过碳化硅MOSFET的额定电压和额定电流值时就会使功率模块性能退化，严重时甚至烧毁模块。
技术实现思路
针对上述问题，本专利技术提本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型封装结构的功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、所述第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管以及所述二极管封装在所述底座内部；所述第一直流侧端子、所述第二直流侧端子、所述交流侧端子、所述第一驱动端子以及所述第二驱动端子设置在所述底座的上表面；所述第一直流侧端子与所述第二直流侧端子位于同一轴线上；所述第一直流侧端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的漏极连接；所述第二直流侧端子与第二碳...

【技术特征摘要】
1.一种新型封装结构的功率模块，其特征在于，所述功率模块包括：第一直流侧端子、第二直流侧端子、交流侧端子、第一驱动端子、第二驱动端子、第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管、二极管以及底座；所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管、所述第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管以及所述二极管封装在所述底座内部；所述第一直流侧端子、所述第二直流侧端子、所述交流侧端子、所述第一驱动端子以及所述第二驱动端子设置在所述底座的上表面；所述第一直流侧端子与所述第二直流侧端子位于同一轴线上；所述第一直流侧端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导体场效应管的漏极连接；所述第二直流侧端子与第二碳化硅金属氧化物半导体场效应管的源极连接；所述交流侧端子与所述第一碳化硅金属氧化物半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：谢宗奎，邹琦，柯俊吉，徐鹏，赵志斌，崔翔，
申请(专利权)人：华北电力大学，
类型：发明
国别省市：北京,11