雷射剥离膜结构制造技术

本实用新型专利技术提供一种雷射剥离膜结构，其依序包含一第一离形片、一雷射剥离层、一黏着层及一第二离形片。本实用新型专利技术之雷射剥离膜结构可直接贴附晶圆及基板，进行晶圆薄化，减化晶圆封装的步骤，缩短晶圆制程周期，且减少对晶圆之损害。

Laser peeling film structure

The utility model provides a laser peeling film structure, which in sequence comprises a first disc, a laser peeling layer, an adhesive layer and a second disc. The laser peeling film structure of the utility model can directly adhere to the wafer and the substrate, thin the wafer, reduce the steps of the wafer packaging, shorten the wafer manufacturing cycle, and reduce the damage to the wafer.

【技术实现步骤摘要】
雷射剥离膜结构
本技术涉及一种雷射剥离膜，特别是一种晶圆封装级可使用之雷射剥离膜。本技术还涉及贴合上述雷射剥离膜结构之晶圆。
技术介绍
随科技的发展，电子商品的需求日趋轻薄方便，其内部的集成电路也须同步地轻薄化。三维的集成电路系由直通系晶钻孔在晶圆上钻孔，将导线材料填入钻孔中以形成导电的通路后，将晶圆薄化后并形成堆栈结构所完成。由于晶圆薄化后已非常脆弱，又须经过钻孔的过程，因此如何能够在自动化生产过程中，减少晶圆发生缺陷的情况则为一大挑战。近年，晶圆制程导入晶圆暂时贴合及雷射剥离之技术，晶圆暂时性贴合技术主要系将晶圆暂时性贴合在基板上，利用基板支撑晶圆，以协助抵抗晶圆在薄化时的机械冲力，以及后续的加工作业机械冲力。雷射剥离技术系在基板及晶圆之间设有一雷射剥离层，利用光及雷射剥离层材料之间的交互作用，照射适当的雷射光于晶圆结构后，该雷射剥离层的材料会因化性改变而自然剥离，因此在不施加外力的情况下便能将基板与晶圆分开，即减少对晶圆的损害。一般雷射剥离技术的操作会先涂覆制备出一黏着层于一晶圆之上，另额外覆制备出一雷射剥离层于一基板之上，随后将该黏着层与该雷射剥离层贴合后，以进行晶圆薄化，经照射雷射光后，该雷射剥离层会离化而能将基板剥离。
技术实现思路
然而，一般雷射剥离技术中，经由涂覆制备出晶圆堆栈层(上述之黏着层、雷射剥离层等)往往会有制程时间过长，延长制程周期的问题，另外，由于黏着层及雷射剥离层系分别涂覆所完成，因此接合时会有附着不佳的问题发生。为了克服上述问题，本技术提供一种雷射剥离膜结构，其依序包含一第一离形片、一雷射剥离层、一黏着层及一第二离形片。于较佳的实施例中，所述雷射剥离层为包含丙烯酸酯及近红外光感光染料的膜层结构。于较佳的实施例中，所述雷射剥离层之厚度为5um～0.5um。于较佳的实施例中，所述雷射剥离层之厚度为4.5um,或为1.5um,或为0.7um。于较佳的实施例中，所述黏着层为包含至少一种选自由热固性树脂、热塑性树脂或能量射线固化树脂的群组层。于较佳的实施例中，所述黏着层的厚度为65um～5um。于较佳的实施例中，所述黏着层的厚度为为60um,或为20um,或为10um。于较佳的实施例中，所述黏着层及雷射剥离层系经由预切割形成所预形状。本技术的另一个目的在于提供一种贴合雷射剥离膜结构之晶圆，其包含如请求项1之雷射剥离膜结构，其中第一离形片及该第二离形片剥离后，以该黏着层与一晶圆黏着，形成依序包含该雷射剥离层、该黏着层及该晶圆之结构。于较佳的实施例中，所述雷射剥离层系暂时黏着于一基板上。于较佳的实施例中，所述雷射剥离膜结构为经近红外雷射光照射后其雷射剥离层会劣化可剥离的膜层结构。本技术提供一种雷射剥离膜结构不同于一般雷射剥离技术，其可直接将第一及第二离形片剥离后，分别贴附基板及晶圆，将晶圆薄化经雷射照射后，将基板剥离，减少制程时间。相较于一般雷射剥离技术具有更佳的便利性，在操作上更为简易，加速晶圆制程。附图说明图1为本技术之雷射剥离膜结构。图2为本技术之雷射剥离膜结构经预切割形成所需形状。图3为本技术之贴合雷射剥离膜结构之晶圆。图4为本技术之贴合雷射剥离膜结构封装晶圆之实例。附图标记说明1雷射剥离膜结构3贴合雷射剥离膜结构之晶圆5第一离形片7雷射剥离层9黏着层11第二离形片13基板15晶圆17近红外雷射光19机台21切割胶带具体实施方式本技术之雷射剥离膜结构依序包含一第一离形片、一雷射剥离层、一黏着层及一第二离形片；如图1所示，该雷射剥离膜结构1中依序包含一第一离形片5、一雷射剥离层7、一黏着层9及一第二离形片11。所述雷射剥离层为包含丙烯酸酯及近红外光感光染料的膜层结构。