一种片上衰减器制造技术

本实用新型专利技术提供了一种片上衰减器，衰减器结构类二维码分布，主体区域为2.4×2.4μm2，将优化区域分为20×20的方形像素点，像素点尺寸为120×120 nm2，自动优化得到满足目标的类二维码结构的衰减器。最终得到5个不同衰减值的衰减器，分别为：1dB，3dB，6dB，10dB，20dB，衰减器带宽为50nm。所述衰减器与其它衰减器相比，其尺寸结构非常小，且设计时间短，可根据目标要求自动优化设。所述衰减器在硅光器件中有一定的应用范围，可在器件中引入衰减，平衡或者增大光路的插损，如在MZ器件的两波导臂上应用衰减器可平衡其光路损耗。

【技术实现步骤摘要】
一种片上衰减器
本技术涉及集成硅光子学领域，尤其涉及衰减器。
技术介绍
近年来，光通信技术飞速发展，对人们的生活产生很大影响。随着人们对信息化的追求越来越高，高速率、低功耗和高集成度越来越变成了我们所追求的目标。Si材料在成本，集成能力，有源性能，无源性能和损耗上的平均表现力是最好的，因此Si体系是一个最好的选择，目前，硅的无源器件已经比较丰富，有源器件中探测器和调制器也有相对较成熟的方法，硅器件(有源和无源器件)的研究就成为了方向之一。例如调制器、探测器、滤波器、光耦合器、衰减器等。随着对硅光子学的研究越发深入且成熟，硅基无源器件已经相对成熟，并且体积和性能相对较稳定。随后，反向自动优化设计方法被提出并应用于硅光子器件设计，通过优化算法脚本在短时间内得到性能不亚于传统设计，且尺寸相对较小的优化器件。使用这种反向设计优化方法实现的硅基无源器件，可以打破器件设计第一准则，并为设计者提供更大的参量空间，得到更加紧凑的器件，有效的提高无源器件集成度。自动优化设计方法为今后的器件设计提出了一个新可能，即机器自动代替人为手工，并保证器件的高集成度。到目前为止，我们可以根据最终优化结构将其分为两本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种片上衰减器，其特征在于：其为一种基于绝缘衬底硅上的衰减器，所述绝缘衬底硅上设顶层硅和掩埋氧化层，所述掩埋氧化层为中间层，所述顶层硅区域分为M×N的像素点，每个像素点有两种状态：硅和空气，通过优化算法决定每个像素点的状态。

【技术特征摘要】
1.一种片上衰减器，其特征在于：其为一种基于绝缘衬底硅上的衰减器，所述绝缘衬底硅上设顶层硅和掩埋氧化层，所述掩埋氧化层为中间层，所述顶层硅区域分为M×N的像素点，每个像素点有两种状态：硅和空气，通过优化算法决定每个像素点的状态。2.根据权利要求1所述的一种片上衰减器，其特征在于：所述掩埋氧化层为二氧化硅。3.根据权利要求1所述的一种片上衰减器，其特征在于：所述顶层硅为220nm±10%厚，所述掩埋氧化层为3μm±10%厚。4.根据权利要求1所述的一种片上衰减器，其特征在于：所述顶层硅和掩埋氧化层的尺寸为：2.4×2.4μm2。5.根据权利要求1所述的一种片上衰减器，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐科，刘英杰，谢虎成，
申请(专利权)人：哈尔滨工业大学深圳研究生院，
类型：新型
国别省市：广东,44