射频谐振器与滤波器制造技术

一种滤波器封装元件，包括夹裹在下电极与一组上电极之间的一组压电薄膜：各个压电薄膜和上电极通过绝缘材料分隔开来；下电极连接至一转接板，下电极和转接板之间具有第一腔体；滤波器封装元件还包括具有既定的厚度的硅晶圆，与在硅晶圆和硅盖之间的一组上层腔体一起结合在上电极上方；每个上层腔体与一组的压电薄膜中一个居中对齐，上层腔体四周为包括绝缘材料的侧壁。

【技术实现步骤摘要】
射频谐振器与滤波器
本专利技术涉及一种射频谐振器与滤波器。
技术介绍
手机用户要求在更广阔的区域内拥有高质量的信号接收与传输，射频(RF)信号的质量取决于手机中的射频滤波器。每个射频滤波器都可以传导特定的频率并阻挡其他不需要的频率，这一特性使得频段选择成为可能，并且允许手机只处理指定的某些信号。据信到2020年，载波聚合、5G、4x4MIMO等技术将成为主流应用，届时手机内的滤波器将增至100个之多，全球滤波器市场年需求量将达2千亿只。声波谐振器是射频滤波器和传感器的基本组件，一般都含有将机械能转化为电能的压电机电转导层。这些谐振器必须物美价廉。表面声波(SAW)谐振器和体声波(BAW)谐振器是其最常见的两种类型。在表面声波谐振器中，声波信号是由表面波传导。在体声波(BAW)谐振器中，信号在谐振器薄膜的体内传导。这两种滤波器的谐振频率，是由其本身尺寸、构成材料的机械性能所决定的一种特质。谐振器的质量由其品质因子给出，它是谐振器所储存的能量与其消散的能量之比率。品质因子的值高说明滤波器在工作中损失的能量少，插入损耗较低，拥有更加陡峭的裙边曲线，与临近波频有更加显著的隔离区分。为了接收与本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.滤波器封装元件，包括夹裹在一组下电极与上电极之间的一组压电薄膜：各个压电薄膜和上电极皆通过绝缘材料分隔开来；下电极连接至一转接板，下电极和转接板之间大部分由第一腔体隔开；滤波器封装元件还包括具有已知厚度的硅晶圆，硅晶圆附接在上电极上，且在硅晶圆和硅盖之间具有一组上层腔体；每个上层腔体与一组压电薄膜中的压电薄膜对齐，上层腔体包括绝缘材料的侧壁。

【技术特征摘要】
2017.03.24 US 15/468,7101.滤波器封装元件，包括夹裹在一组下电极与上电极之间的一组压电薄膜：各个压电薄膜和上电极皆通过绝缘材料分隔开来；下电极连接至一转接板，下电极和转接板之间大部分由第一腔体隔开；滤波器封装元件还包括具有已知厚度的硅晶圆，硅晶圆附接在上电极上，且在硅晶圆和硅盖之间具有一组上层腔体；每个上层腔体与一组压电薄膜中的压电薄膜对齐，上层腔体包括绝缘材料的侧壁。2.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述压电薄膜包括BaxSr(1-x)TiO3(BST)。3.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中每片所述压电薄膜由单晶体材料构成。4.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中下电极为铝、钨、钛钨或鉬。5.根据权利要求4所述的滤波器封装元件，其中所述下电极的边缘被凸块底层金属材料加固，该凸块底层金属材料包括钛粘合层，再加上钨和钽中的至少一种金属层。6.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中所述下电极通过端点焊锡的铜柱与转接板耦接。7.根据权利要求6所述的滤波器封装元件，其中包括钨或钽或钛钨的凸块底层金属材料将下电极与铜柱相连。8.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中上电极为铝、钨、钛钨或鉬。9.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，其中绝缘材料包括聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)。10.根据权利要求1所述的滤波器封装元件，还包括压电薄膜与下电极间存在的第一钛或钛钨粘...

【专利技术属性】
技术研发人员：卓尔·赫尔维茨，
申请(专利权)人：珠海晶讯聚震科技有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44