其中，该丙烯酸树脂包含一或多种以上之丙烯酸、甲基丙烯酸、丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯之单体、共聚物或聚合物。其中，该近红外光感光染料可为任何通用之近红外光染料，吸收波长约700～1400nm的染料，其包含菁类(酞菁、萘酞菁、多甲基菁)、金属错合物、醌类、偶氮类、游离基类、芳甲烷类(二芳甲烷、三芳甲烷)。所述雷射剥离层之厚度为5um～0.5um，其中实施例雷射剥离层的厚度为4.5um，较佳为1.5um，更佳为0.7um。上述之黏着层9系为包含至少一种选自由热固性树脂、热塑性树脂或能量射线固化树脂的群组层，所述黏着层的厚度为65um～5um，其中实施例厚度为60um，较佳为20um，更佳为10um。上述之热固性树脂可为任何通用之热固性树脂，例如环氧树脂、酚醛树脂、胺基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、有机硅树脂、热固性聚酰亚胺树脂或其任二种以上之共聚物或混合物；其中，较佳为环氧树脂，例如双酚A型环氧树脂、双酚F型环氧树酯、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂、四酚基乙烷型环氧树脂等二官能环氧树脂、多官能环氧树脂，苯酚酚醛清漆型环氧树脂、邻甲酚酚醛清漆型环氧树脂、乙内酰脲型环氧树脂、异氰脲酸三缩水甘油酯型环氧树脂、缩水甘油胺型环氧树脂或其任二种以上之共聚物或混合物。上述之热塑性树脂可为任何通用之热塑性树脂，例如聚酰胺、聚醚砜、聚醚酮、聚酰亚胺、聚酯酰亚胺、聚烯烃、聚醚酰亚胺、聚氯乙烯、苯氧基、反应性丁二烯丙烯腈共聚物橡胶、(甲基)丙烯酸酯类树脂或其任二种以上之共聚物或混合物。上述之能量射线固化树脂可为任何通用之能量射线固化树脂，例如分子中具有2个以上能量射线聚合性碳-碳双键的化合物或聚胺酯丙烯酸系低聚物等多官能丙烯酸系低聚物，例如1,4-亚丁基二(甲基)丙烯酸酯、1,5-戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,9-壬二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、环己烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二甲醇二丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二三羟甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯或其等之共聚物或混合物等；能量射线包含有紫外线等，由于能量射线固化树脂，在能量照射前可有良好的黏着力，而在能量射线照射之后，黏着力会减少，因此可不施力而轻易剥离。另外，上述之黏着层亦视需要加入其他添加剂，例如光聚合引发剂或交联剂等通用之晶圆黏着层添加剂。上述之第一离形片5及第二离形片11之厚度通常为5至300微米，较好为10至200微米，更佳为20至150微米，可为卷状、片装或胶状之结构，材质可由下列材料制成之薄膜组成，该材料包含聚乙烯、聚丙烯、聚丁烯、聚丁二烯、聚甲基戊烯、聚乙烯基氯、乙烯基氯共聚物、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二酸酯、聚胺基甲酸酯、乙烯-乙酸乙烯酯、离子交联聚合物树脂、乙烯/(甲烯)丙烯酸共聚物、乙烯/(甲烯)丙烯酸酯共聚物、聚苯乙烯、聚碳酸酯、醋酸纤维素、三醋酸纤维素、聚酰亚胺及含氟树脂。其中，以聚甲基戊烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、三醋酸纤维素及聚酰亚胺薄膜为较佳，原因在于其具较佳耐热性，另外，该第一离形片5及第二离形片11具有表面张力40毫牛顿/米或以下，较好为37毫牛顿/米或以下，更佳为35毫牛顿/米或以下，其本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种雷射剥离膜结构，其依序包含一第一离形片、一雷射剥离层、一黏着层及一第二离形片。

【技术特征摘要】
1.一种雷射剥离膜结构，其依序包含一第一离形片、一雷射剥离层、一黏着层及一第二离形片。2.根据权利要求1所述的雷射剥离膜结构，其特征在于：所述雷射剥离层之厚度为5um～0.5um。3.根据权利要求2所述的雷射剥离膜结构，其特征在于：所述雷射剥离层之厚度为4.5um,或为1.5um,或为0.7um。4.根据权利要求1所述的雷射剥离膜结构，其特征在于：所述黏着层为...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑宪徽，伍得，颜铭佑，
申请(专利权)人：武汉市三选科技有限公司，
类型：新型
国别省市：湖北,42