一种在SrTiO3衬底上制备高质量Fe81Ga19薄膜的方法技术

本发明专利技术公开了一种在SrTiO3衬底上制备高质量的FeGa薄膜方法，首先对SrTiO3衬底进行预处理：将SrTiO3衬底在体积为10~12wt%的溶液中腐蚀20~30s，接着在900~950℃氧气流通气氛下退火2~2.5h；其次利用射频磁控溅射技术，采用Fe81Ga19靶材，在SrTiO3衬底上制备高（100）取向的Fe81Ga19薄膜；最后将制备的Fe81Ga19薄膜在真空下600℃退火。通过以上步骤，与没有进行衬底处理的相比，本发明专利技术制备的薄膜晶粒大小均匀，排列紧密，结晶度好，矫顽力较小，饱和磁化强度较大。

【技术实现步骤摘要】
一种在SrTiO3衬底上制备高质量Fe81Ga19薄膜的方法
本专利技术一种在SrTiO3衬底上制备高质量Fe81Ga19薄膜的方法，属于功能材料制备

技术介绍
铁磁性和亚铁磁性材料由于磁化状态的改变，引起其长度或体积相应发生变化的现象则为磁致伸缩效应。磁致伸缩材料就是由于磁致伸缩效应，铁磁体可以在磁场作用下发生长度变化，通过位移做功或者在交变磁场作用下，可反复产生伸长、缩短，从而产生振动或声波。此材料可将电磁能转换成机械能或者声能，在也可以把机械能转换功能转换成电磁能，是一类重要的能量与信息转换功能材料。被广泛应用于声波换能器、高灵敏传感器、执行器等领域。相比较传统的磁致伸缩材料和现在广泛使用的Terfenl-D，Fe-Ga具有饱和磁场低、矫顽力小、居里温度高、成本低廉、加工性能好等优势，是目前磁性材料研究领域中一个新的热点。相比块状合金，Fe-Ga薄膜在微型传感、执行器件以及微系统集成MEMS的开发和研究中具有特别的优势，有利于器件的集成化、小型化和智能化，并且具有驱动力大、性能稳定、高频响应快、灵敏度好、可靠性高等一系列其他优点。有望解决长期以来制约微机械、微系统等工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种在SrTiO3衬底上制备高质量Fe81Ga19薄膜的方法，所述的SrTiO3衬底晶体取向为(100)，其特征在于，包括如下步骤：(1)将洁净的SrTiO3基片置于10～12wt％的盐酸中浸泡20s～30s；(2)将腐蚀好之后的SrTiO3基片放入管式炉中进行退火，结束之后再次清洗；(3)以Fe81Ga19合金为靶材，以步骤(2)处理后的SrTiO3基片为衬底，设置衬底温度为200℃，溅射气压为1～1.2Pa，制备功率为50～60W，制备时间为30min，靶基距为70mm，进行射频磁控溅射，结束后将薄膜在600℃下进行真空退火，即可得到高质量的Fe81Ga19薄膜。

【技术特征摘要】
1.一种在SrTiO3衬底上制备高质量Fe81Ga19薄膜的方法，所述的SrTiO3衬底晶体取向为(100)，其特征在于，包括如下步骤：(1)将洁净的SrTiO3基片置于10～12wt％的盐酸中浸泡20s～30s；(2)将腐蚀好之后的SrTiO3基片放入管式炉中进行退火，结束之后再次清洗；(3)以Fe81Ga19合金为靶材，以步骤(2)处理后的SrTiO3基片为衬底，设置衬底温度为20...

【专利技术属性】
技术研发人员：马亚茹，曹梦雄，王兴宇，马春林，周卫平，谭伟石，
申请(专利权)人：南京理工大学，
类型：发明
国别省市：江苏,32