一种半导体激光器热沉的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体激光器热沉的制备方法，属于半导体技术领域。先清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；再制备金属层；接着进行去光刻胶处理；进行第二次光刻处理；然后镀制金锡合金层；再次进行去光刻胶处理；将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。本发明专利技术采用氧化铍或高热导率的氮化铝陶瓷作为基片，其热导率均大于200mW/K；在基片上镀制利于散热的金属层，进一步提高热沉的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体激光器热沉的制备方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种半导体激光器热沉的制备方法。
技术介绍
氮化铝陶瓷基片具有优良的热传导性，可靠的电绝缘性，低的介电常数和介电损耗，热膨胀系数与硅半导体元件相匹配，高电阻率，良好的机械性能和耐腐蚀性能等优点，从而成为新一代大规模集成电路，半导体模块电路及大功率光电器件的理想散热和封装材料。在半导体高功率激光器制造工艺中，考虑到由于芯片在工作中会产生大量的热，其结构通常需要有一个良好的散热通道。目前在大功率光电器件的各种关键技术中，散热问题的解决是一个极其关键的技术。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体激光器热沉的制备方法，以解决现有的半导体激光器中的热沉散热效率差的问题。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体激光器热沉的制备方法，包括如下步骤：步骤1、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤2、将步骤1所得的产品制备金属层；步骤3、将步骤2所得的产品进行去光刻胶处理；步骤4、进行第二次光刻处理；步骤5、将步骤4所得的产品镀制金锡合金层；步骤6、再次进行去光刻胶处理；步骤7、将完成去光刻胶处理的产本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤2、将步骤1所得的产品制备金属层；步骤3、将步骤2所得的产品进行去光刻胶处理；步骤4、进行第二次光刻处理；步骤5、将步骤4所得的产品镀制金锡合金层；步骤6、再次进行去光刻胶处理；步骤7、将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。

【技术特征摘要】
1.一种半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；步骤2、将步骤1所得的产品制备金属层；步骤3、将步骤2所得的产品进行去光刻胶处理；步骤4、进行第二次光刻处理；步骤5、将步骤4所得的产品镀制金锡合金层；步骤6、再次进行去光刻胶处理；步骤7、将完成去光刻胶处理的产品进行切割分离，得到半导体激光器的热沉。2.如权利要求1所述的半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，所述第一次光刻处理和所述第二次光刻处理均包括喷涂光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗和后烘。3.如权利要求2所述的半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，所述第一次光刻处理得到的光刻胶的厚度为1～30μm；所述第二次光刻处理得到的光刻胶的厚度为1～35μm。4.如权利要求1所述的半导体激光器热沉的制备方法，其特征在于，所述金属层能够通过PVD、电镀或化学镀...

【专利技术属性】
技术研发人员：李旭光，
申请(专利权)人：无锡奥夫特光学技术有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32