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本发明提供了一种半导体激光器热沉的制备方法，属于半导体技术领域。先清洗烘干氮化铝或氧化铍陶瓷基片，并进行第一次光刻处理；再制备金属层；接着进行去光刻胶处理；进行第二次光刻处理；然后镀制金锡合金层；再次进行去光刻胶处理；将完成去光刻胶处理的产...
该专利属于无锡奥夫特光学技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡奥夫特光学技术有限公司授权不得商用。

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